【技术实现步骤摘要】
药液、药液的制造方法、基板的处理方法
[0001]本申请是申请人提交的申请号为
201980011921.9、
专利技术名称为“药液
、
药液的制造方法
、
基板的处理方法”的申请的分案申请
。
母案申请日为
2019
年1月
18
日,最早优先权日为
2018
年2月5日
。
[0002]本专利技术涉及一种药液
、
药液的制造方法及基板的处理方法
。
技术介绍
[0003]在半导体产品的微细化进程中,对高效且高精度地实施半导体产品制造步骤中的去除基板上的不必要的过渡金属含有物的工序的需求逐渐提高
。
[0004]专利文献1中记载有“一种基板处理方法,其特征在于,包括去除工序,该去除工序对形成有含钌膜的基板,通过去除液而去除粘附于基板的形成有含钌膜的表面的外缘部和
/
或背面的钌粘附物,去除液相对于去除液的总质量包含
0.05
~8质量%的正高碘酸,去除液的
pH
为
3.5
以下
(
权利要求
1)”。
[0005]以往技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特开
2016
‑
092101
号公报
技术实现思路
[0008]专利技术要解决的技术课题
[0009]另 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种药液,其包含:选自由高碘酸及其盐组成的组中的一种以上的高碘酸类;选自由
Ti
及
Zr
组成的组中的一种以上的第1金属成分;及水,所述药液包含一种第1金属成分时,所述一种第1金属成分的含量相对于所述高碘酸类总质量为1质量
ppt
~
100
质量
ppm
,所述药液包含两种第1金属成分时,所述两种第1金属成分的含量分别相对于所述高碘酸类总质量为
100
质量
ppm
以下,所述两种第1金属成分中的至少一种成分的含量相对于所述高碘酸类总质量为1质量
ppt
以上
。2.
根据权利要求1所述的药液,其中,所述药液包含一种第1金属成分时,所述一种第1金属成分的含量相对于所述高碘酸类总质量为1质量
ppb
~
100
质量
ppb
,所述药液包含两种第1金属成分时,所述两种第1金属成分的含量分别相对于所述高碘酸类总质量为
100
质量
ppb
以下,所述两种第1金属成分中的至少一种成分的含量相对于所述高碘酸类总质量为1质量
ppb
以上
。3.
根据权利要求1或2所述的药液,其还包含
pH
调节剂
。4.
根据权利要求1或2所述的药液,所述药液的
pH
为
4.0
~
9.0。5.
根据权利要求1或2所述的药液,所述药液的
pH
为
7.5
~
10.0。6.
根据权利要求1或2所述的药液,其中,所述高碘酸类的含量相对于所述药液的总质量为
0.0001
质量%~
50
质量%
。7.
根据权利要求1或2所述的药液,其还包含选自由
Al、Ag、B、Ba、Ca、Cd、Co、Cr、Cu、Fe、K、Li、Mg、Mn、Na、Ni、Pb、Ru、Sn
及
Zn
组成的组中的一种以上的第2金属成分,所述药液包含一种第2金属成分时,所述一种第2金属成分的含量相对于所述高碘酸类总质量为1质量
ppt
~
100
质量
ppm
,所述药液包含两种以上的第2金属成分时,所述两种以上的第2金属成分的含量分别相对于所述高碘酸类总质量为
100
质量
ppm
以下,所述两种以上的第2金属成分中的至少一种成分的含量相对于所述高碘酸类总质量为1质量
ppt
以上
。8.
根据权利要求1或2所述的药液,其还包含铵离子,所述铵离子的含量相对于所述高碘酸类总质量为1质量
ppt
~
100
质量
ppm。9.
根据权利要求1或2所述的药液,其还包含选自由
I
‑
、I3‑
、IO3‑
、Br
‑
、Cl
‑
、NO3‑
、
硫酸根离子
、
亚硫酸根离子
、
磷酸根离子及亚磷酸根离子组成的组中的一种以上的阴离子种,所述药液包含一种阴离子种时,所述一种阴离子种的含量相对于所述高碘酸类总质量为1质量
ppt
~
100
质量
ppm
,所述药液包含两种以上的阴离子种时,所述两种以上的阴离子种的含量分别相对于所述高碘酸类总质量为
100
质量
ppm
以下,所述两种以上的阴离子种中的至少一种阴离子种的含量相对于所述高碘酸类总质量为1质量
ppt
以上...
【专利技术属性】
技术研发人员:杉村宣明,高桥智威,关裕之,水谷笃史,
申请(专利权)人:富士胶片株式会社,
类型:发明
国别省市:
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