光刻装置和器件制造方法制造方法及图纸

光刻装置和器件制造方法，一种浸没式光刻装置适用于通过防止气泡从间隙逸出到光束路径和／或排出在间隙中形成的气泡，从而防止或减小在基底台中一个或多个间隙中形成的气泡。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻装置和制造器件的方法。
技术介绍
光刻装置是将期望的图案施加到基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置 可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置或者可称为掩模或中间掩模 版，它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被传递给基底(例如 硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一个或者多个管芯)。通常这种图案的传递是通过成 像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。 一般地，单一的基底将包含被相继构图 的相邻耙部的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到耙 部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射光束下沿给定 的方向("扫描"方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描 基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图装置传递给基底上。 已经有人提议将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高折射率的液体中，如 水，从而填充投影系统的最后一个元件与基底之间的空间。由于曝光辐射在该液体中具有 更短的波长，从而能够对更小的特征进行成像。(液体的作用也可以认为是增大了系统的有 效NA(数值孔径和增加了焦深。)也有人提议其它浸液，包括其中悬浮有固体微粒(如石 英)的水。 但是，将基底或基底和基底台浸没在液体浴槽(例如参见U. S.专利 No. 4， 509， 853，在此将该文献全文引入作为参考)中意味着在扫描曝光过程中必须将大量 的液体加速。这需要附加的或功率更大的电机，并且液体中的紊流可能导致不期望和不可 预料的结果。 提出的一种用于液体供给系统的技术方案是使用液体限制系统仅在基底的局部 区域上以及投影系统的最后一个元件和基底(通常该基底具有比投影系统的最后一个元 件更大的表面区域)之间提供液体。在PCT专利申请W099/49504中公开了一种已经提出 的为该方案而布置的方式，在此将该文献全文引入作为参考。如图2和3所示，通过至少一 个入口 IN将液体提供到基底上，期望的是沿基底相对于最后一个元件的移动方向提供，并 且在流过投影系统之后通过至少一个出口 OUT去除液体。也就是说，沿-X方向在该元件下 方扫描基底，并在元件的+X方向提供液体，在-X方向接收液体。图2示意性地示出了该布 置，其中通过入口 IN提供液体，和通过与低压源相连接的出口 OUT在元件的另一侧接收液 体。在图2的说明中，沿基底相对于最后一个元件的移动方向提供液体，但是也可以不必这 样。围绕最后一个元件定位的入口和出口的各种定向和数量都是可能的，图3示出了一个 实例，其中在围绕最后一个元件的规则图案中提供了四组入口以及在另一侧的出口。
技术实现思路
在使用浸没式光刻装置制造的器件中缺陷的重要因素可能是浸液中的气泡，根据气泡的不同尺寸和位置，可能导致剂量变化和图像失真。因此非常期望的是防止气泡进入 投影系统的光路中。气泡的主要来源是基底台光滑顶面(反射镜单元)中的间隙，例如围 绕传感器单元、基准板和基底的间隙。当这种间隙通过液体供给系统(液体限制结构)时， 它们不会完全填充，而留下的气体就可能形成气泡。然后这些气泡可能从间隙中上升，并进 入投影系统和基底之间的空间。 因此，有利的是例如提供一种或多种布置，用于防止在基底台顶面的间隙中形成 气泡，从而防止在器件的制造中导致成像缺陷。 根据本专利技术的一个方面，提供一种光刻装置，其配置成将所需图案的图像透过液体投影到保持于基底台的基底上，在基底台表面中存在位于基底台和基底的外缘之间或者基底台和安装于基底台上的其它元件之间的间隙，在正常使用时，液体与所述间隙接触，所述间隙具有气泡保持装置，该气泡保持装置配置成保持在间隙中产生的任何气泡。 根据本专利技术的另一个方面，提供一种光刻装置，其配置成将所需图案的图像透过液体投影到保持于基底台的基底上，在基底台表面中存在位于基底台和基底的外缘之间或者基底台和安装于基底台上的另一元件之间的间隙，在正常使用时，液体与所述间隙接触，所述间隙被分成多个段。 根据本专利技术的另一个方面，提供一种光刻装置，其配置成将所需图案的图像透过 液体投影到保持于基底台的基底上，在基底台表面中存在位于基底台和基底的外缘之间或 者基底台和安装于基底台上的其它元件之间的间隙，在正常使用时，液体与所述间隙接触， 所述装置包括配置成从所述间隙排出液体、气体或两者的装置。 根据本专利技术的另一个方面，提供一种光刻装置，其配置成将所需图案的图像透过 液体投影到保持于基底台的基底上，在基底台表面中存在位于基底台和基底的外缘之间或 者基底台和安装于基底台上的其它元件之间的间隙，在正常使用时，液体与所述间隙接触， 所述装置还包括配置将液体提供到所述间隙的装置。 根据本专利技术的另一个方面，提供一种器件制造方法，其中使期望图案的图像透过 液体投影到保持于基底台的基底上，在基底台表面中存在位于基底台和基底的外缘之间或 者在基底台和安装于基底台上的其它元件之间的间隙，在正常使用时，液体与所述间隙接 触，该方法包括从所述间隙排出液体、气体或两者，并使用气泡保持装置将所述间隙中的气 泡保持于其中。附图说明 现在仅仅通过实例的方式，参考随附的示意图描述本专利技术的各个实施例，其中相 应的参考标记表示相应的装置，其中 图1示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻装置； 图2和3示出了在光刻投影装置中使用的液体供给系统； 图4示出了在光刻投影装置中使用的另一种液体供给系统； 图5示出了在光刻投影装置中使用的又一种液体供给系统； 图6示出了根据本专利技术的一个实施例在基底台和基底之间的间隙； 图7示出了根据本专利技术的另一个实施例在基底台和基底之间的间隙； 图8示出了根据本专利技术的另一个实施例在基底台和基底之间的间隙； 图9示出了根据本专利技术的另一 图10示出了根据本专利技术的另- 图11示出了根据本专利技术的另- 图12示出了根据本专利技术的另- 图13示出了根据本专利技术的另- 图14示出了根据本专利技术的另-个实施例在基底台和基底之间的间隙； -个实施例在基底台和基底之间的间隙； -个实施例在基底台和基底之间的间隙； -个实施例在基底台和基底之间的间隙； -个实施例在基底台和基底之间的间隙；以及 -个实施例在基底台和基底之间的间隙。具体实施例方式图1示意性地表示了根据本专利技术的一个实施例的光刻装置。该装置包括 照射系统(照射器)IL，其配置成调节辐射光束PB (例如UV辐射或DUV辐射)； 支撑结构(例如掩模台)MT，其配置成支撑构图装置(例如掩模)MA，并与配置成 依照某些参数将该构图装置精确定位的第一定位装置PM连接； 基底台(例如晶片台)WT，其配置成保持基底(例如涂敷抗蚀剂的晶片)W，并与配 置成依照某些参数将基底精确定位的第二定位装置PW连接；以及 投影系统(例如折射投影透镜系统)PS，其配置成利用构图装置MA将赋予给辐射光束PB的图案投影到基底W的靶部C(例如包括一个或多个管芯)上。 照射系统可以包括各种类型的光学装置，例如包括用于引导、整形或者控制辐射的折射光学装置、反射光学装置、磁性光学装置、电磁光学装置、静电光学装置或其它类型的光学装置，或者其任意组合。 支撑结构可以一种方式保持构图装置，该方式取决于构图本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻装置，用于将所需图案的图像透过液体投影到保持于基底台的基底上，在基底台的表面中以基底台上表面中的凹槽的形式存在间隙，或者在基底台和安装于基底台上的传感器单元或基准板之间存在间隙，或者在基底台和基底的外缘之间存在间隙，在正常使用时，液体与所述间隙接触，其中在所述间隙中设有用于排出液体、气体或者这两者的装置，所述装置包括排出装置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：B斯特利夫科克，SNL董德斯，RF德格拉夫，CA霍根大姆，MHA李恩德斯，JJSM马坦斯，M里庞，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]