屏蔽电路与半导体装置制造方法及图纸

本申请涉及一种屏蔽电路与半导体装置

【技术实现步骤摘要】
屏蔽电路与半导体装置


[0001]本专利技术系关于一种用于降低辐射的屏蔽电路，特别是应用于电感电容电路之屏蔽电路
。

技术介绍

[0002]在集成电路
(IC)
芯片中，电感是一种被动组件，它将能量储存于由通过它的电流所产生的磁场中
。
电感可包括一或多个线圈，以形成一或多个回路，而这些回路在线圈内部产生磁场
。
取决于通过电感的电流，线圈内的磁场可随时间变化
。
[0003]电感通常搭配电容以形成一谐振电路，例如，一电感电容共振腔
(LC tank)
电路，用以作为电谐振器，以储存电路共振时振荡的能量
。
举例而言，于一射频电路中搭配电感电容共振腔
(LC tank)
电路，可使整体电路容易操作在较高的频率，且具有较佳的相位噪声表现，但这样的应用容易因为电感所感应出的磁场而产生不乐见的辐射问题，使得信号透过电感被辐射出去
。
此外，电感电容共振腔电路的其他部分也会产生辐射，造成干扰
。
[0004]为了解决电子电路带来的辐射问题，需要一种新的屏蔽电路，特别是应用于包含电感之电子电路的屏蔽电路，以降低或消除因电感或其他电子组件而产生的辐射
。

技术实现思路

[0005]本专利技术之一目的在于提供一种新的屏蔽电路，应用于电感及包含电感之电子电路，以降低或消除因电感或其他电子组件而产生的辐射，解决上述问题
。
[0006]根据本专利技术之一实施例，一种屏蔽电路，应用于一半导体装置，包括一第一屏蔽结构与一第二屏蔽结构
。
第一屏蔽结构形成一第一封闭回路，并且被设置在半导体装置内之一电感附近
。
第二屏蔽结构形成一第二封闭回路，并且被设置在耦接电感的一电子组件附近
。
[0007]根据本专利技术之另一实施例，一种半导体装置，包括一屏蔽电路与一电子组件
。
屏蔽电路包括至少二个屏蔽结构，各屏蔽结构形成一封闭回路
。
电子组件耦接一电感，所述至少二个屏蔽结构之其中一个被设置在电子组件附近
。
附图说明
[0008]图1系显示根据本专利技术之一实施例所述之半导体装置之范例方块图
。
[0009]图2系显示根据本专利技术之一实施例所述之屏蔽电路之范例布局图
。
[0010]图3系显示根据本专利技术之另一实施例所述之屏蔽电路之范例布局图
。
[0011]图4系显示根据本专利技术之又另一实施例所述之屏蔽电路之范例布局图
。
[0012]图5系显示根据本专利技术之又另一实施例所述之屏蔽电路之范例布局图
。
具体实施方式
[0013]图1系显示根据本专利技术之一实施例所述之一半导体装置之范例方块图
。
半导体装
置
100
可包括至少一电感
110、
耦接电感
110
之至少一电子组件
120
与一屏蔽电路
130。
需注意的是，图1为一简化的半导体装置示意图，其中仅显示出与本专利技术相关之组件
。
熟悉此技艺者均可理解，一半导体装置当可包含许多未示于图1之组件，以按照其电路设计实施相关之功能
。
此外，还需注意的是，图1通过示例而非限制的方式示出了本专利技术的一个或多个实施例，其中的各组件不一定按比例绘制
。
[0014]屏蔽电路
130
被设置在电感
110
与电子组件
120
附近，以降低或消除因电感
110
与电子组件
120
而产生的辐射
。
根据本专利技术之一实施例，屏蔽电路
130
可包括至少二个屏蔽结构，并且各屏蔽结构各自形成一独立的封闭回路
。
[0015]更具体的说，于本专利技术之一实施例中，屏蔽电路
130
可包括第一屏蔽结构与第二屏蔽结构，其中第一屏蔽结构可形成一第一封闭回路，并且被设置在电感
110
附近，第二屏蔽结构可形成一第二封闭回路，并且被设置在电子组件
120
附近
。
举例而言，第一屏蔽结构可由金属材料形成，并且具有大致为一环型或方形的形状
。
若一电子信号
(
例如，一电流
)
自第一屏蔽结构之一起始节点开始行进，则电子信号最终将绕回此起始节点
。
类似地，第二屏蔽结构也可由金属材料形成，并且具有大致为一环型或方形的形状
。
若一电子信号
(
例如，一电流
)
自第二屏蔽结构之一起始节点开始行进，则电子信号最终将绕回第二屏蔽结构之起始节点
。
需注意的是，虽以上系以环型或方形的形状作为说明，本专利技术实际并不限于此
。
于本专利技术之另一些实施例中，只要分别可形成一封闭回路，第一屏蔽结构及第二屏蔽结构也可以是具有不规则的形状
。
[0016]于本专利技术之实施例中，半导体装置
100
为具有多层结构之装置，而其中的电感
110、
电子组件
120
与屏蔽电路
130
可被设置于相同层或不同层，本专利技术并不限于任一种实施方式
。
此外，电感
110、
电子组件
120
与屏蔽电路
130
可分别被实施于同一层，或者可跨层被实施，例如，电感
110
之第一部分可被实施于第一金属层，电感
110
之第二部分可被实施于第二金属层，其中第一金属层与第二金属层为不同层
。
类似地，屏蔽电路
130
之第一部分可被实施于第三金属层，屏蔽电路
130
之第二部分可被实施于第四金属层，其中第三金属层与第四金属层为不同层，但第三金属层与第四金属层之其中一个与第一金属层可以是相同层或不同层，抑或第三金属层与第四金属层之其中一个与第二金属层可以是相同层或不同层，而本专利技术并不限于任一种实施方式
。
[0017]图2系显示根据本专利技术之一实施例所述之屏蔽电路之范例布局图
。
电感
210
可包括至少一线圈，并透过与线圈连接的分岔走线
211
与
212
耦接至少一电子组件，例如图中所示之一电容数组
220。
其中线圈为电感
210
的主体部分，而与线圈连接的分岔走线
211
与
212
也可以选择性被视为电感的一部份，然而，为简化说明，于本说明书中，所述电感系指各类电感的主体部分
(
即主要线圈部...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种屏蔽电路，应用于一半导体装置，包括：一第一屏蔽结构，形成一第一封闭回路，并且被设置在该半导体装置内的一电感附近；以及一第二屏蔽结构，形成一第二封闭回路，并且被设置在耦接该电感的一电子组件附近
。2.
根据权利要求1所述的屏蔽电路，其中，该第一屏蔽结构环绕该电感
。3.
根据权利要求1所述的屏蔽电路，其中，沿着一垂直方向，该第一屏蔽结构在一既定平面上的一投影包围该电感在该既定平面上的一投影
。4.
根据权利要求1所述的屏蔽电路，其中，该第二屏蔽结构环绕该电子组件
。5.
根据权利要求1所述的屏蔽电路，其中，沿着一垂直方向，该第二屏蔽结构在一既定平面上的一投影包围该电子组件在该既定平面上的一投影
。6.
一种半导体装置，包括：一屏蔽电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈韵中，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：