【技术实现步骤摘要】
一种应对瞬时超高功率能力强的电脑电源
[0001]本技术涉及电脑电源
,具体是指一种应对瞬时超高功率能力强的电脑电源
。
技术介绍
[0002]开关电源启动瞬间电流过大的问题在很多开关应用的设计中会遇到的问题,通常在开关电源启动时,可能需要输入端的主电网提供短时的大电流脉冲,这种电流脉冲通常被称为“输入浪涌电流
(inrush current)”。
为了防止大电流对后面的电路产生影响,在电脑电源的使用过程中需要考虑消除瞬间大电流
。
技术实现思路
[0003]本技术要解决的技术问题是,针对上述问题,提供一种可有效降低浪涌电流
、
避免电源损伤的应对瞬时超高功率能力强的电脑电源
。
[0004]为解决上述技术问题,本技术提供的技术方案为:一种应对瞬时超高功率能力强的电脑电源,包括壳体
、
风扇
、
接口和电路板,所述壳体侧面上设有风扇和接口,所述壳体内设有电路板,所述电路板上集成有大电流浪涌抑制电路,所述大电流浪涌抑制电路包括
MOS
管
VT1、
电容
、
电阻和二极管,所述
MOS
管
VT1
源极上接有电阻
R4
和电容
C3
,所述电阻
R4
和电容
C3
上并联接有电阻
R3
和二极管
D5
,所述电阻
R3 >和二极管
D5
上并联接有电容
C2
,所述电容
C2
上并联接有二极管
D3
和
D4
,所述二极管
D3
和
D4
上并联接有二极管
D1
和
D2
,所述二极管
D3
的正极通过电容
C1
与电源正极连接,所述二极管
D2
的负极通过电阻
R2
与电源负极连接,所述电容
C1
上并联接有电阻
R2
,所述
MOS
管
VT1
的栅极与电阻
R3
和
R4
连接
。
[0005]进一步地,所述电阻
R4
和电容
C3
串联,所述电阻
R3
和二极管
D5
串联,所述二极管
D3
和
D4
串联,所述二极管
D3
和
D4
串联,所述二极管
D1
和
D2
串联
。
[0006]进一步地,所述二极管
D5
采用稳压二极管
。
[0007]进一步地,所述电容
C2
为电解电容
。
[0008]本技术与现有技术相比的优点在于:
[0009]1、
电阻
R2
用来吸收浪涌电流,避免大电流对后端元件的损坏,从而应对应对瞬时超高功率;
[0010]2、
随着
R3、R4、D5
及
C2
组成的延时电路给
MOS
管
VT1
的栅极加电,使
MOS
管
VT1
的漏源极逐渐导通,从而有效减小了开机瞬间由输入端的容性滤波电路充电而产生的浪涌电流值
。
附图说明
[0011]图1为本技术的大电流浪涌抑制电路原理图
。
具体实施方式
[0012]下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚
、
完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例,而不是全部的实施例
。
基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围
。
[0013]需要说明的是,本技术实施例中所有方向性指示诸如上
、
下
、
左
、
右
、
前
、
后
……
仅用于解释在某一特定姿态如附图所示下各部件之间的相对位置关系
、
运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变
。
[0014]另外,在本技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量
。
由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征
。
在本技术的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定
。
[0015]为了使本技术的目的
、
技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进行进一步的详细说明
。
应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术,并不用于限定技术
。
[0016]现在结合说明书附图对本技术做进一步的说明
。
[0017]结合附图1,所述电路板上集成有大电流浪涌抑制电路,所述大电流浪涌抑制电路包括
MOS
管
VT1、
电容
、
电阻和二极管,所述
MOS
管
VT1
源极上接有电阻
R4
和电容
C3
,所述电阻
R4
和电容
C3
上并联接有电阻
R3
和二极管
D5
,所述电阻
R3
和二极管
D5
上并联接有电容
C2
,所述电容
C2
上并联接有二极管
D3
和
D4
,所述二极管
D3
和
D4
上并联接有二极管
D1
和
D2
,所述二极管
D3
的正极通过电容
C1
与电源正极连接,所述二极管
D2
的负极通过电阻
R2
与电源负极连接,所述电容
C1
上并联接有电阻
R2
,所述
MOS
管
VT1
的栅极与电阻
R3
和
R4
连接,所述电阻
R4
和电容
C3
串联,所述电阻
R3
和二极管
D5
串联,所本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种应对瞬时超高功率能力强的电脑电源,包括壳体
、
风扇
、
接口和电路板,所述壳体侧面上设有风扇和接口,所述壳体内设有电路板,其特征在于:所述电路板上集成有大电流浪涌抑制电路,所述大电流浪涌抑制电路包括
MOS
管
VT1、
电容
、
电阻和二极管,所述
MOS
管
VT1
源极上接有电阻
R4
和电容
C3
,所述电阻
R4
和电容
C3
上并联接有电阻
R3
和二极管
D5
,所述电阻
R3
和二极管
D5
上并联接有电容
C2
,所述电容
C2
上并联接有二极管
D3
和
D4
,所述二极管
D3
和
D4
上并联接有二极管
D1
和
D2
,所述二极管
D3
的正极通过电容
C1
与电...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈国柱,林梅青,
申请(专利权)人:广州市以蓝电子实业有限公司,
类型:新型
国别省市:
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