一种反铁磁单晶的生长方法技术

本发明专利技术涉及无机化合物单晶生长技术领域，具体涉及一种反铁磁单晶的生长方法

【技术实现步骤摘要】
一种反铁磁单晶的生长方法


[0001]本专利技术涉及无机化合物单晶生长
，具体涉及一种反铁磁单晶的生长方法
。

技术介绍

[0002]CsFe2Se3晶体是一种晶格常数为
a
＝
0.9843nm
，
b
＝
1.1830nm
，
c
＝
0.5690nm
，
α
＝
β
＝
γ
＝
90
°
的晶体
。
该材料是一种存在反铁磁性的准一维材料，其反铁磁相变温度大约为
T
N
～
175K
，另外有研究表明其反铁磁构型为两条腿的梯子模型，对于该材料磁性的深入探索有利于人们进一步理解铁基超导体的磁学性质
。
[0003]迄今为止，
CsFe2Se3的单晶都是通过硒化二铯和铁粉以及硒粉作为原料生长的，该方法与固态烧结法类似，将三种原料按照化学计量比
1:4:5/>配料后进行加热烧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种反铁磁单晶的生长方法，其特征在于，包括步骤：将铁粉
、
硒粉以及氯化铯进行研磨处理，得到混合粉末；将所述混合粉末置于真空并封管的石英管中，加热升温至第一温度，保温第一预定时间，降温至第二温度，保温第二预定时间，冷却后得到
CsFe2Se3反铁磁单晶
。2.
根据权利要求1所述的反铁磁单晶的生长方法，其特征在于，所述研磨处理在真空环境中进行
。3.
根据权利要求1所述的反铁磁单晶的生长方法，其特征在于，所述第一温度为
700
～
750℃
，所述第一预定时间为
10
～
12
小时
。4.
根据权利要求1所述的反铁磁单晶的生长方法，其特征在于，所述第一温度为
715℃
，所述第一预定时间为
10
小时
。5.
根据权利要求1所述的反铁磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅佳伟，张文清，岳磊，郝占阳，王乐，刘才，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：