一种boost升压电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种boost升压电路，属于电子技术领域，该方案设计boost升压电路中控制电路，其电路包括升压芯片U1、场效应管Q2、电容C1、电感L1、肖特基二极管D2、电容C4、电阻R3、电阻R4；升压芯片U1的管脚OUT通过电阻R4电性连接场效应管Q2的栅极，Q2电性连接肖特基二极管D2，肖特基二极管D2串联电阻R3电性连接电压输出端VOUT，升压芯片U1的管脚VIN串联电阻R6与电压输入端VIN电性连接，电压输入端VIN电性连接电感L1的一端，电感L1的另一端与肖特基二极管D2电性连接。本实用新型专利技术旨在解决现有技术中升压电路由于负载扰动使电压降低，电路由于负载带来压降损失的技术问题。负载带来压降损失的技术问题。负载带来压降损失的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
一种boost升压电路


[0001]本技术属于电子
，具体涉及一种boost升压电路。

技术介绍

[0002]升压电路，是利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高，有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。
[0003]现有技术有些升压电路由于负载扰动只会使电压降低，因此该电路由于负载带来压降损失，同时考虑到电感和是线性元件，那么过低的占空比得到的电压输出不稳定。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种boost升压电路。本技术旨在设计boost升压电路中控制电路，提过增加占空比来得到稳定的电压输出。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0006]一种boost升压电路，其特征在于，包括：升压芯片U1、场效应管Q2、电容C1、电感L1、肖特基二极管D2、电容C4、电阻R3、电阻R4；所述升压芯片U1的管脚OUT通过电阻R4电性连接场效应管Q2的栅极，所述Q2电性连接肖特基二极管D2，所述肖特基二极管D2串联电阻R3电性连接电压输出端VOUT，所述升压芯片U1的管脚VIN串联电阻R6与电压输入端VIN电性连接，所述电压输入端VIN电性连接电感L1的一端，所述电感L1的另一端与肖特基二极管D2电性连接。
[0007]作为本技术一种优选的方案，所述电压输入端VIN串联电容C1接地GND，所述电感L1与电阻R1、电阻R2、二极管D1并联，所述电阻R1依次串联电阻R2、二极管D1通过电阻R3与电压输出端VOUT电性连接,所述电阻R6串联电容C5接地GND，所述电压输入端VIN依次串联电阻R8、电阻R10接地GND。
[0008]作为本技术一种优选的方案，所述肖特基二极管D2与电阻R3的连接端串联电容C3接地GND，所述肖特基二极管D2与电感L1的连接端依次串联电容C11和电阻R18接地GND。
[0009]作为本技术一种优选的方案，所述场效应管Q2的漏极电性连接在肖特基二极管D2与电感L1的连接端，所述场效应管Q2的源极串联电阻R7接地GND。
[0010]作为本技术一种优选的方案，所述电阻R6串联电容C5接地GND，所述电压输入端VIN依次串联电阻R8、电阻R10接地GND。
[0011]作为本技术一种优选的方案，所述电阻R8和电阻R10的连接端电性连接三极管Q3的集电极，所述三极管Q3的基极串联电阻R17，所述电阻R17电性连接电阻R12后接地GND。
[0012]作为本技术一种优选的方案，所述升压芯片U1的管脚UVLO电性连接在三极管Q3的集电极，所述升压芯片U1的管脚COMP电性连接电容C8，所述电容C8与电容C10、电阻R13并联，所述电容C10与电阻R14并联，所述电容C8的另一端分别电性连接升压芯片U1的管脚
FB和电阻R15，所述电容C8和电阻R15的连接端电性连接电阻R16后接地GND，所述电阻R15串联电阻R19后电性连接在特基二极管D2与电阻R3的连接端。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0014]考虑到负载扰动只会使电压降低，因此本电路只需对电压升高以补偿由于负载带来的压降损失，同时考虑到电感和是线性元件，那么提过增加占空比，从而得到稳定的电压输出，本电路的输出电压调节基于电流模式控制，这不仅简化了环路补偿的设计，同时还能够提供固有输入电压前馈。
附图说明
[0015]附图用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本技术，并不构成对本技术的限制。在附图中：
[0016]图1为本技术一种boost升压电路图。
具体实施方式
[0017]下面将结合本技术实施例中的附图对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0018]实施例
[0019]请参阅图1，本技术提供以下技术方案：
[0020]一种boost升压电路，电路主要包括升压芯片U1、场效应管Q2、电容C1、电感L1、肖特基二极管D2、电容C4、电阻R3、电阻R4、三极管Q3，其中电容C1为输入滤波电容，电容C4为输出滤波电容，升压芯片U1的管脚OUT通过电阻R4电性连接场效应管Q2的栅极，Q2电性连接肖特基二极管D2，肖特基二极管D2串联电阻R3电性连接电压输出端VOUT，升压芯片U1的管脚VIN串联电阻R6与电压输入端VIN电性连接，电压输入端VIN电性连接电感L1的一端，电感L1的另一端与肖特基二极管D2电性连接。
[0021]电压输入端VIN串联电容C1接地GND，电感L1与电阻R1、电阻R2、二极管D1并联，电阻R1依次串联电阻R2、二极管D1通过电阻R3与电压输出端VOUT电性连接，肖特基二极管D2与电阻R3的连接端串联电容C3接地GND，肖特基二极管D2与电感L1的连接端依次串联电容C11和电阻R18接地GND,电阻R8和电阻R10的连接端电性连接三极管Q3的集电极，三极管Q3的基极串联电阻R17，电阻R17电性连接电阻R12后接地GND。
[0022]场效应管Q2的漏极电性连接在肖特基二极管D2与电感L1的连接端，场效应管Q2的源极串联电阻R7接地GND。
[0023]升压芯片U1的管脚UVLO电性连接在三极管Q3的集电极，升压芯片U1的管脚COMP电性连接电容C8，电容C8与电容C10、电阻R13并联，电容C10与电阻R14并联，电容C8的另一端分别电性连接升压芯片U1的管脚FB和电阻R15，其升压芯片U1管脚COMP为误差放大器补偿脚，管脚FB为误差放大器反相输入端，两引脚之间对应入RC补偿网络，改善误差放大器的性能，电容C8和电阻R15的连接端电性连接电阻R16后接地GND，其中电阻R15和电阻R16为反馈分压电阻，电阻R15串联电阻R19后电性连接在特基二极管D2与电阻R3的连接端，对于升压
芯片U1其他管脚，其RT\SYNC脚串联电阻R11接地GND，CS脚串联电阻R9再电性连接电容C7后接地GND，SS脚串联电容C9后接地GND。
[0024]具体应用时，在电压输入端VIN输入选定电压，继而通过升压芯片U1的调节，使得升压芯片U1的管脚OUT输出对应电平，当管脚OUT输出为高电平时，此时场效应管Q2导通，当管脚OUT输出为低电平时，此时场效应管Q2关闭，由于升压芯片U1的PWM控制器的原因，使得升压芯片U1的管脚OUT输出的高低电平呈周期性变化，所以就使得场效应管Q2所在的支路不停的导通与断开，由于其导通与断开的频率比较大，所以可以保持的稳定的电压输出。
[0025]最后应说明的是：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种boost升压电路，其特征在于，包括：升压芯片U1、场效应管Q2、电容C1、电感L1、肖特基二极管D2、电容C4、电阻R3、电阻R4；所述升压芯片U1的管脚OUT通过电阻R4电性连接场效应管Q2的栅极，所述Q2电性连接肖特基二极管D2，所述肖特基二极管D2串联电阻R3电性连接电压输出端VOUT，所述升压芯片U1的管脚VIN串联电阻R6与电压输入端VIN电性连接，所述电压输入端VIN电性连接电感L1的一端，所述电感L1的另一端与肖特基二极管D2电性连接。2.根据权利要求1所述的一种boost升压电路，其特征在于，所述电压输入端VIN串联电容C1接地GND，所述电感L1与电阻R1、电阻R2、二极管D1并联，所述电阻R1依次串联电阻R2、二极管D1通过电阻R3与电压输出端VOUT电性连接。3.根据权利要求1所述的一种boost升压电路，其特征在于，所述肖特基二极管D2与电阻R3的连接端串联电容C3接地GND，所述肖特基二极管D2与电感L1的连接端依次串联电容C11和电阻R18接地GND。4.根据权利要求3所述的一种boost升压电路...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，
申请(专利权)人：上海威丁电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：