【技术实现步骤摘要】
一种UTBB图像传感器
[0001]本专利技术涉及半导体器件及集成电路
、
图像传感领域，特别是涉及一种
UTBB
图像传感器
。
技术介绍
[0002]目前主流的图像传感元件一般采用电荷耦合元件
(CCD Charge
‑
coupled Device)
或互补金属氧化物元件
(CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor)
作为基本感光单元
。CCD
器件直接通过电荷转移实现光电转换，而
CMOS
器件则通过光电二极管收集电荷并转变为电压信号再经由放大电路读出
。
[0003]CCD
器件只能按行读出，曝光后需要按行依次将电荷转移至缓冲器中，不利于帧数的提高
。
而
CMOS
器件则在单个像素中集成放大读出电路，按像素点读出，可做到较高的帧数，但也因此像素结构较复杂，填充因子较低
。
由于...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种
UTBB
图像传感器，其特征在于，包括：晶体管
、
源扩展区
、
阱电极
、
像素间浅槽隔离区
、
电极浅槽隔离区以及由下至上依次连接的衬底
、
阱和埋氧层；所述像素间浅槽隔离区，包括：从所述埋氧层的顶面的一个端部，向下延伸至所述衬底的内部，形成的第一隔离区；以及从所述埋氧层的顶面的另一个端部，向下延伸至所述衬底的内部，形成的第二隔离区；所述电极浅槽隔离区与所述第二隔离区间隔设置，且所述电极浅槽隔离区是从所述埋氧层的顶面向下延伸至阱的内部，形成的第三隔离区；所述阱电极设置在间隔区域上；所述间隔区域为所述电极浅槽隔离区与所述第二隔离区之间的区域，且所述间隔区域内不含有所述埋氧层；所述晶体管和所述源扩展区相连接，并设置在所述埋氧层的顶面；所述晶体管的一端与所述电极浅槽隔离区连接；所述源扩展区的一端与所述第一隔离区连接
。2.
根据权利要求1所述的
UTBB
图像传感器，其特征在于，所述晶体管包括：栅极
、
源极
、
漏极和阱极；所述源极与所述源扩展区相连接；所述漏极与所述电...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄鹏，肖逸，周正，刘晓彦，康晋锋，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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