电子装置制造方法及图纸

提供一种电子装置。所述电子装置包含第一裸片及第二裸片。所述第二裸片安置在所述第一裸片上方。所述第二裸片的背侧表面面向所述第一裸片的背侧表面。所述第二裸片的有源表面经配置以接收第一功率。所述第二裸片经配置以通过所述第二裸片的所述背侧表面及所述第一裸片的所述背侧表面为所述第一裸片提供第二功率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
电子装置


[0001]本公开涉及一种电子装置，更确切地说，涉及一种集成不同功率的电子组件的电子装置。

技术介绍

[0002]当集成例如存储器装置及专用集成电路(ASIC)的不同电子组件时，其间的距离及输入/输出端子的数目可能会影响性能。然而，难以校正对于更短距离及更多输入/输出端子的这种需求。为了提供所需的性能增强，需要一种新的电子装置。

技术实现思路

[0003]在一些实施例中，电子装置包含第一裸片及第二裸片。第二裸片安置在第一裸片上方。第二裸片的背侧表面面向第一裸片的背侧表面。第二裸片的有源表面经配置以接收第一功率。第二裸片经配置以通过第二裸片的背侧表面及第一裸片的背侧表面为第一裸片提供第二功率。第一功率不同于第二功率。
[0004]在一些实施例中，电子装置包含第一裸片及第二裸片。第二裸片安置在第一裸片上方。第一裸片经配置以接收第一功率及第二功率。从第二裸片传输第一功率。第二功率不穿过第二裸片。第一功率不同于第二功率。
[0005]在一些实例中，电子装置包含第一衬底、第一电子组件及第二电子组件。第一电子组件安本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其包括：第一裸片；及第二裸片，其安置于所述第一裸片上方并且具有面向所述第一裸片的背侧表面的背侧表面，其中所述第二裸片的有源表面经配置以接收第一功率，所述第二裸片经配置以通过所述第二裸片的所述背侧表面及所述第一裸片的所述背侧表面为所述第一裸片提供第二功率。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一裸片经配置以接收第三功率。3.根据权利要求2所述的电子装置，其中所述第三功率经传输以穿过所述第一裸片的有源表面。4.根据权利要求2所述的电子装置，其中从所述第二裸片传输所述第三功率，并且所述第三功率不同于所述第二功率。5.根据权利要求1所述的电子装置，其中位于所述第一裸片的有源表面处的多个端子的密度大于位于所述第二裸片的所述有源表面处的多个端子的密度。6.根据权利要求1所述的电子装置，其中通过所述第二裸片的硅穿孔将所述第一功率传输到所述第二裸片的有源电路区，并且通过所述第一裸片的硅穿孔将所述第二功率传输到所述第一裸片的有源电路区。7.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一功率经传输以跨越所述第二裸片的侧表面。8.一种电子装置，其包括：第一裸片；及第二裸片，其安置于所述第一裸片上方；其中所述第一裸片经配置以接收第一功率及第二功率，从所述第二裸片传输所述第一功率，所述第二功率不穿过所述第二裸片，并且所述第一功率不同于所述第二功率。9.根据权利要求8所述的电子装置，其中所述第二功率经传输以穿过所述第一裸片的背侧表面。10.根据权利要求8所述的电子装置，其中所述第一裸片的侧表面与所述第二裸片的侧表面不对准，并且所述第二裸片的背侧表面的部分由所述第一裸片暴露。11.根据权利要求10所述的电子装置，其中通过安置在所述第二裸片的所述背侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁俊彦，李宝男，康荣瑞，李长祺，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：