硅麦克风的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种硅麦克风的制造方法，该方法包括如下步骤：提供一个半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；在半导体衬底的第一表面掺杂形成杂质层；在杂质层上淀积牺牲层；在牺牲层上淀积薄膜层；使用刻蚀技术对薄膜层图案化；用氢氟酸稀释溶液释放整个结构，得到硅麦克风。通过本发明专利技术的硅麦克风的制造方法得到的硅麦克风灵敏度高、一致性好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种硅麦克风的制造方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：步骤一：提供一个半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；步骤二：在半导体衬底的第一表面掺杂形成杂质层；步骤三：在杂质层上淀积牺牲层；步骤四：在牺牲层上淀积薄膜层；步骤五：使用刻蚀技术对薄膜层图案化；步骤六：用氢氟酸稀释溶液释放整个结构，得到硅麦克风。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，颜毅林，
申请(专利权)人：瑞声声学科技深圳有限公司，瑞声微电子科技常州有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]