在物理设计前期检测动态电压降的方法及相关设备技术

本申请提供一种在物理设计前期检测动态电压降的方法及相关设备，在芯片物理实现的初期，电子设备根据芯片中设置的各元器件在其对应的工作条件下产生的峰值电流

【技术实现步骤摘要】
在物理设计前期检测动态电压降的方法及相关设备


[0001]本申请涉及但不限定于一种在物理设计前期检测动态电压降的方法及相关设备
。

技术介绍

[0002]芯片中设有多个逻辑门，信号从逻辑门前端传到后端时会产生电压降，动态电压降就是逻辑门生成的电信号发生翻转的时候产生的电流以及其对应的电阻的乘积
。
在芯片设计的物理实现中，每个逻辑门有其自身对应的允许电压降范围，超出该允许电压降范围会影响后面逻辑门的运行，从而影响芯片功能的正常实现
。
因此，需要检测出芯片中可能存在超出电压降范围的情况来提高芯片生产的准确性
。
[0003]现有技术中，需要在芯片的物理实现结束之后才可以对芯片的动态电压降进行检测，导致芯片的物理实现周期长，时间成本高，在芯片检测过程中，若检测到芯片中存在的问题时，需要进行对应的解决措施，包括但不限于部分或全部芯片的重新设计
、
芯片的再生产，上述解决措施均需要时间成本
。
[0004]由于芯片的截止时间的限制，因此在芯片的开发周期中，在芯片设计周期的后期才发现并解决问题，会导致实际应用于解决问题的时间短，从而影响项目进度，不利于提高芯片最终设计质量
。

技术实现思路

[0005]本申请提供一种在物理设计前期检测动态电压降的方法及相关设备，用以解决芯片动态电压降检测效率低的技术问题
。
[0006]第一方面，本申请实施例提供一种在物理设计前期检测动态电压降的方法，包括：
>[0007]获取芯片对应的基本数据库和所述芯片中多个区域对应的悲观量，所述基本数据库包括所述芯片中各元器件在其对应的工作条件下产生的峰值电流
、
以及产生所述峰值电流的概率，各所述区域包括多个元器件；
[0008]针对各区域，根据所述区域中各元器件的峰值电流及对应的概率
、
所述区域对应的悲观量，确定所述区域对应的预测峰值电流；
[0009]根据各区域对应的预测峰值电流，确定所述芯片的电压降风险区域，以进行对应的风险预防措施
。
[0010]在一些实施例中，针对各区域，根据所述区域中各元器件的峰值电流及对应的概率
、
所述区域对应的悲观量，确定所述区域对应的预测峰值电流，包括：
[0011]针对各区域，根据所述区域中各元器件的峰值电流及对应的概率
、
所述区域的悲观量和区域峰值电流预测公式，计算所述区域对应的预测峰值电流；
[0012]所述区域峰值电流预测公式包括：
[0013]I
Tj
＝
(∑
i
(I
Di
×
p
i
))
×
DE
j
,
[0014]其中，
I
Tj
表示第
j
个区域的预测峰值电流，
I
Di
表示所述区域中的第
i
个元器件的峰值电流，
p
i
表示所述第
i
个元器件产生峰值电流的概率，
DE
j
表示第
j
个区域的悲观量
。
[0015]在一些实施例中，根据各区域对应的预测峰值电流，确定所述芯片的电压降风险区域，包括：
[0016]将预测峰值电流大于风险阈值的区域确定为所述芯片的电压降风险区域
。
[0017]在一些实施例中，将预测峰值电流大于风险阈值的区域确定为所述芯片的风险区域之前，方法还包括：
[0018]将各区域对应的预测峰值电流的平均值确定为所述风险阈值
。
[0019]在一些实施例中，获取芯片对应的基本数据库之前，所述方法还包括：
[0020]获取各所述元器件的工作条件，所述工作条件包括电平转换时间和负载量；
[0021]从标准单元库中获取各所述元器件在对应的工作条件下运行时产生的峰值电流，所述标准单元库储存不同的电平转换时间
、
不同负载量
、
以及各所述元器件在不同的电平转换时间和不同负载量的工作条件下运行对应产生的峰值电流的映射关系；
[0022]根据各所述元器件的历史运行数据，确定各所述元器件产生对应的峰值电流的概率；
[0023]构建各所述元器件在对应的工作条件下的峰值电流和概率的映射关系，并储存在所述芯片对应的基本数据库中
。
[0024]在一些实施例中，获取所述芯片中多个区域对应的悲观量之前，所述方法还包括：
[0025]将所述芯片均匀划分为多个区域；
[0026]根据各所述区域的位置关系，设置对应的悲观量
。
[0027]第二方面，本申请提供一种在物理设计前期检测动态电压降的装置，包括：
[0028]获取模块，用于获取芯片对应的基本数据库和所述芯片中多个区域对应的悲观量，所述基本数据库包括所述芯片中各元器件在其对应的工作条件下产生的峰值电流
、
以及产生所述峰值电流的概率，各所述区域包括多个元器件；
[0029]处理模块，用于针对各区域，根据所述区域中各元器件的峰值电流及对应的概率
、
所述区域对应的悲观量，确定所述区域对应的预测峰值电流；
[0030]所述处理模块还用于根据各区域对应的预测峰值电流，确定所述芯片的电压降风险区域，以进行对应的风险预防措施
。
[0031]在一些实施例中，所述处理模块具体用于：
[0032]根据所述区域中各元器件的峰值电流及对应的概率
、
所述区域的悲观量和区域峰值电流预测公式，计算所述区域对应的预测峰值电流；
[0033]所述区域峰值电流预测公式包括：
[0034]I
Tj
＝
(∑
i
(I
Di
×
p
i
))
×
DE
j
,
[0035]其中，
I
Tj
表示第
j
个区域的预测峰值电流，
I
Di
表示所述区域中的第
i
个元器件的峰值电流，
p
i
表示所述第
i
个元器件产生峰值电流的概率，
DE
j
表示第
j
个区域的悲观量
。
[0036]在一些实施例中，所述处理模块具体用于：
[0037]将预测峰值电流大于风险阈值的区域确定为所述芯片的电压降风险区域
。
[0038]在一些实施例中，所述处理模块具体用于：
[0039]将各区域对应的预测峰值电流的平均值确定为所述风险阈值
。
[0040]在一些实施例中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种在物理设计前期检测动态电压降的方法，其特征在于，包括：获取芯片对应的基本数据库和所述芯片中多个区域对应的悲观量，所述基本数据库包括所述芯片中各元器件在其对应的工作条件下产生的峰值电流
、
以及产生所述峰值电流的概率，各所述区域包括多个元器件；针对各区域，根据所述区域中各元器件的峰值电流及对应的概率
、
所述区域对应的悲观量，确定所述区域对应的预测峰值电流；根据各区域对应的预测峰值电流，确定所述芯片的电压降风险区域，以进行对应的风险预防措施
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，针对各区域，根据所述区域中各元器件的峰值电流及对应的概率
、
所述区域对应的悲观量，确定所述区域对应的预测峰值电流，包括：针对各区域，根据所述区域中各元器件的峰值电流及对应的概率
、
所述区域的悲观量和区域峰值电流预测公式，计算所述区域对应的预测峰值电流；所述区域峰值电流预测公式包括：
I
Tj
＝
(∑
i
(I
Di
×
p
i
))
×
DE
j
,
其中，
I
Tj
表示第
j
个区域的预测峰值电流，
I
Di
表示所述区域中的第
i
个元器件的峰值电流，
p
i
表示所述第
i
个元器件产生峰值电流的概率，
DE
j
表示第
j
个区域的悲观量
。3.
根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，根据各区域对应的预测峰值电流，确定所述芯片的电压降风险区域，包括：将预测峰值电流大于风险阈值的区域确定为所述芯片的电压降风险区域
。4.
根据权利要求3所述的方法，其特征在于，将预测峰值电流大于风险阈值的区域确定为所述芯片的风险区域之前，方法还包括：将各区域对应的预测峰值电流的平均值确定为所述风险阈值
。5.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取芯片对应的基本数据库之前，所述方法还包括：获取各所述元器件的工作条件，所述工作条件包括电平转换时间和负载量；从标准单元库中获取各所述元器件在对应的工作条件下运行时产生的峰值电流，所述标准单元库储存不同的电平转换时间
、
不同负载量
、
以及各所述元器件在不同的电平转换时间和...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔兵兵，
申请(专利权)人：合芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：