光半导体装置制造方法及图纸

第1金属块

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光半导体装置


[0001]本公开涉及用透镜罩气密地密封了半导体光调制元件等部件的光半导体装置
。

技术介绍

[0002]在移动通信系统等中，因移动通信终端的普及
、
信息的云化等，而带来数据通信量的急剧增加
。
伴随于此，需要更大容量的光通信系统，要求能够实现信号的高速大容量传送的光通信设备
。
作为能够进行高速通信的半导体光集成元件，可使用集成了电吸收型半导体光调制器
(EAM:Electro
‑
absorption Modulator)
和分布式反馈半导体激光器
(DFB
‑
LD:Distributed Feedback Laser Diode)
的
EML(Electro
‑
absorption Modulator integrated Laser
：电吸收调制激光器
)。
[0003]提出了如下所述的光半导体装置，即，该光半导体装置在金属管座安装了第1金属块和温度控本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种光半导体装置，其特征在于，所述光半导体装置具备：金属管座；引线管脚，贯通所述金属管座；第1金属块，安装于所述金属管座的上表面；第1电介质基板，安装于所述第1金属块的侧面；第1信号线路，形成于所述第1电介质基板；温度控制模块，安装于所述金属管座的所述上表面；第2金属块，安装于所述温度控制模块之上；第2电介质基板，安装于所述第2金属块的侧面；第2信号线路，形成于所述第2电介质基板；半导体光调制元件，安装于所述第2电介质基板；连接部件，连接所述引线管脚和所述第1信号线路的一端；第1接合线，连接所述第1信号线路的另一端和所述第2信号线路的一端；第2接合线，连接所述第2信号线路的另一端和所述半导体光调制元件；以及透镜罩，与所述金属管座的所述上表面接合，与所述金属管座电连接，并且气密地密封所述第1金属块以及所述第2金属块
、
所述第1电介质基板以及所述第2电介质基板
、
所述温度控制模块
、
所述第1信号线路以及所述第2信号线路
、
所述半导体光调制元...

【专利技术属性】
技术研发人员：那须雅树，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：