麦克风的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种麦克风的制造方法，该方法包括如下步骤：提供一个第一单晶硅衬底，在第一单晶硅衬底的表面分别形成第一刻蚀阻挡层和第一多晶硅；图案化第一多晶硅并在其上沉积键合层；提供一个第二单晶硅衬底，在第二单晶硅衬底的表面分别形成第二刻蚀阻挡层和第二多晶硅；将第一单晶硅衬底的键合层与第二多晶硅高温键合；分别在第一、第二单晶硅衬底的另一个表面沉积二氧化硅；在二氧化硅上沉积光刻胶并将光刻胶图案化；使二氧化硅图案化；刻蚀第一、第二单晶硅衬底，再去除所述光刻胶；释放整个结构，得到麦克风。通过本发明专利技术的麦克风的制造方法得到的麦克风灵敏度高、一致性好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种麦克风的制造方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：步骤一：提供一个第一单晶硅衬底，所述第一单晶硅衬底包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，在第一单晶硅衬底的第一表面形成第一刻蚀阻挡层；步骤二：在第一刻蚀阻挡层上沉积第一多晶硅；步骤三：使用光刻技术对第一多晶硅进行图案化；步骤四：在第一多晶硅上沉积键合层；步骤五：提供一个第二单晶硅衬底，所述第二单晶硅衬底包括第三表面和与第三表面相对的第四表面，首先在第二单晶硅衬底的第三表面形成第二刻蚀阻挡层；其次在第二刻蚀阻挡层上沉积第二多晶硅；再次使用光刻技术在第二多晶硅上形成若干声学孔；步骤六：将第一单晶硅衬底与第二单晶硅衬底高温键合，使第一单晶硅衬底的键合层与第二单晶硅衬底的第二多晶硅结合在一起；步骤七：通过抛光工艺分别对第一单晶硅衬底的第二表面和第二单晶硅衬底的第四表面进行加工，再分别在第一单晶硅衬底的第二表面和第二单晶硅衬底的第四表面沉积二氧化硅；步骤八：在所述二氧化硅上沉积光刻胶并将光刻胶图案化；步骤九：利用反应离子刻蚀所述二氧化硅，使二氧化硅图案化；步骤十：利用深反应离子刻蚀第一、第二单晶硅衬底，再去除所述光刻胶；步骤十一：用氢氟酸稀释溶液释放整个结构，得到麦克风。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨斌，
申请(专利权)人：瑞声声学科技深圳有限公司，瑞声微电子科技常州有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]