【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻装置和制造器件的方法。
技术介绍
光刻装置是将期望的图案施加到基底上通常是基底靶部上的一种装置。光刻装置 可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置或者可称为掩模或中间掩模 版，它可用于产生形成在IC的一个单独层上的电路图案。该图案可以被传递给基底(例如 硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一个或者多个管芯)。通常这种图案的传递是通过成 像在涂敷于基底的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。 一般地，单一的基底将包含被相继构图 的相邻耙部的网格。已知的光刻装置包括所谓的步进器，它通过将整个图案一次曝光到耙 部上而辐射每一靶部，已知的光刻装置还包括所谓的扫描器，它通过在辐射光束下沿给定 的方向("扫描"方向)扫描所述图案，并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描 基底来辐射每一靶部。还可以通过将图案压印到基底上把图案从构图装置传递给基底上。 已经有人提议将光刻投影装置中的基底浸入具有相对较高折射率的液体中，如 水，从而填充投影系统的最后一个元件与基底之间的空间。由于曝光辐射在该液体中具有 更短的波长，从而能够对更小的特征进行成像。(液体...
【技术保护点】
一种光刻装置，用于将所需图案的图像透过液体投影到保持于基底台的基底上，在基底台的表面中以基底台上表面中的凹槽的形式存在间隙，或者在基底台和安装于基底台上的另外的传感器单元或基准板之间存在间隙，或者在基底台和基底的外缘之间存在间隙，在正常使用时，液体与所述间隙接触，其中所述间隙的表面涂覆有疏水涂层。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：B斯特利夫科克，SNL董德斯，RF德格拉夫，CA霍根大姆，MHA李恩德斯，JJSM马坦斯，M里庞，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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