太阳能发电系统和方法技术方案

提供了一种太阳能发电系统，用于从改进的太阳能系统产生电流

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】bipolar transistor architectures for the practical implementation of high
‑
efficiency three
‑
terminal solar cells(
用于高效三端太阳能电池的实际实现的新型异质结双极晶体管架构
)”的非专利文献公开了所提出的
3T
‑
HBTSC
的架构类型，但没有公开本公开的各方面，包括半导体配置和经由热电组件回收能量
。
[0010]Tockhorn
等人的题为“Three
‑
Terminal Perovskite/Silicon Tandem Solar Cells with Top and Interdigitated Rear Contacts(
具有顶部和叉指后部接触的三端钙钛矿
/
硅串联太阳能电池
)”的非专利文献公开了关于用于太阳能应用的多层钙钛矿电池的研究，但没有公开本公开的各方面，包括半导体配置和经由热电组件回收能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种改进的太阳能发电系统，包括：半导体层，用于将来自光的光子转换为电流，包括：第一半导体层，第二半导体层，第三半导体层，第一耗尽区，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述第一耗尽区在接收到至少部分所述光子时产生沿第一电流方向的电流，以及第二耗尽区，位于所述第二半导体层与所述第三半导体层之间，所述第二耗尽区在接收到至少部分所述光子时产生沿第二电流方向的电流；以及热电组件，可操作地安装到所述半导体层，以将从所述半导体层接收到的热能转换为回收电流
。2.
根据权利要求1所述的太阳能发电系统，其中，所述半导体层在
P
型材料与
N
型材料之间交替
。3.
根据权利要求2所述的太阳能发电系统：其中，所述第一半导体层包括所述
P
型材料；其中，所述第二半导体层包括所述
N
型材料；其中，所述第三半导体层包括所述
P
型材料
。4.
根据权利要求1所述的太阳能发电系统，其中，所述半导体层被配置为晶体管
。5.
根据权利要求4所述的太阳能发电系统，其中，所述晶体管还包括：由所述第一半导体层提供的发射极，由所述第二半导体层提供的基极，以及由所述第三半导体层提供的集电极，其中，所述晶体管被配置为放大器电路；以及其中，当所述第二半导体层接收到偏置电流时，从所述第一半导体层流向所述第三半导体层的电流被放大
。6.
根据权利要求5所述的太阳能发电系统，其中，所述偏置电流包括所述回收电流
。7.
根据权利要求4所述的太阳能发电系统，其中，所述晶体管是被配置为放大器电路的双结晶体管
。8.
根据权利要求1所述的太阳能发电系统，其中，所述热电组件包括珀尔帖芯片
。9.
根据权利要求1所述的太阳能发电系统：其中，所述半导体层被布置为包括：第一角定向部分，用于接收来自第一光入射角的光子，以及第二角定向部分，用于接收来自第二光入射角的光子
。10.
根据权利要求9所述的太阳能发电系统：其中，所述半导体层在所述第一角定向部分与所述第二角定向部分之间交替
。11.
根据权利要求1所述的太阳能发电系统，还包括：监测组件，包括：操作传感器，用于检测与所述太阳能发电系统的操作相关的状况；地理位置传感器，用于近似安装位置；
通信模块，用于在所述监测组件与外部装置之间通信数据，以及其中，所述状况经由所述监测组件远程监测
。12.
一种改进的太阳能发电系统，包括：在
P
型材料与
N
型材料之间交替的半导体层，用于将来自光的光子转换为电流，所述半导体层包括：包括所述
P
型材料的第一半导体层，包括所述
N
型材料的第二半导体层，包括所述
P
型材料的第三半导体层，第一耗尽区，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间，所述第一耗尽区在接收到至少部分所述光子时产生沿第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：T，
申请(专利权)人：萨里萨提亚收购有限责任公司，
类型：发明
国别省市：