制造掩模组件的方法技术

本发明专利技术提供了制造掩模组件的方法。该方法包括：准备包括开口区域的掩模框架；在掩模片的中心的第一区域中形成第一组的开口；将掩模片张紧并且将掩模片固定到所述掩模框架；以及在掩模片的第二区域中形成第二组的开口。第二区域围绕第一区域。区域围绕第一区域。区域围绕第一区域。

【技术实现步骤摘要】
制造掩模组件的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年6月17日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请第10
‑
2022
‑
0074334号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]一个或多个实施例涉及一种能够提高沉积材料的沉积质量的掩模组件、制造掩模组件的方法以及制造显示装置的方法。

技术介绍

[0004]电子装置被广泛使用。电子装置被以各种方式用作移动电子装置和固定电子装置。为了支持各种功能，电子装置包括可以向用户提供诸如图像的视觉信息的显示装置。
[0005]显示装置是被配置成可视地显示数据的装置并且可以通过沉积诸如有机层和金属层等的各种层而形成。沉积材料可以被沉积以形成显示装置的多个层。例如，来自沉积源的沉积材料可以通过掩模组件被喷射并沉积在基板上。在出现掩模片的变形的情况下，沉积材料可能不被沉积在基板的所需位置上，并且因此，沉积质量被劣化。
[0006]应当理解，在某种程度上，该
技术介绍
部分旨在提供用于理解技术的有用背景。然而，该
技术介绍
部分也可以包括不属于相关领域技术人员在本文中公开的主题的对应有效申请日期之前已知或理解的内容的想法、构思或认识。

技术实现思路

[0007]一个或多个实施例包括能够通过防止掩模片的开口的形状变形来提高沉积材料的沉积质量的掩模组件、制造掩模组件的方法以及制造显示装置的方法。
[0008]然而，这样的技术方面仅是示例，并且本公开不限于此。
[0009]另外的方面将部分地在下面的描述中阐述，并且将部分地根据描述显而易见，或者可以通过实践本公开的实施例而获知。
[0010]根据一个或多个实施例，制造掩模组件的方法可以包括：准备包括开口区域的掩模框架；在掩模片的中心的第一区域中形成第一组的开口；将掩模片张紧并且将掩模片固定到掩模框架；以及在掩模片的第二区域中形成第二组的开口。第二区域可以围绕第一区域。
[0011]第一组的开口的形成可以包括湿法蚀刻第一区域。
[0012]第二组的开口的形成可以包括激光蚀刻第二区域。
[0013]第二组的开口的形成可以包括加工第二组的开口使得第二组的开口围绕第一区域。
[0014]第二组的开口的形成可以包括围绕位于掩模片的中心的参考点在顺时针方向或逆时针方向上顺序地执行激光蚀刻。
[0015]第二组的开口的形成可以包括：执行激光蚀刻以形成第一开口；以及执行激光蚀
刻以形成相对于位于掩模片的中心的参考点与第一开口对称的第二开口。
[0016]第二区域的激光蚀刻可以包括：以比第二组的开口的尺寸小的尺寸激光蚀刻第二区域；以及通过使用被施加到掩模片的张力来将激光蚀刻后的部分延伸至第二组的开口的尺寸。
[0017]掩模片的张紧和掩模片到掩模框架的固定可以包括将掩模片的第三区域焊接到掩模框架。第三区域可以围绕掩模片的第二区域。
[0018]第二组的开口的形成可以包括：执行湿法蚀刻以形成具有比第二组的开口的尺寸小的尺寸的临时开口；以及沿临时开口的周边执行激光蚀刻。
[0019]临时开口可以在湿法蚀刻的操作中被形成，并且湿法蚀刻的操作可以与形成第一组的开口的湿法蚀刻的操作是相同的操作。
[0020]临时开口的形状与通过以相同的比例偏移第二组的开口的形状而缩小的形状相同。
[0021]第二组的开口的形成可以包括：半蚀刻第二区域以与掩模片的第一表面中的第二组的开口的尺寸相对应；以及在掩模片的与第一表面相反的第二表面中激光蚀刻第二区域。
[0022]第二区域的半蚀刻可以包括通过使用湿法蚀刻来半蚀刻第二区域。
[0023]第一组的开口的形成可以包括：半蚀刻第一区域以与第一表面中的第一组的开口的尺寸相对应；以及在第二表面中半蚀刻第一区域。
[0024]第二区域的在第一表面中的半蚀刻可以以与在第一表面中半蚀刻第一区域的工艺相同的工艺执行。
[0025]根据一个或多个实施例，制造显示装置的方法可以包括：准备掩模组件；布置显示基板以面对掩模组件；以及使沉积材料穿过掩模组件并且将沉积材料沉积在显示基板上，沉积材料从沉积源被供应。掩模组件的准备可以包括：准备包括开口区域的掩模框架；在掩模片的中心的第一区域中形成第一组的开口；将掩模片张紧并且将掩模片固定到掩模框架；以及在掩模片的第二区域中形成第二组的开口。第二区域可以围绕第一区域。
[0026]第一组的开口的形成可以包括湿法蚀刻第一区域。
[0027]第二组的开口的形成可以包括激光蚀刻第二区域。
[0028]根据一个或多个实施例，掩模组件可以包括：掩模框架，包括开口区域；以及掩模片，布置在开口区域内。掩模片可以包括：在中心的第一区域，具有第一组的开口；以及第二区域，具有第二组的开口并且围绕第一区域。第一区域在第一组的开口的周边处可以具有在厚度方向上的第一倾斜表面。第二区域在第二组的开口的周边处可以具有在厚度方向上的第二倾斜表面。第一倾斜表面的倾斜角可以不同于第二倾斜表面的倾斜角。
[0029]第一倾斜表面可以是弯曲的表面，并且第二倾斜表面可以是平坦的表面。
[0030]根据对实施例、附图和权利要求的描述，这些和/或其它方面将变得显而易见并且更容易理解。
附图说明
[0031]根据以下结合附图的描述，本公开的某些实施例的上述及其它方面、特征和优点将更加显而易见，在附图中：
[0032]图1是根据实施例的用于制造显示装置的装置的示意性截面图；
[0033]图2是根据实施例的掩模组件的示意性透视图；
[0034]图3至图6B是示出根据实施例的制造掩模组件的方法的示意性平面图；
[0035]图7是示出加工第二组的开口的方法的平面示意图；
[0036]图8是示出加工第二组的开口的另一方法的平面示意图；
[0037]图9是沿图6A的线IX
‑
IX
’
截取的根据制造掩模组件的方法制造的掩模组件的示意性截面图；
[0038]图10是用于比较图9的掩模组件的一部分的示意图；
[0039]图11至图13是示出根据另一实施例的制造掩模组件的方法的示意平面图；
[0040]图14A至图18是示出根据另一实施例的制造掩模组件的方法的示意图；
[0041]图19是由根据实施例的制造显示装置的装置制造的显示装置的示意性平面图；以及
[0042]图20是沿图19的XX
‑
XX
’
线截取的由根据实施例的制造显示装置的装置制造的显示装置的示意性截面图。
具体实施方式
[0043]现在将详细地参考实施例，实施例的示例在附图中被示出，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。在这点上，实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于在本文中阐述的描述。相应地，下面通过参考附图仅描述实施例以解释描述的方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造掩模组件的方法，所述方法包括：准备包括开口区域的掩模框架；在掩模片的中心的第一区域中形成第一组的开口；将所述掩模片张紧并且将所述掩模片固定到所述掩模框架；以及在所述掩模片的第二区域中形成第二组的开口，其中，所述第二区域围绕所述第一区域。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一组的所述开口的所述形成包括湿法蚀刻所述第一区域。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二组的所述开口的所述形成包括激光蚀刻所述第二区域。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二组的所述开口的所述形成包括加工所述第二组的所述开口使得所述第二组的所述开口围绕所述第一区域。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二组的所述开口的所述形成包括围绕位于所述掩模片的所述中心的参考点在顺时针方向或逆时针方向上顺序地执行所述激光蚀刻。6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二组的所述开口的所述形成包括：执行所述激光蚀刻以形成第一开口；以及执行所述激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：李娥凜，金辉，黄圭焕，金桢国，宋昇勇，赵恩翡，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：