透明导电性膜的制造方法技术

本发明专利技术提供能够以低成本且短时间内制造透明导电性膜的方法。本发明专利技术的透明导电性膜的制造方法包含：在基材的表面上涂饰金属纳米丝涂饰液的工序A；在基材的背面上涂饰金属纳米丝涂饰液的工序B；在工序A及工序B之后、在基材的表面上涂饰保护层形成用组合物的工序C；以及在基材的背面上涂饰保护层形成用组合物的工序D。工序D。工序D。

【技术实现步骤摘要】
透明导电性膜的制造方法


[0001]本专利技术涉及透明导电性膜的制造方法。

技术介绍

[0002]近年来提出了一种透明导电性膜，其为在触摸传感器的电极等中使用的透明导电性膜，其作为实现了弯曲性提高的透明导电性膜而具备包含金属纳米丝的导电层。在这种透明导电性膜的制造中，也有制造时使用的金属纳米丝涂饰液昂贵的情况，寻求制造成本的减少。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特表2009
‑
505358号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的技术问题
[0007]本专利技术为了解决上述技术问题而完成，其目的在于提供能够以低成本且在短时间内制造透明导电性膜的方法。
[0008]用于解决技术问题的手段
[0009]本专利技术的透明导电性膜的制造方法包含：在基材的表面上涂饰金属纳米丝涂饰液的工序A；在基材的背面上涂饰金属纳米丝涂饰液的工序B；在工序A及工序B之后、在基材的表面上涂饰保护层形成用组合物的工序C；以及在基材的背面上涂饰保护层形成用组合物的工序D。
[0010]在一个实施方式中，上述制造方法包含在上述工序A的上述金属纳米丝涂饰之后、在通过所述涂饰形成的涂饰层上配置保护膜。
[0011]在一个实施方式中，上述制造方法包含在上述工序B的上述金属纳米丝涂饰之后、在通过所述涂饰形成的涂饰层上配置保护膜。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本专利技术，可以提供能够以低成本且短时间内制造透明导电性膜的方法。
附图说明
[0014]图1为说明本专利技术一个实施方式的透明导电性膜的制造方法的图。
[0015]图2为本专利技术一个实施方式的透明导电性膜的示意截面图。
[0016]符号说明
[0017]10 基材
[0018]20 导电层
[0019]21金属纳米丝(层)
[0020]22 保护层
[0021]100 透明导电性膜
具体实施方式
[0022]A.透明导电性膜的制造方法
[0023]图1为说明本专利技术一个实施方式的透明导电性膜的制造方法的图。本专利技术的透明导电性膜的制造方法包含：在基材10的表面11上涂饰金属纳米丝涂饰液的工序A；在基材10的背面12上涂饰金属纳米丝涂饰液的工序B；在工序A及工序B之后、在基材10的表面11上涂饰保护层形成用组合物的工序C；以及在基材10的背面12上涂饰保护层形成用组合物的工序D。
[0024]通过这种制造方法，可以获得在基材10的两个面上形成了包含金属纳米丝层21和保护层22的导电层的透明导电性膜100。代表性地，上述制造方法使用单一的涂饰机进行。例如，将在使用规定涂饰机进行的工序A中获得的中间品再次通入至该涂饰机中进行工序B。进而，将在工序B中获得的中间体通入至该涂饰机中进行工序C。进而，将在工序C中获得的中间体通入至该涂饰机中进行工序D。
[0025]工序A和工序B可以按此顺序进行，也可以在工序B之后进行工序A。另外，工序C和工序D可以按此顺序进行，也可以在工序D之后进行工序C。此外，本说明书中，“表面”及“背面”主要是为了使说明变得明了为了方便所使用的用语，请注意并不用这些用语来规定工序内的基材的配置、透明导电性膜的使用方法等。
[0026]本专利技术中，在基材的两个面上涂饰金属纳米丝涂饰液，之后在基材的两个面上涂饰保护层形成用组合物，使涂饰机的重组(涂饰液的变更)次数仅为1次(工序B与工序C之间)，可以获得在两个面上具备导电层的透明导电性膜。这种本专利技术中，可以减少涂饰液的浪费，另外可以减少涂饰机的重组(涂饰液的变更)所需要的时间。结果，与以往的方法、即在基材的一个面上涂饰金属纳米丝涂饰液和保护层形成用组合物来形成第一导电层之后、在基材的另一个面上涂饰金属纳米丝涂饰液和保护层形成用组合物来形成第二导电层、从而获得透明导电性膜的方法(涂饰液的变更、3次)相比，可以减少制造成本，另外可以减少制造所花费的时间。
[0027]A
‑
1.工序A
[0028]工序A中，如上所述，在基材10的表面11上涂饰金属纳米丝涂饰液。由此形成金属纳米丝层21。优选上述基材为长条状，工序A以所谓的卷对卷工艺进行。上述基材代表性地由任意适当的树脂构成。作为构成上述基材的树脂，例如可举出环烯烃系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚偏氯乙烯系树脂、聚氯乙烯系树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯系树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯系树脂等。优选使用环烯烃系树脂。若使用由环烯烃系树脂构成的基材，则可以获得弯曲性优异的透明导电性膜。
[0029]作为上述环烯烃系树脂，例如可优选使用聚降冰片烯。聚降冰片烯是指起始原料(单体)的一部分或全部使用具有降冰片烯环的降冰片烯系单体而获得的(共)聚合物。作为上述聚降冰片烯，市售有各种产品。作为具体例，可举出日本ZEON公司制的商品名“Zeonex”、“Zeonor”、JSR公司制的商品名“Arton”、TICONA公司制的商品名“Topas”、三井化学公司制的商品名“APEL”。
[0030]构成上述基材的树脂的玻璃化转变温度优选为50℃～200℃、更优选为60℃～180
℃、进一步优选为70℃～160℃。若为具有这种范围的玻璃化转变温度的基材，则可以防止形成导电层时的劣化。
[0031]上述基材的厚度优选为8μm～500μm、更优选为10μm～250μm、进一步优选为10μm～150μm、特别优选为15μm～100μm。
[0032]上述基材的总光线透过率优选为80％以上、更优选为85％以上、特别优选为90％以上。若为这种范围，则可获得作为触摸面板等中具备的透明导电性膜优选的透明导电性膜。
[0033]上述基材可以根据需要进一步包含任意适当的添加剂。作为添加剂的具体例，可举出增塑剂、热稳定剂、光稳定剂、润滑剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、阻燃剂、着色剂、防静电剂、相容剂、交联剂、以及增粘剂等。所使用的添加剂的种类及量可以根据目的适当设定。
[0034]上述金属纳米丝涂饰液包含金属纳米丝。上述金属纳米丝是指材质为金属、形状为针状或线状、直径为纳米尺寸的导电性物质。金属纳米丝可以是直线状的，也可以是曲线状的。若使用由金属纳米丝构成的导电层，则金属纳米丝变为网眼状，通过分别将其接合，可以形成良好的导电通路，可以获得电阻小的透明导电性膜。
[0035]上述金属纳米丝的粗细d与长度L之比(长宽比：L/d)优选为10～100,000、更优选为50～100,000、特别优选为100～10,000。若使用长宽比如此大的金属纳米丝，则金属纳米丝良好地交叉，利用少量的金属纳米丝即可表现高导电性。结果可以获得透光率高的透明导电性膜。此外，本说明书中“金属纳米丝的粗细”在金属纳米丝的截面为圆状时是指其直径，在为椭圆状时是指其短径，为多边形时是指最长的对角线。金属纳米丝的粗细和长度可以通过扫描型电子显微镜或透射型电子显微镜进行确认。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种透明导电性膜的制造方法，其包含：在基材的表面上涂饰金属纳米丝涂饰液的工序A；在基材的背面上涂饰金属纳米丝涂饰液的工序B；在工序A及工序B之后、在基材的表面上涂饰保护层形成用组合物的工序C；以及在基材的背面上涂饰保护层形成用组合物的工序D。2.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：八仓崇大，茂手木佑辅，长濑纯一，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：