温度传感器的制造技术

本发明专利技术提供了一种温度传感器的

【技术实现步骤摘要】
温度传感器的CTAT/PTAT电压生成电路、温度传感器


[0001]本专利技术涉及温度测量
，具体涉及一种温度传感器的
CTAT/PTAT
电压生成电路
、
采用电压校准的
CMOS
温度传感器以及用于冷冻离心机的温度校准装置
。

技术介绍

[0002]医用冷冻离心机是实验室仪器，专门用于冷冻保存生物样本，如细胞
、
组织
、
血液温度传感器的
CTAT/PTAT
电压生成电路诊断
。
医用冷冻离心机的低温保存有助于保持储存样品的活力
、
完整性和功能，最大限度地减少细胞损伤，防止退化，并确保其长期质量
。
医用冷冻离心机广泛用于医学的各个领域，包括细胞和组织培养
、
血液银行
、
药物研究
、
基因研究和生物银行
。
它们是实验室
、
研究机构和临床环境中的重要工具，有助于储存宝贵的生物样本，这些样本对于推进本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种温度传感器的
CTAT/PTAT
电压生成电路，其特征在于，包括：第一
MOS
管
、
第二
MOS
管
、
第三
MOS
管
、
第四
MOS
管
、
第五
MOS
管
、
第一电阻和第二电阻；所述第一
MOS
管和所述第二
MOS
管工作在亚阈值区；所述第一
MOS
管和所述第二
MOS
管的栅极共接，所述第一
MOS
管的源极通过所述第一电阻连接于参考地，所述第二
MOS
管的源极连接于参考地；所述第三
MOS
管和所述第四
MOS
管的栅极共接，所述第三
MOS
管的漏极连接于所述第二
MOS
管的漏极，所述第四
MOS
管的漏极连接于所述第一
MOS
管的漏极；所述第二
MOS
管的栅极和漏极短接，所述第四
MOS
管的栅极和漏极短接；所述第三
MOS
管
、
所述第四
MOS
管和所述第五
MOS
管源极连接于电压源；所述第五
MOS
管的栅极连接于所述第四
MOS
管的栅极，所述第五
MOS
管的漏极通过所述第二电阻连接于参考地；所述第二电阻与所述第五
MOS
管的漏极之间引出第一电压输出端输出
PTAT
电压；所述第二
MOS
管的漏极与所述第三
MOS
管的漏极之间引出第二电压输出端输出
CTAT
电压
。2.
如权利要求1所述的温度传感器的
CTAT/PTAT
电压生成电路，其特征在于，所述
CTAT/PTAT
电压生成电路还包括：第六
MOS
管，第七
MOS
管
、
第八
MOS
管
、
第九
MOS
管
、
第十
MOS
管和第十一
MOS
管；所述第一
MOS
管的漏极连接于所述第十
MOS
管的源极，所述第二
MOS
管的漏极连接于所述第九
MOS
管的源极；所述第十
MOS
管的栅极和所述第九
MOS
管的栅极共接；所述第十
MOS
管的漏极连接于所述第七
MOS
管的漏极；所述第九
MOS
管的漏极连接于所述第六
MOS
管的漏极；所述第七
MOS
管的源极连接于所述第四
MOS
管的漏极和栅极，以及连接于所述第六
MOS
管的栅极；所述第六
MOS
管的源极连接于所述第三
MOS
管的漏极；所述第六
MOS
管的栅极
、
所述第四
MOS
管的栅极和所述第三
MOS
管的栅极共接；所述第五
MOS
管的漏极连接于所述第八
MOS
管的源极，所述第八
MOS
管的栅极连接于所述第七
MOS
管的栅极，所述第八
MOS
管的漏极通过所述第二电阻连接于所述参考地；所述第八
MOS
管的漏极还连接于所述第十一
MOS
管的漏极，所述第十一
MOS
管的栅极连接于所述第一
MOS
管的栅极，所述第十一
MOS
管的源极连接于所述参考地；所述第九
MOS
管的栅极和漏极短接，所述第七
MOS
管的栅极和漏极短接；所述第二电阻与所述第八
MOS
管的漏极
、
所述第十一
MOS
管的漏极共接处引出所述第一电压输出端；所述第九
MOS
管...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏航，李夏蕾，林诗川，
申请(专利权)人：广东省汕尾市质量计量监督检测所，
类型：发明
国别省市：