一种制造技术

本发明专利技术属于电子封装材料领域，涉及一种

【技术实现步骤摘要】
一种Si3N4陶瓷覆银板及其制备方法


[0001]本专利技术属于陶瓷金属化
，特别涉及一种
Si3N4陶瓷覆银基板及其制备方法
。

技术介绍

[0002]目前
IGBT
作为重要的电力电子的核心器件，其可靠性是决定整个装置安全运行的最重要因素
。
散热问题已成为大功率
IGBT
模块发展中需要解决的关键问题
。
作为封装材料的陶瓷基板是
IGBT
模块中关键的配套材料
。IGBT
应用在很多领域，广泛应用于轨道交通
、
智能电网
、
航空航天
、
电动汽车与新能源装备等领域，尤其在电源行业
、
新能源汽车及光伏类
IGBT
快速增长的大背景下，高性能散热陶瓷基板的需求将与日俱增，而且对基板的性能要求严格
。
[0003]目前国内做封装
IGBT
的陶瓷基板主要有
Al2O3和
AlN
陶瓷...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
Si3N4陶瓷覆银基板的制备方法，所述
Si3N4陶瓷基板与银片之间依次含有纯
Ni
和
Ag
‑
Ni
复合层，其特征在于，具体步骤如下：
(1)
对
Si3N4陶瓷基板和
Ag
片进行预处理；
(2)
配制有机溶剂：将市售的乙基纤维素
、
松油醇
、
司盘和蓖麻油以一定的质量比配制，置于一定温度的磁力搅拌水浴锅中进行混合均匀；
(3)Ni
粉：去市售的
Ni
粉进行球磨，烘干，得到尺寸一致的
Ni
粉末；
(4)
将上述配制的有机溶剂与制备的
Ni
粉末以一定的质量比进行配制，并在一定温度下的磁力搅拌水浴锅中混合均匀得到
Ni
浆料；
(5)
通过丝网印刷工艺将上述获得的
Ni
浆料均匀印刷在上述处理好的陶瓷基板上；
(6)
将上述印刷好的陶瓷基板放入多功能烧结炉内烧结金属
Ni
层；
(7)
在上述烧结好的陶瓷基板表面放置预处理好的
Ag
片，并将其放入通有惰性气体炉内进行烧结
。2.
如权利要求1所述的一种
Si3N4陶瓷覆银基板的制备方法，其特征在于，步骤
(1)
中，预处理分别是：对
Si3N4陶瓷基板进行预处理的方法为：
Si3N4陶瓷衬底双面磨平
、
抛光后，依次置于
5mol/L
氢氧化钠溶液
、
去离子水
、1mol/L
稀盐酸溶液
、
去离子水
、
丙酮
、
去离子水中各进行超声清洗
30min
，再置于干燥箱
80℃
中烘干备用；对
Ag
片进行预处理的方法为：置于
1mol/L
稀盐酸溶液
、
去离子水中各进行超声清洗
30min
，再置于干燥箱
80℃
中烘干
。...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘桂武，王北极，张相召，周研声，杨建，乔冠军，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：