基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法，属于发光二极管技术领域；基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管包括从下至上依次包括：

【技术实现步骤摘要】
基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于发光二极管
，具体涉及基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管及其制备方法
。

技术介绍

[0002]溶液处理的金属卤化物钙钛矿由于其宽色域
、
高色纯度
、
可调谐的发射波长
、
平衡的电子
/
空穴传输等，在发光二极管中的应用引起了人们的广泛关注
。
尽管金属卤化物钙钛矿对缺陷非常耐受，但溶液处理的钙钛矿发光二极管中的缺陷仍然导致严重的非辐射复合和器件不稳定性
。
[0003]一方面，为了降低卤化物阴离子缺陷的密度，可以使用更热稳定的长链有机铵来代替挥发性甲基铵或甲铵，以抑制有机铵空位的产生；由于氟和
FA
离子之间的强键合，添加氟化钠也被证明是抑制卤化物缺陷形成的有效方法
。
另一方面，为了降低钙钛矿
ABX3中的
B
位阳离子缺陷，可以适当引入不同的有机小分子，包括准
2D
钙钛矿的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管，其特征在于，从下至上依次包括：
ITO
导电玻璃
、
空穴注入层
、
空穴传输层
、
非铅钙钛矿发光层
、
电子传输层
、
电极修饰层和金属电极；所述非铅钙钛矿发光层由经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液旋涂于空穴传输层表面；经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液由
PEA、PFMA
阳离子中的任意一种以及
EDA、PEI、TFA
阴离子中的任意一种，通过与
CsI、CuI、CsCl、CuCl、CsBr、CuBr
中的任意两种固体，以
0.1
‑
0.8M
的浓度溶解于
N,N
‑
二甲基甲酰胺
、
二甲基亚砜中的一种或两种而配置得到
。2.
根据权利要求1所述的基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述经过双重钝化后的非铅钙钛矿前驱体溶液中，阳离子占总溶液固体质量的百分比为
0.3
‑5％，阴离子占总溶液固体质量的百分比为
0.6
‑8％
。3.
根据权利要求2所述的基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层是由空穴注入层溶液旋涂在
ITO
导电玻璃表面形成；空穴注入层溶液为
PEDOT:PSS
水分散溶液，浓度为
1.3
‑
1.7wt.
％
。4.
根据权利要求3所述的基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层是由空穴传输层溶液，旋涂在空穴注入层表面形成；空穴传输层溶液由
Poly
‑
TPD、PVK、TFB、F8BT、PFOBPA、CBP、TCTA
中的任意一种固体，以1‑
50mg/mL
的浓度，溶解于氯苯
、
氯仿和正辛烷中的任意一种溶剂而制备得到
。5.
根据权利要求1所述的基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述
ITO
导电玻璃的厚度为
50
‑
200nm
，空穴注入层的厚度为
10
‑
100nm
，空穴传输层的厚度为
10
‑
100nm
，非铅钙钛矿发光层的厚度为
50
‑
200nm
，电子传输层的厚度为
10
‑
100nm
，电极修饰层的厚度为
0.1
‑
10nm
，金属电极的厚度为
50
‑
150nm。6.
权利要求4所述的基于双重钝化策略的非铅钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1
，使用无尘布将
ITO
导电玻璃擦净后，分别采用洗洁精
、
去离子水
、
乙醇
、
异丙醇超声清洗5‑
30
分钟；
S2
，将清洗后的
ITO
导电玻璃吹干，然后使用氩等离子机处理
10
‑
30
分钟；
S3
，将
50
‑
200uL
的空穴注入层溶液...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛磊，高正浩，魏宇炀，韩杰炜，王柄淇，潘江涌，汪丽茜，
申请(专利权)人：南京信息工程大学，
类型：发明
国别省市：