【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有竖直热引脚的高功率裸片散热器
[0001]本公开的各方面总体上涉及半导体器件，包括并入半导体器件的电子设备，并且更具体但不排他地涉及高功率裸片
、
功率放大器模块和相关器件及其制造技术
。
技术介绍
[0002]集成电路技术通过有源组件的小型化在提高计算能力方面取得了长足进步
。
诸如倒装芯片器件等各种封装件技术可以在很多电子设备中找到，包括处理器
、
服务器
、
射频
(RF)
集成电路等
。
倒装芯片封装件技术在高引脚数器件中变得具有成本效益
。
先进的封装件和处理技术允许系统级封装
(SiP)
器件，其可以包括多个功能块，其中每个功能块被设计为执行特定功能，例如微处理器功能
、
图形处理单元
(GPU)
功能
、RF
前端
(RFFE)
功能
、
通信功能
(
例如，
Wi
‑
Fi、
蓝牙和其他通信
)
等
。
[0003]新
RF
技术中要支持的频带和
CA(
载波聚合
)
组合的数目不断增加导致
RFFE
模块中要集成的组件的复杂性和数目增加
。
这继而给改进集成技术以限制模块大小带来了压力
。
限制模块大小不仅会影...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种装置，包括：高功率裸片，安装在封装件衬底的背侧上；传热层，设置在所述高功率裸片的所述背侧上；以及多个散热器互连件，耦合到所述传热层，其中所述多个散热器互连件中的每个散热器互连件在竖直取向上直接耦合到所述传热层
。2.
根据权利要求1所述的装置，其中所述高功率裸片是声波裸片或功率放大器
。3.
根据权利要求1所述的装置，还包括：热传导器，设置在所述封装件衬底中，其中所述热传导器耦合到所述高功率裸片的多个前侧接触件
。4.
根据权利要求3所述的装置，其中所述热传导器包括所述封装件衬底的多个金属层
。5.
根据权利要求3所述的装置，其中所述热传导器耦合到所述多个散热器互连件或多个信号互连件，所述多个信号互连件耦合到地
。6.
根据权利要求1所述的装置，其中所述多个散热器互连件耦合到地
。7.
根据权利要求1所述的装置，其中所述高功率裸片还包括：多个散热器过孔，从所述传热层延伸到所述高功率裸片中
。8.
根据权利要求1所述的装置，还包括：耦合到所述封装件衬底的前侧的至少一个其他裸片或表面安装器件，其中所述至少一个其他裸片或表面安装器件通过所述封装件衬底电耦合到所述高功率裸片
。9.
根据权利要求1所述的装置，其中所述高功率裸片具有至少
0.25
瓦的功率耗散额定值
。10.
根据权利要求1所述的装置，其中所述装置选自由以下组成的组：音乐播放器
、
视频播放器
、
娱乐单元
、
导航设备
、
通信设备
、
移动设备
、
移动电话
、
智能电话
、
个人数字助理
、
固定位置终端
、
平板计算机
、
计算机
、
可穿戴设备
、
物联网
(IoT)
设备
、
膝上型计算机
、
服务器
、
接入点
、
基站
、
小型蜂窝设备和机动交通工具中的设备
。11.
根据权利要求1所述的装置，还包括：多个信号互连件，围绕所述高功率裸片的外围设置，其中所述多个散热器互连件位于所述多个信号互连件内部
。12.
根据权利要求1所述的装置，其中所述多个散热器互连件中的每个散热器互连件包括：金属柱；可压缩焊盘；以及耦合到所述金属柱的焊料部分
。13.
根据权利要求
12
所述的装置，其中所述金属柱是铜
。14.
根据权利要求
12
所述的装置，还包括：模制化合物，被配置为包封所述高功率裸片
、
所述传热层和所述多个散热器互连件中的每个散热器互连件的一部分
。15.
根据权利要求
12
所述的装置，还包括：模制化合物，被配置为包封所述高功率裸片和所述传热层的一部分，其中所述传热层的背侧和所述多个散热器互连件从所述模制化合物暴露
。
16.
根据权利要求
12
所述的装置，其中所述可压缩焊盘包括由金属包围的聚合物焊盘
。17.
根据权利要求
12
所述的装置，其中所述可压缩焊盘延伸超过所述金属柱的直径
。18.
根据权利要求1所述的装置，其中所述多个散热器互连件中的每个散热器互连件包括：可压缩金属柱；以及耦合到所述可压缩金属柱的焊料部分
。19.
根据权利要求
18
所述的装置，其中所述可压缩金属柱包括具有至少4％的孔隙率的多孔金属
。20.
根据权利要求
19
所述的装置，其中所述孔隙率在5％至
40
％的范围内
。21.
根据权利要求
18
所述的装置，其中所述可压缩金属柱包括铜纳米膏或瞬态液相烧结膏
。22.
根据权利要求1所述的装置，其中所述传热层的背侧的至少一部分被阻焊剂覆盖，并且所述多个散热器互连件延伸穿过所述阻焊剂中的开口
。23.
根据权利要求
22
所述的装置，还包括：印刷电路板
(PCB)
，具有通过所述多个...
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