一种电源保护电路制造技术

本申请涉及电路领域，公开了一种电源保护电路

【技术实现步骤摘要】
一种电源保护电路、芯片及数据线


[0001]本申请涉及集成电路领域，尤其涉及一种电源保护电路
、
芯片及数据线
。

技术介绍

[0002]在充电芯片中，由于电源是根据外部的充电头产生的，充电头的差异以及充电时的插拔操作都会导致芯片应用场景比较复杂，使得输入到其芯片的电源容易超过芯片正常工作的电压范围
。
并且，在芯片正常工作时，除外部电源会产生高压超过芯片正常工作电压外，在正常充电结束后也会有大电流涌入芯片内部，尤其是在进行快充时，突然将负载拔出，由于此时充电线有电感特性，负载拔出后，充电线内部有残余电荷形成的大电流，如果不能及时处理，则会对充电芯片造成伤害
。
[0003]综上所述，需要提供一种能够在过流的情况下保护充电芯片的电源保护电路
、
芯片及数据线
。

技术实现思路

[0004]本申请提出一种电源保护电路
、
芯片及数据线，能够针对过流的情况，及时对大电流进行泄放，从而保护充电芯片
。
[0005]第一方面，本申请提出一种电源保护电路，包括：过流检测模块和泄放模块；所述过流检测模块的输入端连接供电设备的负载连接端，在所述负载连接端连接的终端设备断开的情况下，触发所述过流检测模块导通，对所述负载连接端的电流进行采样；所述泄放模块和所述过流检测模块相连接，将流经所述过流检测模块的电流进行泄放
。
[0006]可选地，所述过流检测模块包括第一
PMOS
管，所述第一
PMOS
管的源极与所述负载连接端相连接，栅极与所述泄放模块相连接
。
[0007]可选地，所述过流检测模块还包括第二
PMOS
管，所述第二
PMOS
管的源极与所述负载连接端相连接，栅极和漏极均与所述第一
PMOS
管的栅极相连接
。
[0008]可选地，还包括过压检测模块，所述过压检测模块的输入端连接供电设备的所述负载连接端，输出端与所述泄放模块相连接，对所述负载连接端的电压进行检测，生成电压检测结果
。
[0009]可选地，所述过压检测模块包括过压比较单元，设置在所述负载连接端和所述泄放模块之间，所述过压比较单元将所述负载连接端的电压与阈值电压进行比较，生成第一电压
。
[0010]可选地，所述过压比较单元包括第一比较子单元，所述第一比较子单元与所述负载连接端相连接；所述过压比较单元还包括第一分压子单元，所述第一分压子单元的输入端与所述负载连接端相连接，输出端与所述第一比较子单元相连接
。
[0011]可选地，所述过压检测模块还包括设置在所述过压比较单元和所述过流检测模块之间的分压输出单元，所述分压输出单元还输入总线电压，并根据所述第一电压对所述总线电压进行分压，得到第二电压；所述第二电压用于控制所述过流检测模块的导通或关断
。
[0012]可选地，所述过压检测模块还包括设置在所述过压比较单元和所述分压输出单元之间的开关单元，所述开关单元控制所述过压比较单元和所述分压输出单元之间的通断
。
[0013]可选地，所述开关单元包括第一
NMOS
管，所述第一
NMOS
管的漏极分别与所述过压比较单元的输出端以及所述分压输出单元相连接；所述开关单元还包括第二
NMOS
管，所述第二
NMOS
管设置在所述过压比较单元与所述分压输出单元之间，所述第二
NMOS
管的漏极分别与所述过压比较单元的输出端以及所述分压输出单元相连接
。
[0014]可选地，还包括基准生成模块，所述基准生成模块与所述过压检测模块相连接，基于预设的参考电压生成所述阈值电压，并将所述阈值电压发送至所述过压检测模块
。
[0015]可选地，所述基准生成模块包括放大单元和参考电压调整单元；所述放大单元的输出端和一个输入端与所述参考电压调整单元相连接，另一个输入端与参考电压端相连接，所述放大单元的输出端还与所述过压检测模块相连接
。
[0016]可选地，所述参考电压调整单元包括第一电阻
、
第二电阻
、
第三电阻和第四电阻；所述第二电阻的一端与所述放大单元的输出端相连接，另一端与所述第一电阻的一端相连接；所述第一电阻的另一端与所述第三电阻的一端以及所述放大单元的一个输入端相连接，所述第三电阻的另一端与所述第四电阻的一端相连接，所述第四电阻的另一端与接地端相连接；所述参考电压调整单元还包括第一开关，所述第一开关与所述第二电阻并联；所述参考电压调整单元还包括第二开关，所述第二开关与所述第四电阻并联
。
[0017]可选地，还包括过流比较模块，所述过流比较模块和所述过流检测模块相连接，将采样后的所述电流与偏置电流进行比较，生成电流比较结果；所述电流比较结果用于控制过压检测模块的开启和关断
。
[0018]可选地，所述过流比较模块包括过流比较单元，所述过流比较单元分别与所述过流检测模块以及偏置电流端相连接
。
[0019]可选地，所述过流比较单元包括第一电容，所述第一电容的一端分别与所述过流检测模块以及所述偏置电流端相连接；所述过流比较单元还包括第一反相器，所述第一反相器的输入端与所述第一电容的一端相连接；所述过流比较模块还包括比例调整单元，所述比例调整单元设置在所述过流检测模块与所述过流比较单元之间
。
[0020]可选地，所述比例调整单元包括第三
PMOS
管和第四
PMOS
管，所述第三
PMOS
管的源极和所述第四
PMOS
管的源极均与电源端相连接，所述第三
PMOS
管的栅极和漏极以及所述第四
PMOS
管的栅极均与所述过流检测模块相连接，所述第四
PMOS
管的漏极还与所述过流比较单元相连接
。
[0021]可选地，所述过流比较模块还包括第一电流镜像单元，所述第一电流镜像单元设置在所述过流检测模块与所述比例调整单元之间
。
[0022]可选地，所述过流比较模块还包括第二电流镜像单元，所述第二电流镜像单元的一端与偏置电流端相连接，另一端与所述过流比较单元相连接
。
[0023]可选地，还包括控制信号生成模块，所述控制信号生成模块设置在所述过压检测模块和所述过流比较模块之间，所述控制信号生成模块接收到所述电流比较结果，并生成控制所述过压检测模块开启或关断的控制信号
。
[0024]可选地，还包括分压模块，设置在所述负载连接端和所述过流检测模块之间，所述分压模块还与所述泄放模块相连接，对接收到的所述负载连接端的电压进行分压
。
[0025]可选地，所述分压模块包括分压开关单元，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种电源保护电路，其特征在于，包括：过流检测模块和泄放模块；所述过流检测模块的输入端连接供电设备的负载连接端，在所述负载连接端连接的终端设备断开的情况下，触发所述过流检测模块导通，对所述负载连接端的电流进行采样；所述泄放模块和所述过流检测模块相连接，将流经所述过流检测模块的电流进行泄放
。2.
如权利要求1所述的电源保护电路，其特征在于，所述过流检测模块包括第一
PMOS
管，所述第一
PMOS
管的源极与所述负载连接端相连接，栅极与所述泄放模块相连接
。3.
如权利要求2所述的电源保护电路，其特征在于，所述过流检测模块还包括第二
PMOS
管，所述第二
PMOS
管的源极与所述负载连接端相连接，栅极和漏极均与所述第一
PMOS
管的栅极相连接
。4.
如权利要求1所述的电源保护电路，其特征在于，还包括过压检测模块，所述过压检测模块的输入端连接供电设备的所述负载连接端，输出端与所述泄放模块相连接，对所述负载连接端的电压进行检测，生成电压检测结果
。5.
如权利要求4所述的电源保护电路，其特征在于，所述过压检测模块包括过压比较单元，设置在所述负载连接端和所述泄放模块之间，所述过压比较单元将所述负载连接端的电压与阈值电压进行比较，生成第一电压
。6.
如权利要求5所述的电源保护电路，其特征在于，所述过压比较单元包括第一比较子单元，所述第一比较子单元与所述负载连接端相连接；所述过压比较单元还包括第一分压子单元，所述第一分压子单元的输入端与所述负载连接端相连接，输出端与所述第一比较子单元相连接
。7.
如权利要求5所述的电源保护电路，其特征在于，所述过压检测模块还包括设置在所述过压比较单元和所述过流检测模块之间的分压输出单元，所述分压输出单元还输入总线电压，并根据所述第一电压对所述总线电压进行分压，得到第二电压；所述第二电压比较值用于控制所述过流检测模块的导通或关断
。8.
如权利要求7所述的电源保护电路，其特征在于，所述过压检测模块还包括设置在所述过压比较单元和所述分压输出单元之间的开关单元，所述开关单元控制所述过压比较单元和所述分压输出单元之间的通断
。9.
如权利要求8所述的电源保护电路，其特征在于，所述开关单元包括第一
NMOS
管，所述第一
NMOS
管的漏极分别与所述过压比较单元的输出端以及所述分压输出单元相连接；所述开关单元还包括第二
NMOS
管，所述第二
NMOS
管设置在所述过压比较单元与所述分压输出单元之间，所述第二
NMOS
管的漏极分别与所述过压比较单元的输出端以及所述分压输出单元相连接
。10.
如权利要求5所述的电源保护电路，其特征在于，还包括基准生成模块，所述基准生成模块与所述过压检测模块相连接，基于预设的参考电压生成所述阈值电压，并将所述阈值电压发送至所述过压检测模块
。11.
如权利要求
10
所述的电源保护电路，其特征在于，所述基准生成模块包括放大单元和参考电压调整单元；所述放大单元的输出端和一个输入端与所述参考电压调整单元相连接，另一个输入端与参考电压端相连接，所述放大单元的输出端还与所述过压检测模块相连接
。
12.
如权利要求
11
所述的电源保护电路，其特征在于，所述参考电压调整单元包括第一电阻
、
第二电阻
、
第三电阻和第四电阻；所述第二电阻的一端与所述放大单元的输出端相连接，另一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志斌，尹欣，虞少平，王晨皓，
申请(专利权)人：浙江地芯引力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：