一种吸波透波性能可调的吸透一体电磁结构制造技术

本发明专利技术公开了一种吸波透波性能可调的吸透一体电磁结构，属于吸波透波一体化电磁领域，包括由上至下依次设置的表面蒙皮介质层

【技术实现步骤摘要】
一种吸波透波性能可调的吸透一体电磁结构


[0001]本专利技术涉及吸波透波一体化电磁
，尤其涉及一种吸波透波性能可调的吸透一体电磁结构
。

技术介绍

[0002]随着信息技术的快速发展，电磁辐射对生产生活中的负面影响逐渐变得不可忽视
。
目前消除
、
降低电磁辐射最有效的方案是采用电磁吸波技术，其主要通过将辐射电磁能转化为热能的方式实现，能有效减少被吸收物体表面的电磁辐射，从而使其在避免电子设备中多个信号发射系统相近频段的信号干扰，减少雷达天线的散射截面，隐身技术等领域具有广泛的应用
。
[0003]然而在多信号发射器的系统中，具有单一吸波特性的传统吸波体无法实现在吸收无效电磁辐射
、
保护信号发射器的同时使发射器正常工作
。
[0004]为解决上述问题，现有技术在信号发射器的天线外部增加一层无损的金属频率选择表面天线罩，其通带与信号发射器的工作频带一致，工作频带外的能量则被反射至其他方向，但是产生了潜在的风险
。
由此产生了在工作频带本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种吸波透波性能可调的吸透一体电磁结构，其特征在于：包括由上至下依次设置的表面蒙皮介质层
、
阻抗匹配介质层
、
电阻加载栅格吸收层
、
吸收层基底
、
支撑介质层
、
第一可调超表面功能层
、
第一功能层基底
、
功能层馈线
、
第二功能层基底
、
第二可调超表面功能层；其中，电阻加载栅格吸收层，用于在垂直入射电磁波时产生高损耗谐振，形成吸收频带，并使得反射波在此处与入射电磁波产生的高损耗谐振干涉增强，实现高损耗特性；第一可调超表面功能层和第二可调超表面功能层，用于在垂直入射电磁波时形成与吸收频带对应的反射带
。2.
根据权利要求1所述的一种吸波透波性能可调的吸透一体电磁结构，其特征在于：电阻加载栅格吸收层由
N
×
N
个
L
形微带线相互连接而成，
L
形微带线上设置有损耗单元，损耗单元由加载于
L
形微带线的每条边的中间位置的电阻构成；
L
形微带线的边的长度为
10.0mm
～
16.0mm、
宽度为
0.3mm
～
1.2mm
；
L
形微带线上用于加载电阻的缝隙为
0.1mm
～
1.3mm。3.
根据权利要求2所述的一种吸波透波性能可调的吸透一体电磁结构，其特征在于：吸收层基底为相对介电常数为
4.2
～
4.5、
损耗正切角为
0.0025
的
FR4
板，其厚度为
0.1mm
～
0.4mm
，并以
L
形微带线的几何中心为圆心开设直径为
1.0mm
～
5.0mm
圆孔
。4.
根据权利要求1所述的一种吸波透波性能可调的吸透一体电磁结构，其特征在于：第一可调超表面功能层为由
2N
×
2N
个第一异形环相互连接而成的导电栅，第一异形环与供电线路共形；第二可调超表面功能层由
2N
×
2N
个第二异形环组成，其通过背馈的方式实现供电，且第二异形环与功能层馈线之间采用导电圆柱连接；第一异形环和第二异形环上均设置有可调单元
。5.
根据权利要求4所述的一种吸波透波性能可调的吸透一体电磁结构，其特征在于：可调单元由加载于第一异形环的每条边的中间位置或者第二异形环的每条边的中间位置的二极管构成
。6.
根据权利要求4所述的一种吸波透波性能可调的吸透一体电磁结构，其特征在于：第一异形环和第二异形环均...

【专利技术属性】
技术研发人员：景军，
申请(专利权)人：湖南深超科技有限公司，
类型：发明
国别省市：