场效应晶体管及其制造方法技术

一种场效应晶体管，具有：半导体衬底

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】场效应晶体管及其制造方法


[0001](
关联申请的相互参照
)
[0002]本申请是
2021
年6月
11
日申请的日本专利申请第
2021
－
098031
号的关联申请，基于该日本专利申请主张优先权，该日本专利申请中记载的全部内容作为构成本说明书的内容加以引用
。
[0003]本说明书公开的技术涉及场效应晶体管
。

技术介绍

[0004]日本特开
2009
－
194065
号
(
以下称作专利文献
1)
中公开的场效应晶体管具有从体
(body)
区域朝向下侧突出的
p
型的多个深层
。
各深层沿着与各沟槽交叉的方向延伸
。
各深层在与各沟槽平行的方向上隔开间隔配置
。
各深层从比各沟槽的下端靠上侧的位置延伸至比各沟槽的下端靠下侧的位置
。
根据该结构，耗尽层从各深层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种场效应晶体管，其特征在于，具有：半导体衬底
(12)
，在上表面设有多个沟槽
(20)
；栅极绝缘膜
(22)
，将上述沟槽的内表面覆盖；以及栅极电极
(24)
，配置在上述沟槽内，被上述栅极绝缘膜从上述半导体衬底绝缘；上述半导体衬底具有：多个
n
型的源极区域
(40)
；
p
型的体区域
(42)
；
n
型的漂移区域
(44)
；以及多个
p
型的耐压区域
(48)
；上述半导体衬底中的位于多个上述沟槽之间的各范围是沟槽间范围
(28)
；多个上述源极区域分别设在对应的上述沟槽间范围内，与对应的上述栅极绝缘膜相接；上述体区域跨各个上述沟槽间范围而延伸，在各个上述沟槽间范围内在上述源极区域的下侧与各个上述栅极绝缘膜相接；上述漂移区域从各个上述沟槽间范围内跨比各个上述沟槽靠下侧的范围而分布，在上述体区域的下侧与各个上述栅极绝缘膜相接；多个上述耐压区域设在各个上述沟槽间范围内；多个上述耐压区域配置为，构成多个沿与多个上述沟槽交叉的第1方向延伸的列
(49)
；在各个上述列内，多个上述耐压区域在上述第1方向上隔开间隔配置；多个上述列在与上述沟槽平行的第2方向上隔开间隔配置；各个上述耐压区域具有比上述体区域高的
p
型杂质浓度，从比各个上述沟槽的下端靠上侧延伸至比各个上述沟槽的上述下端靠下侧，从各个上述栅极绝缘膜隔开...

【专利技术属性】
技术研发人员：松浦佑一郎，
申请(专利权)人：株式会社电装，
类型：发明
国别省市：