一种用于晶片单面抛光平坦化的无蜡垫及其制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种用于晶片单面抛光平坦化的无蜡垫及其制备工艺，属于无蜡垫技术领域

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶片单面抛光平坦化的无蜡垫及其制备工艺


[0001]本专利技术涉及无蜡垫
，具体为一种用于晶片单面抛光平坦化的无蜡垫及其制备工艺
。

技术介绍

[0002]现有的无蜡抛光工艺采用一体式模板，根据要加工的硅片规格订购专用的模板，将硅片直接放入到模板的晶片放置孔中即可抛光，对于不同规格的硅片得适配相同规格的晶片放置孔大小才能进行抛光，一旦硅片厚度与晶片放置孔深度不同，硅片就非常有可能在加工的过程中从晶片放置孔中滑出造成破片甚至翻车
。
[0003]公开号为
CN112873074B
的中国专利公开了一种抛光用无蜡垫的生产方法，该无蜡垫包括基座底盘
、
晶片放置孔
、
卡配垫和无蜡吸附垫，基座底盘的表面上设有至少一个晶片放置孔，晶片放置孔内设有吸附晶片的无蜡吸附垫，无蜡吸附垫和晶片放置孔的内底部之间至少设有一层卡配垫
。
[0004]该专利技术解决了
技术介绍
中无蜡抛光工艺采用一体式模板的问题，但是该专利中利用环氧树脂和聚氨酯预聚体进行反应生产复合树脂本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种用于晶片单面抛光平坦化的无蜡垫，包括基座底盘
(1)
和吸附层
(2)
，其特征在于：所述基座底盘
(1)
上卡合有吸附层
(2)
，基座底盘
(1)
由以下重量份材料制成：改性环氧树脂
30
‑
40
份
、
碳纤维
10
‑
30
份
、
填料
10
‑
20
份和固化剂
20
‑
30
份，所述吸附层
(2)
由聚氨酯发泡材料制成
。2.
根据权利要求1所述的用于晶片单面抛光平坦化的无蜡垫，其特征在于：所述基座底盘
(1)
上开设有晶片凹槽
(11)
，晶片凹槽
(11)
靠近底部的位置开设有卡合槽
(111)
，晶片凹槽
(11)
的槽底开设有分布均匀的卡合孔
(112)。3.
根据权利要求2所述的用于晶片单面抛光平坦化的无蜡垫，其特征在于：所述吸附层
(2)
下端的外壁上连接有卡合边
(21)
，卡合边
(21)
为上端开口大的锥形结构，卡合边
(21)
与晶片凹槽
(11)
卡合，吸附层
(2)
的下表面设置有与卡合孔
(112)
相匹配的卡合柱
(22)。4.
根据权利要求3所述的用于晶片单面抛光平坦化的无蜡垫，其特征在于：所述改性环氧树脂的制备方法如下：将
3,4
‑
二氯丁烯
‑1在碱作用下脱氯化氢，精馏至纯度大于
98
％，然后与甲基丙烯酸羟乙醋发生共聚反应，将单体
、
分子量调节剂
、
溶剂和引发剂置于三口瓶或不锈钢耐压反应瓶中，在氮气流下进行共聚反应，终止反应后，减压蒸馏，获得液体氯丁二烯
‑
甲基丙烯酸羟乙酯共聚物；将获取的液体氯丁二烯
‑
甲基丙烯酸羟乙酯共聚物
、
环氧树脂和木质素磺酸盐加入到混炼机中混炼，混炼
20min
，制得改性环氧树脂
。5.
根据权利要求4所述的用于晶片单面抛光平坦化的无蜡垫，其特征在于：所述填料由以下重量份材料制成：改性氮化硅
10
‑
16
份和氧化铝包覆六方氮化硼
12
‑
24
份
。6.
根据权利要求5所述的用于晶片单面抛光平坦化的无蜡垫，其特征在于：所述改性氮化硅的制备方法如下：取新烷氧基三
(
对氨基苯氧基
)
锆酸酯与溶剂在
55
‑
65℃
下混合均匀，新烷氧基三
(
氨基苯氧基

【专利技术属性】
技术研发人员：李加海，杨惠明，李元祥，
申请(专利权)人：安徽禾臣新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：