【技术实现步骤摘要】
一种聚酰亚胺的制备方法、聚酰亚胺块体及其应用
[0001]本专利技术涉及电子材料
,具体涉及一种聚酰亚胺的制备方法
、
聚酰亚胺块体及其应用
。
技术介绍
[0002]随着集成电路和电子行业的快速发展,对高介电常数和高力学性能的材料需求越来越迫切
。
有机场效应晶体管
(organic field
‑
effect transistors,OFETs)
因其价格低廉,易于制造而且可以通过大面积溶液工艺制备而备受关注
。
关于
OFETs
的研究大部分集中在新的有机半导体上,但栅极介质层性能
(
如介电常数
、
力学性能
、
表面能和表面粗糙度等
)
均会影响器件的性能
。
高性能
OFETs
需要高介电常数
、
低漏电电流及良好力学性能的介质层,因此,制备兼具高力学性及高介电常数的介质层材料是有机场效应晶体
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种聚酰亚胺的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(S1)
配置聚酰胺酸溶液:将二胺逐渐加入非质子极性溶剂中且在惰性气体中在
20
~
30℃
下搅拌8~
12h
,得到溶解完全的二胺溶液;再将二酐分多次加入上述混合溶液中,惰性气氛中搅拌生成聚酰胺酸溶液;
(S2)
制备聚酰亚胺混合料:将一定量聚酰亚胺粉体置于研磨器具中,倒入适量
(S1)
中所述的聚酰胺酸溶液并研磨,得到混合均匀的聚酰亚胺混合料;
(S3)
制备聚酰亚胺块体材料:将上述聚酰亚胺混合料置于模具中,在
150
~
250℃
温度和
250
~
350MPa
压力成型,冷烧结
0.5
~
2h
实现聚酰亚胺块体材料的制备
。2.
根据权利要求1所述的聚酰亚胺的制备方法,其特征在于,所述
(S1)
中所述二胺为
ODA、MDA、MPD、PPD
和
6FAP
任意一种或多种;所述二酐为
PMDA、BPADA、BPDA、6FDA、ODPA、BTDA
任意一种或多种;所述非质子极性溶剂为
N
‑
甲基吡咯烷酮
、N,N
‑
二甲基甲酰胺或
N,N
‑
二甲基乙酰胺
。3.
根据权利要求1所述的聚酰亚胺的制备方法,其特征在于,所述
(S1)
中所述二酐与所述二胺的摩尔比为
【专利技术属性】
技术研发人员:滕超,张东洋,周含,王勇,
申请(专利权)人:深圳职业技术大学,
类型:发明
国别省市:
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