一种含硅负极的锂电池的充电方法技术

技术编号:39732763 阅读:9 留言:0更新日期:2023-12-17 23:35
本发明专利技术提供一种含硅负极的锂电池的充电方法,其特征在于:包括第一充电阶段和第二充电阶段;在第一充电阶段中,采用

【技术实现步骤摘要】
一种含硅负极的锂电池的充电方法


[0001]本专利技术属于锂电池
,具体涉及一种含硅负极的锂电池的充电方法


技术介绍

[0002]析锂是影响锂离子电池快充的主要原因,析锂是指锂离子直接在负极表面还原为金属锂而不是进入负极中

在锂离子电池快速充电过程中,电池内部存在巨大的极化,包括欧姆阻抗

浓差过电势和电荷转移过电势,这会导致很大的电压损失

[0003]在目前所发现的锂离子电池负极材料中,硅基材料的理论质量比容量最高,为
4200mAh
·
g
‑1,另外,硅基材料对母体的嵌入电位比石墨类材料略高,不易在材料表面形成枝晶而引发安全性问题,这些都使得硅基材料成为极具潜力和吸引力的负极材料

[0004]而在目前的硅基负极材料中,硅
/
石墨负极材料因硅

石墨原料易获取,且这两种材料具有相对稳定的电化学性能而被广泛研究与应用

而硅作为一种半导体材料,其本身离子迁移能力差,按照现有的阶梯充电策略,每一步快充常根据快充时间要求计算最高倍率然后依次降阶,这种方法在快充开始时就对电池施加较大的充电倍率,这样会使得脱嵌锂动力学较差的硅颗粒承受很高的内部应力,容易导致硅颗粒破碎,不利于硅基负极材料长期性能的发挥,加速快充循环过程中的容量衰减

且在这种方法中,因为硅颗粒一开始无法适应快速的脱嵌锂速率,导致电池极化现象加剧,输入电压无法与充电量相对应,即造成输入能量的无效损失,最终也会导致充电时间的延长,
[0005]有鉴于此,提供一种适合硅
/
石墨负极的锂电池的充电方法,提高电池循环容量性能和充电效率,具有重大的实际意义


技术实现思路

[0006]为解决现有技术中存在的问题与不足,本专利技术提供一种含硅负极的锂电池的充电方法,该充电方法有利于提高硅颗粒在充电过程的稳定性,保证硅颗粒容量的长期发挥

优化电池循环性能以及减少充电时间

[0007]本专利技术提供一种含硅负极的锂电池的充电方法,包括第一充电阶段和第二充电阶段;在第一充电阶段中,采用
C1
倍率充电;在第二充电阶段中,采用
C2
倍率充电;其中,
C1

C2
满足以下关系式:
C1

n1
×
n2
×
C2
×
(P1
×
W1)/(P1
×
W1+P2
×
W2)
;其中,
n1

0.3

0.7

n2

3.6
‑5×
W1

C2

1.25

12
;其中,在含硅负极中,负极活性物质包括硅和石墨,
P1
表示硅可逆容量,
P2
表示石墨可逆容量,
W1
表示硅含量,
W2
表示石墨含量;在锂电池的充电过程中,当第一充电阶段中锂电池的
SOC
值到达阈值
a
,第一充电阶段结束,切换为第二充电阶段;其中,
a

n1
×
(P1
×
W1)/(P1
×
W1+P2
×
W2)。
[0008]在上述公式中,硅可逆含量
(P1)
表示硅负极片
(
这里硅负极片指负极活性物质只有硅
)
制成的半电池首次脱锂克容量;半电池制作过程如下:取
1.5g
碳纳米管
(CNT)

15g
固含量为
1.4
%的羧甲基纤维素
(CMC)
胶液匀浆,再称取
0.09g
导电炭黑
(SP),
称取
2.7g
负极活性物质,加水
9g
搅拌均匀后,将得到的负极浆料在负极集流体上涂布
350
μ
m

80℃
烘2小时,
得到负极片;将上述负极片与锂箔片组成扣式电池,搁置至少
12
小时;测试方法如下:静置
2h

0.1C
倍率放电至
5mv

0.05C
倍率放电至
5mv

0.02C
倍率放电至
5mv

0.01C
倍率放电至
5mv

0.1C
倍率充电至
2V
;随后计算硅可逆容量

在这里,硅可逆容量=硅
(
脱锂容量
/
负极活性物质质量;倍率公式里的可逆容量已经归一化为克容量

[0009]石墨可逆容量
(P2)
表示石墨可逆容量指石墨负极片
(
这里石墨负极片指负极活性物质只有石墨
)
制成的半电池首次脱锂克容量;半电池制作过程如下:取
1.5gCNT

15g
固含量为
1.4
%的
CMC
胶液匀浆,再称取
0.09gSP
,称取
2.7g
负极活性物质,加水
9g
搅拌,涂布
350um

80℃

2H
;将上述负极片与锂箔片组成扣式电池,搁置至少
12
小时;测试方法如下:静置
2h

0.1C
倍率放电至
5mv

0.05C
倍率放电至
5mv

0.02C
倍率放电至
5mv

0.01C
倍率放电至
5mv

0.1C
倍率充电至
2V
;随后计算石墨可逆容量

在这里,石墨可逆容量=石墨脱锂容量
/
负极活性物质质量;倍率公式里的可逆容量已经归一化为克容量

[0010]硅含量
(W1)
表示硅的质量在硅和石墨的总质量中的占比;石墨含量
(W2)
表示石墨的质量在硅和石墨的总质量中的占比

[0011]n1
表示预嵌锂的硅占比,即嵌锂的硅的质量占所有硅的质量的比例;
n1
的值是根据长期经验而得到的值;其中,具体而言,<本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种含硅负极的锂电池的充电方法,其特征在于:包括第一充电阶段和第二充电阶段;在所述第一充电阶段中,采用
C1
倍率充电;在所述第二充电阶段中,采用
C2
倍率充电;其中,
C1

C2
满足以下关系式:
C1

n1
×
n2
×
C2
×
(P1
×
W1)/(P1
×
W1+P2
×
W2)
;其中,
n1

0.3

0.7

n2

3.6
‑5×
W1

C2

1.25

12
;其中,在含硅负极中,负极活性物质包括硅和石墨,
P1
表示硅可逆容量,
P2
表示石墨可逆容量,
W1
表示硅含量,
W2
表示石墨含量;在锂电池的充电过程中,当所述第一充电阶段中所述锂电池的
SOC
值到达阈值
a
,所述第一充电阶段结束,切换为所述第二充电阶段;其中,
a

n1
×
(P1
×
W1)/(P1
×
W1+P2
×
W2)。2.
如权利要求1所述含硅负极的锂电池的充电方法,其特征在于:
W1

0.01

0.5

W2
=1‑
W1

n2

1.1

3.55。3.
如权利要求1所述含硅负极的锂电池的充电方法,其特征在于:
...

【专利技术属性】
技术研发人员:许俊杰黄家鑫蒋嘉琳李康
申请(专利权)人:中创新航科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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