【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】形成钼触点的方法
[0001]本专利技术的实施方式涉及半导体装置及半导体装置制造的领域
。
更具体地，本专利技术的实施方式涉及选择性形成钼触点的方法
。
[0002]背景
[0003]半导体处理产业持续争取更大的生产产量，同时增加沉积在具有更大表面区域的基板上的层的均匀性
。
这些相同因素与新材料组合也提供基板的每单位面积的更高的电路集成
。
随着电路集成增加，对于关于层厚度的更大均匀性及处理控制的需求提升
。
因此，已经发展各种技术以有成本效益的方式在基板上沉积层，同时维持控制层的特性
。
[0004]化学气相沉积
(CVD)
及原子层沉积
(ALD)
是用于在基板上沉积层的通常沉积处理
。CVD
是通量相依
(flux
‑
dependent)
沉积技术，其要求精确控制基板温度与导入处理腔室的前驱物，以产生均匀厚度的期望层
。
展现出卓越阶...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种形成半导体结构的方法，所述方法包含以下步骤：清洁基板以形成实质上无氧化物的基板表面；将所述基板表面暴露至第一钼前驱物；和将所述基板表面暴露至反应物以在所述基板表面上选择性沉积第一钼膜，所述方法执行在处理腔室中而不破坏真空
。2.
如权利要求1所述的方法，其中所述基板包含金属
、
氮化物
、
合金
、
电介质
、
或前述物的组合
。3.
如权利要求1所述的方法，其中所述基板包含
Si、Ru、Co、W、SiP、TiN、SiGe、TiSi、SiGeB、TiAl、HfO2、Al2O3、
或前述物的组合
。4.
如权利要求1所述的方法，其中所述基板表面依序地或同时地暴露至所述钼前驱物及所述反应物
。5.
如权利要求1所述的方法，其中所述反应物包含氧化剂及还原剂的一者或多者
。6.
如权利要求1所述的方法，其中所述反应物包含氢
(H2)、
氨
(NH3)、
硅烷
、
聚硅烷
、
或前述物的组合
。7.
如权利要求1所述的方法，其中所述第一钼前驱物包含钼及卤化物
。8.
如权利要求4所述的方法，其中将所述基板表面暴露至所述反应物的步骤降低由所述第一钼前驱物的所述基板表面的蚀刻
。9.
如权利要求1所述的方法，其中所述第一钼膜具有在从至的范围中的厚度
。10.
如权利要求1所述的方法，进一步包含在所述第一钼膜上形成盖层或处理所述第一钼膜以形成所述盖层
。11.
如权利要求
10
所述的方法，其中所述盖层包含金属氮化物
、PVD
金属
、
或前述物的组合
。12.
如权利要求1...
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