【技术实现步骤摘要】
显示基板和显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种显示基板和显示装置
。
技术介绍
[0002]低温多晶氧化物
(
英文:
Low Temperature Polycrystalline Oxide
,简称:
LTPO)
晶体管以其低功耗
、
残像好等优势备受青睐
。
而由于
LTPO
晶体管的光照特性较差,一般在设计
LTPO
晶体管的时候需要设置顶栅和底栅来共同保证器件的光照稳定性
。
[0003]随着显示技术的不断发展,窄边框已成为显示产品发展的主流趋势
。
在这种发展趋势下,采用
GOA(
英文:
Gate On Array)
的单边驱动技术被广泛应用
。
采用这种驱动技术的显示产品,对器件的顶栅和底栅设计提出了更高的要求,会通过双层扫描线为顶栅和底栅提供扫描信号
。
而目前兼容
GOA
单边驱动技术和
LTPO
晶体管的显示产品,存在异显和
Hole Mura
等不良
。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种显示基板和显示装置,用于解决兼容
GOA
单边驱动技术和
LTPO
晶体管的显示产品,存在的异显和
Hole Mura
等不良的问题
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种显示基板,其特征在于,包括:显示区域和位于所述显示区域周边的周边区域;所述周边区域包括沿第一方向相对设置的第一边框区和第二边框区;所述显示区域位于所述第一边框区和所述第二边框区之间,所述显示区域包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区包括第一子区和第二子区,所述第二子区的至少部分与所述第二显示区沿所述第一方向位于同一行,所述第一子区与所述第二显示区沿所述第一方向位于不同行;所述显示基板还包括:多个第一扫描驱动单元和多条第一扫描线;所述第一扫描驱动单元位于所述第一边框区;所述第一扫描线包括第一扫描层和第二扫描层;所述多条第一扫描线包括多条第一目标扫描线,所述第一目标扫描线的至少部分位于所述第二子区,所述第一目标扫描线中,所述第一扫描层的第一端和所述第二扫描层的第一端相耦接,且与对应的所述第一扫描驱动单元相耦接,所述第一扫描层的第二端和所述第二扫描层的第二端相耦接,所述第一端位于所述第一边框区,所述第二端位于所述第二边框区
。2.
根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述多条第一扫描线包括多条第二目标扫描线,所述第二目标扫描线的至少部分位于所述第一子区,所述第二目标扫描线中,所述第一扫描层的第一端和所述第二扫描层的第一端相耦接,且与对应的所述第一扫描驱动单元相耦接,所述第一扫描层的第二端和所述第二扫描层的第二端相耦接,所述第一端位于所述第一边框区,所述第二端位于所述第二边框区
。3.
根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一目标扫描线中,所述第一扫描层包括第一扫描图形和第二扫描图形,所述第二扫描层包括第三扫描图形和第四扫描图形;所述第二显示区位于所述第一扫描图形和所述第二扫描图形之间,所述第二显示区位于所述第三扫描图形和所述第四扫描图形之间;所述第一扫描图形的第一端作为所述第一扫描层的第一端,所述第二扫描图形的第二端作为所述第一扫描层的第二端,所述第三扫描图形的第一端作为所述第二扫描层的第一端,所述第四扫描图形的第二端作为所述第二扫描层的第二端;所述第一扫描图形的第二端与所述第三扫描图形的第二端耦接,所述第二扫描图形的第一端与所述第四扫描图形的第一端耦接
。4.
根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述第一目标扫描线还包括绕线部,所述绕线部位于所述第二子区,所述绕线部的至少部分围绕所述第二显示区设置;所述绕线部分别与所述第一扫描图形的第二端,第二扫描图形的第一端,第三扫描图形的第二端和第四扫描图形的第一端耦接
。5.
根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,相邻的所述第一扫描图形耦接的绕线部相互独立;或者,相邻的所述第一扫描图形耦接同一个所述绕线部
。6.
根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述多条第一扫描线划分为多组扫描组,所述扫描组包括相邻的两条第一扫描线;所述显示基板包括多个第一转接部,所述第一转接部分别与对应的所述扫描组中,各所述第一扫描层的第一端,各所述第二扫描层的第一端,以及对应的所述第一扫描驱动单元耦接
。7.
根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括多个第三转接部;所述第三转接部分别与对应的所述第一扫描线中,所述第一扫描层的第二端和所述第二扫描层的第二端耦接
。
8.
根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述扫描组中,各所述第一扫描线耦接的所述第三转接部相耦接
。9.
根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板包括沿远离所述显示基板的衬底基板的方向,依次层叠设置于所述衬底基板上的第一栅金属层
、
第二栅金属层
、
第三栅金属层
、
第一源漏金属层和第二源漏金属层;所述第一转接部的至少部分与所述第一栅金属层
、
所述第二栅金属层
...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭永林,宋江,李赫,
申请(专利权)人:成都京东方光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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