用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法技术

本公开提供一种制造显示设备的方法和一种用于制造显示设备的设备，所述方法包括通过利用氢氟酸气体和氨气去除在基底的表面上形成的氧化物层，以及对已经去除了所述氧化物层的所述基底进行热处理。所述氢氟酸气体和所述氨气之间的流量比是大约0.8∶1至大约1∶1。氨气之间的流量比是大约0.8∶1至大约1∶1。氨气之间的流量比是大约0.8∶1至大约1∶1。

【技术实现步骤摘要】
用于制造显示设备的设备和制造显示设备的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年6月7日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0069144号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用合并于本文中。


[0003]本公开的实施例涉及一种用于制造显示设备的设备和一种制造显示设备的方法。

技术介绍

[0004]显示设备可视化地显示数据。显示设备用作诸如移动电话的小型产品的显示器，或者用作诸如电视机的大型产品的显示器。
[0005]显示设备包括接收电信号并发光以向外部显示图像的多个像素。多个像素中的每一者包括显示元件。例如，在有机发光显示设备的情况下，每个像素包括有机发光二极管(OLED)作为显示元件。通常，有机发光显示设备包括形成在基底上的薄膜晶体管和作为显示元件的OLED，并且OLED本身发光。
[0006]显示设备的应用已经多样化，并且已经进行一种或多种用于改善显示设备质量的适当的设计工作。

技术实现思路

[0007]实施例的方面针对一种用于制造显示设备的设备和一种制造显示设备的方法，通过该设备和方法可以有效地去除氧化物层而不产生诸如水印的杂质。然而，根据本公开的实施例的方面不限于此，并且以上特征不限制根据本公开的实施例的范围。
[0008]附加的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分将从描述显而易见，或者可以通过本公开所呈现的实施例的实践得知。
[0009]根据一个或多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：通过利用氢氟酸气体(hydrofluoric acid gas)和氨气去除在基底的表面上形成的氧化物层的蚀刻操作，以及对已经去除了氧化物层的基底进行热处理的热处理操作。在蚀刻操作中的氢氟酸气体和氨气之间的流量比是大约0.8∶1至大约1∶1。
[0010]在蚀刻操作中可以通过成盐反应去除氧化物层。
[0011]在蚀刻操作中可以通过成盐反应形成盐。
[0012]在热处理操作中可以通过盐分解反应去除形成的盐。
[0013]蚀刻操作可以在第一室中执行，并且热处理操作可以在第二室中执行。
[0014]氢氟酸气体和氨气可以单独地供应到第一室。
[0015]喷头可以布置在第一室内，并且氢氟酸气体和氨气可以在喷头内或者在喷头正上方混合。
[0016]喷头和覆盖喷头的顶部并支撑喷头的侧表面的引导件可以布置在第一室内，并且氢氟酸气体和氨气可以在引导件内混合或者在引导件和喷头之间混合。
[0017]蚀刻操作可以在大约30℃至大约40℃的温度下执行。
[0018]蚀刻操作可以在大约400mTorr(毫托)至大约600mTorr的工艺压力下执行。
[0019]热处理操作可以在大约150℃至大约350℃的温度下执行。
[0020]根据一个或多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：通过向其上形成有氧化物层的基底提供氢氟酸
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氨混合气体来去除氧化物层的蚀刻操作，以及对已经去除了氧化物层的基底进行热处理的热处理操作。热处理操作在大约150℃至大约350℃的温度下执行。
[0021]蚀刻操作可以在大约30℃至大约40℃的温度下执行。
[0022]蚀刻操作可以在大约400mTorr至大约600mTorr的工艺压力下执行。
[0023]在蚀刻操作中的氢氟酸气体和氨气之间的流量比可以是大约0.8∶1至大约1∶1。
[0024]氢氟酸气体和氨气可以单独地供应到第一室。
[0025]喷头可以布置在第一室内，并且氢氟酸气体和氨气可以在喷头内或者在喷头正上方混合。
[0026]喷头和覆盖喷头的顶部并支撑喷头的侧表面的引导件可以布置在第一室内，并且氢氟酸气体和氨气可以在引导件内混合或者在引导件和喷头之间混合。
[0027]在蚀刻操作中可以通过成盐反应去除氧化物层，并且可以通过成盐反应形成盐。
[0028]在热处理操作中可以通过盐分解反应去除形成的盐。
[0029]根据一个或多个实施例，一种用于制造显示设备的设备包括：第一室，在第一室中处理基底；第一供应管线，将氢氟酸气体和氨气单独地供应到第一室的内部；第一喷头，配置为向基底喷射从第一供应管线接收的氢氟酸气体和氨气；第一气体扩散板，布置在第一供应管线和第一喷头之间；以及台，基底安置在台上。
[0030]第一供应管线可以包括第一子供应管线和第二子供应管线，第一子供应管线可以将氢氟酸气体供应到第一室的内部，并且第二子供应管线可以将氨气供应到第一室的内部。
[0031]氢氟酸气体和氨气可以在第一喷头内或者在第一喷头正上方混合。
[0032]用于制造显示设备的设备还可以包括第一压力调节器，第一压力调节器配置为调节第一室的内压力。
[0033]用于制造显示设备的设备还可以包括：冷却板，布置在台上方或台下方；以及上加热器，布置在第一室内。
[0034]上加热器可以提供在第一室的顶部上。
[0035]上加热器可以将氢氟酸气体加热到大约60℃至大约100℃的温度。
[0036]用于制造显示设备的设备还可以包括：第二室，在第二室中对基底执行热处理；第二供应管线，配置为将气体供应到第二室；以及基座，布置在第二室内并且配置为支撑基底。
[0037]基座可以包括加热器，加热器用于加热基底。
[0038]基座可以提供为能够上下移动。
[0039]从对实施例的以下描述、权利要求和附图中，这些和/或其他方面将变得显而易见并且更容易理解。
附图说明
[0040]从以下结合附图的描述中，本公开的特定实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加明显，在附图中：
[0041]图1是根据实施例的显示设备的示意性平面图；
[0042]图2是根据实施例的显示设备的示意性截面图；
[0043]图3至图5是示意性示出根据实施例的制造显示设备的方法的截面图；
[0044]图6和图7是示意性示出根据实施例的用于制造显示设备的设备的截面图，该设备在制造显示设备的方法中使用；
[0045]图8是示出根据实施例的蚀刻操作中的残留氟量测量结果相对于基底温度的曲线图；
[0046]图9是示出根据实施例的蚀刻操作中的残留氟量测量结果相对于氢氟酸气体和氨气之间的流量比的曲线图；
[0047]图10是示出根据实施例的蚀刻操作中的残留氟量测量结果相对于工艺压力的曲线图；以及
[0048]图11是示出根据实施例的热处理操作中的残留氟量测量结果相对于热处理温度的曲线图。
具体实施方式
[0049]现在将更详细参照在附图中示出其示例的实施例，在附图中全文同样的附图标记指示同样的元件，并且可以不提供对同样的元件的重复描述。就此而言，本实施例可以具有不同的形式并且不应当被解释为限于本文中阐述的描述。相应地，仅通过参照附图来描述实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造显示设备的方法，其中，所述方法包括：通过利用氢氟酸气体和氨气去除在基底的表面上形成的氧化物层；以及对已经去除了所述氧化物层的所述基底进行热处理，其中，所述氢氟酸气体和所述氨气之间的流量比是0.8∶1至1∶1。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述氧化物层的所述去除期间，通过成盐反应去除所述氧化物层。3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述氧化物层的所述去除期间，通过所述成盐反应形成盐。4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述基底的所述热处理期间，通过盐分解反应去除形成的所述盐。5.根据权利要求1所述的方法，其中，在第一室中执行所述氧化物层的所述去除，并且在第二室中执行所述基底的所述热处理。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述氢氟酸气体和所述氨气单独地供应到所述第一室。7.根据权利要求6所述的方法，其中，喷头布置在所述第一室内，并且所述氢氟酸气体和所述氨气在所述喷头内混合或者在供应到所述喷头之前混合。8.根据权利要求6所述的方法，其中，喷头和覆盖所述喷头的顶部并支撑所述喷头的侧表面的引导件布置在所述第一室内，并且所述氢氟酸气体和所述氨气在所述引导件内混合，或者在供应到所述引导件中之后并且在供应到所述喷头之前混合。9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物层的所述去除在30℃至40℃的温度下执行。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述氧化物层的所述去除在400mTorr至600mTorr的工艺压力下执行。11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基底的所述热处理在150℃至350℃的温度下执行。12.一种制造显示设备的方法，其中，所述方法包括：通过向其上形成有氧化物层的基底提供氢氟酸
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氨混合气体来去除所述氧化物层；以及对已经去除了所述氧化物层的所述基底进行热处理，其中，所述基底的所述热处理在150℃至350℃的温度下执行。13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述氧化物层的所述去除在30℃至40℃的温度下执行。14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述氧化物层的所述去除在400mTorr至600mTorr的工艺压力下执行。15.根据权利要求12所述的方法，其中，氢氟酸气体和氨气之间的流量比是0.8∶1至1∶1。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述氢氟酸气体和所述氨气单独地供应到第一室。17.根据权利要求16所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵国来，金炯式，曹雨辰，李钟淳，李洪宰，金圭祥，金善正，马熙铨，朴元一，卞杞天，李愚嗔，
申请(专利权)人：TES股份有限公司LTC有限公司，
类型：发明
国别省市：