电容器制造技术

本公开的电容器

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电容器、电容器的制造方法、电路、电路基板及设备


[0001]本公开涉及电容器
、
电容器的制造方法
、
电路
、
电路基板及设备
。

技术介绍

[0002]以往以来，尝试了二胺向
SnS2的嵌入
(intercalation
，插层
)。
[0003]例如，在非专利文献1中公开了通过向
SnS2单晶嵌入乙二胺和丙二胺等烷基二胺来获得的样品的交流阻抗测定的结果
。
根据该测定，样品在室温下的块体
(bulk)
电导率大约为7×
10
‑9S/cm。
[0004]在非专利文献2中记载了向
SnS2嵌入乙二胺
、
对苯二胺
(p
‑
Phenylenediamine)
或者
1,5
－萘二胺的方法
。
测定了通过该方法制作的样品的光学特性
。
另一方面，在非专利文献2中没有记载样品的电阻特性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种电容器具备：第一电极；第二电极；以及电介质，其配置在所述第一电极与所述第二电极之间，所述电介质包括包含二胺的第一层和包含硫化锡
(IV)
的第二层，所述第一层和所述第二层在特定方向上交替地层叠，所述特定方向是和与所述第二电极对置的所述第一电极的面交叉的方向，所述特定方向上的
25℃
下的电导率为1×
10
‑
10
S/cm
以下
。2.
根据权利要求1所述的电容器，所述硫化锡
(IV)
为单晶
。3.
根据权利要求1或者2所述的电容器，所述二胺包括乙二胺
。4.
根据权利要求1～3中任一项所述的电容器，所述第一电极
、
所述电介质以及所述第二电极按该顺序沿着所述特定方向配置
。5.
一种电容器的制造方法，包括：通过将二胺和硫化锡
(IV)
放入容器，并对所述容器进行加热处理，而形成包含所述二胺的第一层和与所述第一层交替地层叠的包含所述硫化锡
(IV)
的第二层来获得电介质；和通过以与所述电介质相接的方式附加第一电极和第二电极，而在所述第一电极与所述第二电极之间配置所述电介质，还包括从在放入所述二胺和所述硫化锡
(IV)
之前对所述容器进行减压脱水处理
、
和在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：加纳学，加藤夕也，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：