一种电子熔断器电路制造技术

本发明专利技术提供一种电子熔断器电路

【技术实现步骤摘要】
一种电子熔断器电路、芯片、主板以及电子设备


[0001]本专利技术涉及集成电路领域，特别是一种电子熔断器电路
、
芯片
、
主板以及电子设备
。

技术介绍

[0002]随着人工智能
、
云计算及
ChatGPT
（
Chat Generative Pre
‑
trained Transformer
，是人工智能技术驱动的自然语言处理工具）等新型互联网技术的迅速发展，对
CPU
（
Central Processing Unit
，中央处理器）
、GPU
（
graphics processing unit
， 图形处理器）以及高精密芯片等的供电需求和稳定性要求越来越高，因此，加强对供电的监控和保护设计显得越来越重要
。
[0003]随着供电需求的增大相应会带来电源的安全隐患，为了加强电源的保护，解决其隐患，目前的供电设计中会在各供电线路上单独设计电子熔断器（
electronic fuse
，缩写
Efuse
）来进行保护，而随着电路板集成度越高
、
结构越复杂，就需要设计更多的电子熔断器来进行独立的保护
。
[0004]但在目前电子熔断器启动和后端短路时可能会发生故障，导致电子熔断器无法正常开启或者被击穿烧毁，影响后端负载的正常供电，设备无法运行
。
专利
技术实现思路

[0005]鉴于上述问题，本专利技术提出了一种电子熔断器电路
、
芯片
、
主板及电子设备
。
[0006]本专利技术实施例提供了一种电子熔断器电路，所述电子熔断器电路包括：控制模块
、
安全启动模块
、
安全保护模块；所述控制模块，用于向所述安全启动模块
、
所述安全保护模块分别发送不同的电压信号；所述安全启动模块，用于根据接收到电压信号，调整缓启电压的变化量，使所述缓启电压与输出电压同步变化；所述安全保护模块，用于根据接收到电压信号，调节输出电流的大小，以将所述输出电流的大小控制在正常工作范围内
。
[0007]可选地，所述安全启动模块包括：电容控制单元和电容单元；所述电容控制单元，用于根据接收到的电压信号，控制所述电容单元中每个电容的接入或者断开；所述电容单元，用于根据每个电容各自的接入或者断开，提供不同大小的容值，以调整所述缓启电压的变化量
。
[0008]可选地，所述控制模块向所述安全启动模块发送的电压信号包括：第一电压信号；所述电容控制单元根据所述第一电压信号，控制所述电容单元中每个电容均接入或者所有电容中仅部分接入，其余电容断开；所述电容单元中每个电容均接入时，提供的容值较大，使得所述缓启电压的变化
量较小；所述电容单元所有电容中仅部分接入，提供的容值较小，使得所述缓启电压的变化量较大
。
[0009]可选地，所述电容控制单元包括：三极管
、
第一比较器
、
第一晶体管；所述第一比较器的同相端接收来自于的所述控制模块的电压信号，反相端接收第一参考电压；所述第一比较器的输出端与所述三极管的基极连接；所述三极管的发射极接收预设电压，集电极与所述第一晶体管的第二端连接；所述晶体管的第一端与所述电容单元
、
所述控制模块的缓启电压输出引脚分别连接；所述第一晶体管的第三端与所述电容单元连接
。
[0010]可选地，所述电容单元包括：第一电容
、
第二电容；所述第一电容的第一端与所述第一晶体管的第一端
、
所述缓启电压输出引脚分别连接；所述第一电容的第二端与所述第二电容的第二端连接，并接地；所述第二电容的第一端与所述第一晶体管的第三端连接
。
[0011]可选地，在来自于的所述控制模块的电压信号的电压值，小于所述第一参考电压的情况下，所述第一比较器输出低电平，使得所述三极管导通；所述三极管导通时，所述第一晶体管导通，所述第一电容和所述第二电容均接入；在来自于的所述控制模块的电压信号的电压值，不小于所述第一参考电压的情况下，所述第一比较器输出高电平，使得所述三极管关闭；所述三极管关闭时，所述第一晶体关闭，所述第一电容接入，所述第二电容断开
。
[0012]可选地，所述安全保护模块包括：晶体管控制单元和晶体管单元；所述晶体管控制单元，用于根据接收到的电压信号，控制所述晶体管单元中每个晶体管的导通或者关闭；所述晶体管单元，用于根据每个晶体管各自的导通或者关闭，使得所述输出电流的不同回路导通或者关闭，以调节所述输出电流的大小
。
[0013]可选地，所述控制模块向所述安全保护模块发送的电压信号包括：第二电压信号和第三电压信号；所述晶体管控制单元根据所述第二电压信号和所述第三电压信号，控制所述晶体管单元中每个晶体管均导通或者所有晶体管中仅部分导通，其余晶体管关闭；所述晶体管单元中每个晶体管均导通时，所述输出电流的所有回路均导通，使得所述输出电流的持续保持在目标电流；所述晶体管单元所有晶体管中仅部分导通，所述输出电流的所有回路中，仅导通晶体管对应的回路导通，关闭晶体管对应的回路关闭，使得所述输出电流的被控制在正常工作范围内；其中，所述第二电压信号与所述控制模块向所述安全启动模块发送的电压信号为相同信号
。
[0014]可选地，所述晶体管控制单元包括：第二比较器
、
反馈电阻；
所述第二比较器的同相端第二参考电压，反相端与所述反馈电阻的第一端连接，并接收来自于的所述控制模块的第二电压信号；所述第二比较器的输出端与所述晶体管单元连接；所述反馈电阻的第二端接地
。
[0015]可选地，所述晶体管单元包括：第二晶体管
、
第三晶体管
、
第四晶体管；所述第二晶体管的第二端与所述第二比较器的输出端连接；所述第二晶体管的第一端与所述第四晶体管的第二端连接，且接收来自于的所述控制模块的第三电压信号；所述第二晶体管的第三端与所述第三晶体管的第二端连接；所述第三晶体管的第一端与所述第四晶体管的第一端连接，且接收来自于电源输入端的电流；所述第三晶体管的第三端与所述第四晶体管的第三端连接，且输出所述输出电流
。
[0016]可选地，在所述第二电压信号的电压值，小于所述第二参考电压的情况下，所述第二比较器输出高电平，使得所述第二晶体管导通；所述第二晶体管导通，且所述第三电压信号的电压值不小于栅极电压时，所述第三晶体管
、
所述第四晶体管均导通，所述输出电流的所有回路均导通；在所述第二电压信号的电压值，不小于所述第二参考电压的情况下，所述第二比较器输出低电平，使得所述第二晶体管关闭；所述第二晶体管关闭，且所述第三电压信号的电压值不小于所述栅极电压时，所述第四本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电子熔断器电路，其特征在于，所述电子熔断器电路包括：控制模块
、
安全启动模块
、
安全保护模块；所述控制模块，用于向所述安全启动模块
、
所述安全保护模块分别发送不同的电压信号；所述安全启动模块，用于根据接收到电压信号，调整缓启电压的变化量，使所述缓启电压与输出电压同步变化；所述安全保护模块，用于根据接收到电压信号，调节输出电流的大小，以将所述输出电流的大小控制在正常工作范围内
。2.
根据权利要求1所述的电子熔断器电路，其特征在于，所述安全启动模块包括：电容控制单元和电容单元；所述电容控制单元，用于根据接收到的电压信号，控制所述电容单元中每个电容的接入或者断开；所述电容单元，用于根据每个电容各自的接入或者断开，提供不同大小的容值，以调整所述缓启电压的变化量
。3.
根据权利要求2所述的电子熔断器电路，其特征在于，所述控制模块向所述安全启动模块发送的电压信号包括：第一电压信号；所述电容控制单元根据所述第一电压信号，控制所述电容单元中每个电容均接入或者所有电容中仅部分接入，其余电容断开；所述电容单元中每个电容均接入时，提供的容值较大，使得所述缓启电压的变化量较小；所述电容单元所有电容中仅部分接入，提供的容值较小，使得所述缓启电压的变化量较大
。4.
根据权利要求2所述的电子熔断器电路，其特征在于，所述电容控制单元包括：三极管
、
第一比较器
、
第一晶体管；所述第一比较器的同相端接收来自于的所述控制模块的电压信号，反相端接收第一参考电压；所述第一比较器的输出端与所述三极管的基极连接；所述三极管的发射极接收预设电压，集电极与所述第一晶体管的第二端连接；所述晶体管的第一端与所述电容单元
、
所述控制模块的缓启电压输出引脚分别连接；所述第一晶体管的第三端与所述电容单元连接
。5.
根据权利要求4所述的电子熔断器电路，其特征在于，所述电容单元包括：第一电容
、
第二电容；所述第一电容的第一端与所述第一晶体管的第一端
、
所述缓启电压输出引脚分别连接；所述第一电容的第二端与所述第二电容的第二端连接，并接地；所述第二电容的第一端与所述第一晶体管的第三端连接
。6.
根据权利要求5所述的电子熔断器电路，其特征在于，在来自于的所述控制模块的电压信号的电压值，小于所述第一参考电压的情况下，所述第一比较器输出低电平，使得所述三极管导通；
所述三极管导通时，所述第一晶体管导通，所述第一电容和所述第二电容均接入；在来自于的所述控制模块的电压信号的电压值，不小于所述第一参考电压的情况下，所述第一比较器输出高电平，使得所述三极管关闭；所述三极管关闭时，所述第一晶体关闭，所述第一电容接入，所述第二电容断开
。7.
根据权利要求1所述的电子熔断器电路，其特征在于，所述安全保护模块包括：晶体管控制单元和晶体管单元；所述晶体管控制单元，用于根据接收到的电压信号，控制所述晶体管单元中每个晶体管的导通或者关闭；所述晶体管单元，用于根据每个晶体管各自的导通或者关闭，使得所述输出电流的不同回路导通或者关闭，以调节所述输出电流的大小
。8.
根据权利要求7所述的电子熔断器电路，其特征在于，所述控制模块向所述安全保护模块发送的电压信号包括：第二电压信号和第三电压信号；所述晶体管控制单元根据所述第二电压信号和所述第三电压信号，控制所述晶体管单元中每个晶体管均导通或者所有晶体管中仅部分导通，其余晶体管关闭；所述晶体管单元中每个晶体管均导通时，所述输出电流的所有回路均导通，使得所述输出电流的持续保持在目标电流；所述晶体管单元所有晶体管中仅部分导通，所述输出电流的所有回路中，仅导通晶体管对应的回路导通，关闭晶体管对应的回路关闭，使得所述输出电流的被控制在正常工作范围内；其中，所述第二电压信号与所述控制模块向所述安全启动模块发送的电压信号为相同信号
。9.
根据权利要求7所述的电子熔断器电路，其特征在于，所述晶体管控制单元包括：第二比较器
、
反馈电阻；所述第二比较器的同相端第二参考电压，反相端与所述反馈电阻的第一端连接，并接收来自于的所述控制模块的第二电压信号；所述第二比较器的输出端与所述晶体管单元连接；所述反馈电阻的第二端接地
。10.
根据权利要求9所述的电子熔断器电路，其特征在于，所述晶体管单元包括：第二晶体管
、
第三晶体管
、
第四晶体管；所述第二晶体管的第二端与所述第二比较器的输出端连接；所述第二晶体管的第一端与所述第四晶体管的第二端连接，且接收来自于的所述控制模块的第三电压信号；所述第二晶体管的第三端与所述第三晶体管的第二端连接；所述第三晶体管的第一端与所述第四晶体管的第一端连接，且接收来自于电源输入端的电流；所述第三晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：董文超，李大利，
申请(专利权)人：苏州元脑智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：