光半导体装置制造方法及图纸

第1金属块

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光半导体装置


[0001]本公开涉及用透镜罩气密地密封了半导体光调制元件等部件的光半导体装置
。

技术介绍

[0002]在移动通信系统等中，因移动通信终端的普及
、
信息的云化等，而带来数据通信量的急剧增加
。
伴随于此，需要更大容量的光通信系统，要求能够实现信号的高速大容量传送的光通信设备
。
作为能够进行高速通信的半导体光集成元件，可使用集成了电吸收型半导体光调制器
(EAM:Electro
‑
absorption Modulator)
和分布式反馈半导体激光器
(DFB
‑
LD:Distributed Feedback Laser Diode)
的
EML(Electro
‑
absorption Modulator integrated Laser
：电吸收调制激光器
)。
[0003]提出了如下所述的光半导体装置，即，该光半导体装置在金属管座安装了第1金属块和温度控制模块，在温度控制模块之上安装了第2金属块，在第1以及第2金属块的侧面分别安装了第1以及第2电介质基板，并且在第2电介质基板安装了半导体光调制元件
(
例如，参照专利文献
1)。
[0004]专利文献1：日本特开
2011
‑
197360
号公报
[0005]若在专利文献1的装置安装透镜罩，则产生谐振，频带受限，而存在无法得到良好的光波形的问题
。
作为解决方法，考虑增大透镜罩的外形，而将谐振点移向高频侧
。
但是，由于在
CAN
封装中要求小型化，所以无法增大透镜罩的外形
。

技术实现思路

[0006]本公开是为了解决上述那样的课题所做出的，其目的在于，得到一种不增大透镜罩的外形就能够得到良好的光波形的光半导体装置
。
[0007]本公开所涉及的光半导体装置的特征在于，具备：金属管座；引线管脚，贯通上述金属管座；第1金属块，安装于上述金属管座的上表面；第1电介质基板，安装于上述第1金属块的侧面；第1信号线路，形成于上述第1电介质基板；温度控制模块，安装于上述金属管座的上述上表面；第2金属块，安装于上述温度控制模块之上；第2电介质基板，安装于上述第2金属块的侧面；第2信号线路，形成于上述第2电介质基板；半导体光调制元件，安装于上述第2电介质基板；连接部件，连接上述引线管脚和上述第1信号线路的一端；第1接合线，连接上述第1信号线路的另一端和上述第2信号线路的一端；第2接合线，连接上述第2信号线路的另一端和上述半导体光调制元件；以及透镜罩，与上述金属管座的上述上表面接合，与上述金属管座电连接，并且气密地密封上述第1以及第2金属块
、
上述第1以及第2电介质基板
、
上述温度控制模块
、
上述第1以及第2信号线路
、
上述半导体光调制元件
、
以及上述第1以及第2接合线，上述第1金属块与上述透镜罩的内壁的最小距离小于
0.37mm
，上述第2金属块与上述透镜罩的上述内壁的最小距离小于
1.36mm。
[0008]在本公开中，使第1金属块与透镜罩的内壁的最小距离小于
0.37mm
，使第2金属块与透镜罩的内壁的最小距离小于
1.36mm。
由此，第1以及第2金属块靠近于成为接地的透镜
罩而强化接地
。
因此，谐振点减少，频率响应特性改善，能够实现宽频带化
。
因此，不增大透镜罩的外形，就能够得到良好的光波形
。
附图说明
[0009]图1是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的正面侧立体图
。
[0010]图2是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的背面侧立体图
。
[0011]图3是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的内部的俯视图
。
[0012]图4是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的变形例1的正面侧立体图
。
[0013]图5是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的变形例1的背面侧立体图
。
[0014]图6是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的变形例2的正面侧立体图
。
[0015]图7是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的变形例2的背面侧立体图
。
[0016]图8是表示使第2金属块与透镜罩的内壁的最小距离变化的情况下的频率响应特性的模拟结果的图
。
[0017]图9是表示使第1金属块与透镜罩的内壁的最小距离变化的情况下的频率响应特性的模拟结果的图
。
[0018]图
10
是表示对比较例和实施方式1所涉及的光半导体装置的频率响应特性进行比较的三维电磁场模拟结果的图
。
[0019]图
11
是表示实施方式2所涉及的光半导体装置的正面侧立体图
。
[0020]图
12
是表示实施方式2所涉及的光半导体装置的背面侧立体图
。
[0021]图
13
是表示实施方式2所涉及的光半导体装置的内部的俯视图
。
[0022]图
14
是表示对比较例和实施方式2所涉及的光半导体装置的频率响应特性进行比较的三维电磁场模拟结果的图
。
[0023]图
15
是表示实施方式3所涉及的光半导体装置的正面侧立体图
。
[0024]图
16
是表示实施方式3所涉及的光半导体装置的背面侧立体图
。
[0025]图
17
是表示实施方式3所涉及的光半导体装置的内部的俯视图
。
[0026]图
18
是表示对比较例和实施方式3所涉及的光半导体装置的频率响应特性进行比较的三维电磁场模拟结果的图
。
[0027]图
19
是表示实施方式4所涉及的光半导体装置的剖视图
。
具体实施方式
[0028]参照附图对实施方式所涉及的光半导体装置进行说明
。
对相同或对应的构成要素，有时标注相同的附图标记，省略重复的说明
。
[0029]实施方式1[0030]图1是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的正面侧立体图
。
图2是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的背面侧立体图
。
图3是表示实施方式1所涉及的光半导体装置的内部的俯视图
。
[0031]金属管座1为圆形的板状
。
信号线路用的引线管脚2贯通金属管座1，并经由玻璃材料固定于金属管本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种光半导体装置，其特征在于，所述光半导体装置具备：金属管座；引线管脚，贯通所述金属管座；第1金属块，安装于所述金属管座的上表面；第1电介质基板，安装于所述第1金属块的侧面；第1信号线路，形成于所述第1电介质基板；温度控制模块，安装于所述金属管座的所述上表面；第2金属块，安装于所述温度控制模块之上；第2电介质基板，安装于所述第2金属块的侧面；第2信号线路，形成于所述第2电介质基板；半导体光调制元件，安装于所述第2电介质基板；连接部件，连接所述引线管脚和所述第1信号线路的一端；第1接合线，连接所述第1信号线路的另一端和所述第2信号线路的一端；第2接合线，连接所述第2信号线路的另一端和所述半导体光调制元件；以及透镜罩，与所述金属管座的所述上表面接合，与所述金属管座电连接，并且气密地密封所述第1金属块以及所述第2金属块
、
所述第1电介质基板以及所述第2电介质基板
、
所述温度控制模块
、
所述第1信号线路以及所述第2信号线路
、
所述半导体光调制元...

【专利技术属性】
技术研发人员：那须雅树，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：