【技术实现步骤摘要】
一种高稳定性烧结型铜膏及其制备方法和应用
[0001]本专利技术涉及涉及第三代半导体器件封装
,尤其是涉及一种高稳定性烧结型铜膏及其制备方法和应用
。
技术介绍
[0002]随着电动汽车等领域不断发展,对于驱动系统核心的宽带隙半导体器件要求也日益提升
。
该器件要适应高温强震动的运行环境,以及大温差
、
大电流场
、
以及机械应力的苛刻工作条件,从而确保动力强
、
效率高
、
安全可靠性高的三重条件
。
[0003]在宽带隙半导体器件封装结构中,封装互连材料既决定着器件的电气特性,又关系着其散热特性以及长期服役可靠性,是电动汽车电机驱动控制系统高可靠
、
长寿命耐温工作的关键
。
基于对宽带隙半导体器件连接界面的热
、
电和力学性能以及其封装工艺的考虑,传统焊锡膏由于其熔点较低等因素难以在高温条件下服役,因此以微纳米焊膏为代表的低温烧结互连技术得到了广泛的发展
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种高稳定性烧结型铜膏,其特征在于,包括以下质量百分比的原料:双重包覆的纳米铜粉
75
%
‑
90
%,有机溶剂体系8%
‑
24.5
%,树脂
0.5
%
‑2%
。2.
根据权利要求1所述的高稳定性烧结型铜膏,其特征在于,所述双重包覆的纳米铜粉采用的包覆剂包括:苯基硅烷类化合物和吡咯烷酮类化合物
。3.
根据权利要求2所述的高稳定性烧结型铜膏,其特征在于,所述苯基硅烷类化合物包括:苯基硅烷
、
二甲基苯基硅烷
、4
‑
甲酰基苯基硅烷
、
三苯基硅烷
、
二苯基硅烷中的一种或多种
。4.
根据权利要求2所述的高稳定性烧结型铜膏,其特征在于,所述吡咯烷酮类化合物包括:
N
‑
甲基吡咯烷酮
、
乙烯基吡咯烷酮
、2
‑
吡咯烷酮
、
乙酰胺吡咯烷酮
、
聚乙烯吡咯烷酮中的一种或多种
。5.
根据权利要求1所述的高稳定性烧结型铜膏,其特征在于,所述纳米铜粉的形状包括:球状或片状中的一种或多种;所述纳米铜粉的粒径范围在
300
‑
1500nm。6.
根据权利要求1所述的高稳定性烧结型铜膏,其特征在于,所述有机溶剂体系包括:分散剂
0.1
%
‑
0.5
%,抗氧化剂
0.2
...
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