用于有机电气元件的化合物制造技术

技术编号:39748801 阅读:8 留言:0更新日期:2023-12-17 23:46
本发明专利技术提供了可以改善元件的发光效率

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于有机电气元件的化合物、使用所述化合物的有机电气元件及其电子装置


[0001]本专利技术涉及包括用于有机电气元件的化合物的有机电气元件及其电子装置


技术介绍

[0002]通常,有机发光现象是指通过使用有机材料将电能转化为光能的现象

使用有机发光现象的有机电气元件通常具有包括阳极

阴极和插入其间的有机材料层的结构

在此,为了增加有机电气元件的效率和稳定性,有机材料层通常由多层结构构成,所述多层结构由不同材料构成,并且例如可以包括空穴注入层

空穴传输层

发光层

电子传输层

电子注入层等

[0003]用作有机电气元件中的有机材料层的材料可以根据其功能分为发光材料和电荷传输材料,例如空穴注入材料

空穴传输材料

电子传输材料

电子注入材料等

[0004]使用寿命和效率是有机电致发光二极管的最大问题,并且随着显示器变得更大,必须解决这些效率和使用寿命问题

效率

使用寿命和驱动电压彼此相关,并且当效率增加时,驱动电压相对降低,而随着驱动电压降低,由于驱动期间产生的焦耳加热导致的有机材料的结晶降低,并且因此使用寿命趋于增加

[0005]然而,不能简单地通过改善有机材料层使效率最大化

这是因为,当各有机材料层之间的能级和
T1
值以及材料的固有性质
(
迁移率

界面性质等
)
被最佳地组合时,才可以同时实现长使用寿命和高效率

[0006]此外,近来,在有机电致发光装置中,为了解决空穴传输层中的发射问题,发光辅助层必须存在于空穴传输层与发光层之间,并且需要根据各个发光层
(R、G、B)
开发不同的发光辅助层

[0007]通常,电子从电子传输层转移至发光层,并且空穴从空穴传输层转移至发光层,以通过复合产生激子

[0008]然而,用于空穴传输层的材料具有低
HOMO
值,并且因此主要具有低
T1
值,因此在发光层中产生的激子被转移至空穴传输层,导致发光层中的电荷不平衡,并且在空穴传输层的界面处发光

[0009]当在空穴传输层的界面处发光时,有机电气元件的颜色纯度和效率降低,并且使用寿命缩短

因此,迫切需要开发具有高
T1
值并且具有在空穴传输层的
HOMO
能级与发光层的
HOMO
能级之间的
HOMO
能级的发光辅助层

[0010]同时,有必要开发空穴注入层材料,其具有稳定的特性,即高玻璃化转变温度,以抵抗在驱动装置时产生的焦耳热,同时延迟金属氧化物从阳极电极
(ITO)
渗透到有机层中,这是缩短有机电气元件的使用寿命的原因之一

空穴传输层材料的低玻璃化转变温度具有如下特征:当驱动装置时,薄膜表面的均匀性降低,据报道这对装置的使用寿命有很大影响

此外,
OLED
装置主要通过沉积方法形成,并且需要开发能够经受长时间沉积的材料,即,具有高耐热性特性的材料

[0011]即,为了充分显示出有机电气元件的优异特性,用于在元件中形成有机材料层的材料
(
例如空穴注入材料

空穴传输材料

发光材料

电子传输材料

电子注入材料

发光辅助层材料
)
应是稳定且有效的材料

然而,此类用于有机电气元件的稳定且有效的有机材料层材料还没有得到充分开发

因此,需要不断地开发新材料


技术实现思路

[0012]为了解决上述
技术介绍
的问题,本专利技术已经揭示了具有新结构的化合物,并且当将该化合物应用于有机电气元件时,大幅改善了元件的发光效率

稳定性和使用寿命

[0013]因此,本专利技术的目的在于提供新化合物

使用所述化合物的有机电气元件及其电子装置

[0014][
技术方案
][0015]本专利技术提供了由式1表示的化合物

[0016]<

1>
[0017][0018]在另一方面,本专利技术提供了包含所述由式1表示的化合物的有机电气元件及其电子装置

[0019][
专利技术效果
][0020]通过使用根据本专利技术的化合物,可以实现元件的高发光效率

低驱动电压和高耐热性,并且可以大大改善元件的颜色纯度和使用寿命

附图说明
[0021]图1至图3示出根据本专利技术的有机电气元件的实例

[0022]图4示出了根据本专利技术的一个方面的式

[0023]图5示出了根据本专利技术的实施方案的测量键离解能的结果

[0024]100、200、300
:有机电气元件
110
:第一电极
[0025]120
:空穴注入层
130
:空穴传输层
[0026]140
:发光层
150
:电子传输层
[0027]160
:电子注入层
170
:第二电极
[0028]180
:光效率增强层
210
:缓冲层
[0029]220
:发光辅助层
320
:第一空穴注入层
[0030]330
:第一空穴传输层
340
:第一发光层
[0031]350
:第一电子传输层
360
:第一电荷产生层
[0032]361
:第二电荷产生层
420
:第二空穴注入层
[0033]430
:第二空穴传输层
440
:第二发光层
[0034]450
:第二电子传输层
CGL
:电荷产生层
[0035]ST1
:第一堆叠体
ST2
:第二堆叠体
具体实施方式
[0036]在下文,将详细地描述本专利技术的一些实施方案

此外,在本专利技术的以下描述中,当在本文中并入已知功能和配置的详细描述可能使本专利技术的主题相当不清楚时,将省略该详细描述

[0037]此外,当本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】其中
Ar1、Ar2、Ar3、L1和
L2如权利要求1中所定义
。6.
如权利要求1所述的化合物,其中
Ar1至
Ar3中的至少一个由以下式
Ar
‑1至
Ar

13
中的任一种表示:任一种表示:其中:
1)R1、R2和
R3是各自相同的或不同的,并且各自独立地选自氢;氘;卤素;氰基基团;硝基基团;
C6‑
C
60
芳基基团;芴基基团;包括
O、N、S、Si

P
的至少一个杂原子的
C2‑
C
60
杂环基团;
C3‑
C
60
脂肪族环和
C6‑
C
60
芳香族环的稠环基团;
C3‑
C
20
环烷基基团;
C1‑
C
50
烷基基团;
C2‑
C
20
烯基基团;
C2‑
C
20
炔基基团;
C1‑
C
30
烷氧基基团;和
C6‑
C
30
芳氧基基团;
2)a
是0至5的整数,
b

c
各自独立地是0至4的整数,
3)*
表示待键合的位置
。7.
如权利要求1所述的化合物,其中
L1和
L2中的至少一个由以下式
L
‑1至式
L
‑3中的任一种表示:其中:
1)R4与权利要求5中的
R1的定义相同,
2)d
是0至4的整数,
3)*
表示待键合的位置
。8.
如权利要求1所述的化合物,其中式1由以下化合物
P...

【专利技术属性】
技术研发人员:李提友李重槿李仁求李善希文成允金元三朴多轩
申请(专利权)人:德山新勒克斯有限公司
类型:发明
国别省市:

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