基于硅基掩膜片的全彩色制造技术

本发明专利技术涉及

【技术实现步骤摘要】
基于硅基掩膜片的全彩色Micro
‑
LED制备方法


[0001]本专利技术涉及
Micro
‑
LED
显示
，具体提供一种基于硅基掩膜片的全彩色
Micro
‑
LED
制备方法
。

技术介绍

[0002]单片集成全彩色
Micro
‑
LED
芯片通常采用蓝光
Micro
‑
LED
作为光源，通过红
、
绿量子点将蓝光转换成红绿光，进而形成全彩色显示
。
随着显示器件的发展，对于其分辨率
、
色域等要求不断提高，因此，制备小尺寸图案变得格外重要，但目前制备量子点色转换阵列通常采用光刻法和喷墨打印法，但上述两种方法难以制备出尺寸小于5μ
m
的图形
。
[0003]光刻法由于利用光刻胶的光敏特性，将光模板的图案通过光刻胶转移到衬底上
。
当制备尺寸小于5μ
m<br/>的图案时，需本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种基于硅基掩膜片的全彩色
Micro
‑
LED
制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1
：提供键合有
LED
外延层的
CMOS
驱动电路基底，将
LED
外延层加工成具有
N
阵列发光单元的
Micro
‑
LED
像素单元；
S2
：在所述
Micro
‑
LED
像素单元上制备隔离结构，使发光单元相互隔离；
S3
：提供硅基掩膜片，所述硅基掩膜片上设置有开窗，开窗的位置与发光单元对应；将开窗对准任意发光单元，所述硅基掩膜片将其他发光单元覆盖，通过喷墨打印技术将量子点胶液填充入开窗对准的发光单元；
S4
：除去所述硅基掩膜片后，利用透明盖板进行封装
。2.
如权利要求1所述的基于硅基掩膜片的全彩色
Micro
‑
LED
制备方法，其特征在于，
S1
中，提供
LED
外延片和
CMOS
驱动电路基底，
LED
外延片包括
LED
外延层和
LED
外延基底，将
LED
外延片的
LED
外延层与
CMOS
驱动电路基底键合，去除
LED
外延基底，利用光刻法和
/
或刻蚀法将
LED
外延层加工成具有
N
阵列发光单元的所述
Micro
‑
LED
像素单元
。3.
如权利要求1所述的基于硅基掩膜片的全彩色
Micro
‑
LED
制备方法，其特征在于，隔离结构的材料包括金属膜
、
硅胶和
/
或纳米颗粒
。4.
如权利要求1所述的基于硅基掩膜片的全彩色
Micro...

【专利技术属性】
技术研发人员：陶金，孟德佳，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
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