一种图形轮廓检测方法技术

本发明专利技术公开了一种图形轮廓检测方法

【技术实现步骤摘要】
一种图形轮廓检测方法、装置及存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及光刻仿真
，尤其涉及一种图形轮廓检测方法
、
装置及存储介质
。

技术介绍

[0002]在半导体工艺中，光刻工艺具有极其重要的地位，可将特定的图形复刻至光刻胶层上
。
随着半导体技术的发展，光刻工艺可复刻的图形尺寸限度逐渐减小，精度逐渐提高
。
[0003]目前，为提高集成电路的生产良率，在光刻工序中，通过对设计版图进行修正，可避免形成的光刻图形中的大多数光刻缺陷
。
但受到光刻工艺及其他因素的影响，经修正后形成的光刻图形中仍会在局部区域出现缺陷，例如：桥连和颈缩等缺陷，导致集成电路功能失效
。
因此，对设计版图进行光刻仿真，并对仿真得到的光刻图形轮廓进行缺陷检测具有重要意义
。
然而，现有技术中对仿真后的光刻图形轮廓进行缺陷检测的方法包括图形匹配和机器学习等方法，但这些方法均存在计算效率低及准确率较低的问题
。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种图形轮廓检测方法
、
装置及存储介质，以提高对图形轮廓进行缺陷检测的计算效率和准确率
。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种图形轮廓检测方法，包括：
[0006]获取版图图形轮廓和光学成像轮廓；其中，所述版图图形轮廓包括第一顶点，相邻两所述第一顶点之间的线段为第一线段；所述光学成像轮廓包括第二顶点，相邻两所述第二顶点之间的线段为第二线段；
[0007]根据预设第一线段和相对的所述第一顶点，确定初始计算区间和第一关键尺寸；所述初始计算区间对应所述预设第一线段的至少部分；所述第一关键尺寸为沿第一方向，所述预设第一线段与对向第一线段之间的距离，所述第一方向与所述预设第一线段的延伸方向垂直；
[0008]根据所述初始计算区间对应的至少一个所述第二顶点，确定至少一个目标计算区间；其中，所述目标计算区间中包括所述预设第一线段的至少部分和所述对向第一线段的至少部分，以及两条所述第二线段；
[0009]计算所述目标计算区间中的第二关键尺寸，并根据所述第一关键尺寸和所述第二关键尺寸，对所述预设第一线段和所述对向第一线段在所述第一方向上对应的所述第二线段进行缺陷检测；其中，所述第二关键尺寸为两条所述第二线段之间的距离
。
[0010]可选地，所述根据预设第一线段和相对的所述第一顶点，确定初始计算区间和第一关键尺寸，包括：
[0011]根据所述预设第一线段，以及由所述预设第一线段向所述第一方向偏移第一距离的位置，建立第一筛选范围；所述第一筛选范围为以所述预设第一线段作为其中一边的矩形范围；
[0012]根据所述版图图形轮廓和所述第一筛选范围，筛选所述第一筛选范围内的所述第一线段，以作为所述对向第一线段；其中，所述对向第一线段与所述预设第一线段平行；
[0013]根据所述对向第一线段上的所述第一顶点，向所述预设第一线段作垂线，以对所述预设第一线段进行划分，确定至少一个所述初始计算区间以及所述初始计算区间的所述第一关键尺寸
。
[0014]可选地，所述根据所述初始计算区间对应的至少一个所述第二顶点，确定至少一个目标计算区间，包括：
[0015]根据由所述预设第一线段的至少部分向所述第一方向偏移第二距离的位置，以及由所述预设第一线段的至少部分向所述第一方向的反方向偏移第三距离的位置，建立第二筛选范围；其中，所述第二距离为所述第一关键尺寸与所述第三距离的加和；
[0016]根据所述第二筛选范围，筛选出所述第二筛选范围内的所述第二顶点；
[0017]根据所述第二顶点，向所述预设第一线段作垂线，以对所述预设第一线段的至少部分进行划分，确定至少一个所述目标计算区间
。
[0018]可选地，所述计算所述目标计算区间中的第二关键尺寸，包括：
[0019]在所述目标计算区间中，根据由所述预设第一线段的至少部分向所述第一方向偏移第二距离的位置，以及由所述预设第一线段的至少部分向所述第一方向的反方向偏移第三距离的位置，建立第三筛选范围；其中，所述第二距离为所述第一关键尺寸与所述第三距离的加和；
[0020]根据所述第三筛选范围，筛选出所述第三筛选范围内的两条所述第二线段；
[0021]计算两条所述第二线段上各位置之间的所述第二关键尺寸
。
[0022]可选地，所述计算两条所述第二线段上各位置之间的所述第二关键尺寸，包括：
[0023]根据两条所述第二线段之间的最大关键尺寸和最小关键尺寸，以及所述预设第一线段在所述第一方向上与所述第二线段对应部分的长度，确定两条所述第二线段上各位置之间的所述第二关键尺寸；其中，两条所述第二线段上各位置之间的所述第二关键尺寸线性变化
。
[0024]可选地，对同一所述光学成像轮廓中相对的所述第二线段进行缺陷检测，所述第一方向为沿所述预设第一线段的延伸方向逆时针旋转
90
°
的方向；
[0025]对不同所述光学成像轮廓中相对的所述第二线段进行缺陷检测，所述第一方向为沿所述预设第一线段的延伸方向顺时针旋转
90
°
的方向
。
[0026]可选地，所述根据所述第一关键尺寸和所述第二关键尺寸，对所述预设第一线段和所述对向第一线段在所述第一方向上对应的所述第二线段进行缺陷检测，包括：
[0027]对所述第二关键尺寸和所述第一关键尺寸作商得到比值；
[0028]将所述比值与第一缺陷阈值进行比较，若所述比值小于所述第一缺陷阈值，则确定所述第二线段存在缺陷；
[0029]或者，
[0030]对所述第二关键尺寸和所述第一关键尺寸作差得到差值；
[0031]将所述差值与第二缺陷阈值进行比较，若所述差值小于所述第二缺陷阈值，则确定所述第二线段存在缺陷
。
[0032]可选地，所述获取版图图形轮廓和光学成像轮廓，包括：
[0033]获取版图图形轮廓；
[0034]对所述版图图形轮廓进行修正，得到图形修正轮廓；
[0035]对所述图形修正轮廓进行光刻仿真计算，得到所述光学成像轮廓
。
[0036]根据本专利技术的另一方面，提供了一种图形轮廓检测装置，包括：
[0037]图形获取模块，用于获取版图图形轮廓和光学成像轮廓；其中，所述版图图形轮廓包括第一顶点，相邻两所述第一顶点之间的线段为第一线段；所述光学成像轮廓包括第二顶点，相邻两所述第二顶点之间的线段为第二线段；
[0038]初始区间确定模块，用于根据预设第一线段和相对的所述第一顶点，确定初始计算区间和第一关键尺寸；所述初始计算区间对应所述预设第一线段的至少部分；所述第一关键尺寸为沿第一方向，所述预设第一线段与对向第一线段之间的距离，所述第一方向与所述预设第一线段的延伸方向垂直；
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种图形轮廓检测方法，其特征在于，包括：获取版图图形轮廓和光学成像轮廓；其中，所述版图图形轮廓包括第一顶点，相邻两所述第一顶点之间的线段为第一线段；所述光学成像轮廓包括第二顶点，相邻两所述第二顶点之间的线段为第二线段；根据预设第一线段和相对的所述第一顶点，确定初始计算区间和第一关键尺寸；所述初始计算区间对应所述预设第一线段的至少部分；所述第一关键尺寸为沿第一方向，所述预设第一线段与对向第一线段之间的距离，所述第一方向与所述预设第一线段的延伸方向垂直；根据所述初始计算区间对应的至少一个所述第二顶点，确定至少一个目标计算区间；其中，所述目标计算区间中包括所述预设第一线段的至少部分和所述对向第一线段的至少部分，以及两条所述第二线段；计算所述目标计算区间中的第二关键尺寸，并根据所述第一关键尺寸和所述第二关键尺寸，对所述预设第一线段和所述对向第一线段在所述第一方向上对应的所述第二线段进行缺陷检测；其中，所述第二关键尺寸为两条所述第二线段之间的距离
。2.
根据权利要求1所述的图形轮廓检测方法，其特征在于，所述根据预设第一线段和相对的所述第一顶点，确定初始计算区间和第一关键尺寸，包括：根据所述预设第一线段，以及由所述预设第一线段向所述第一方向偏移第一距离的位置，建立第一筛选范围；所述第一筛选范围为以所述预设第一线段作为其中一边的矩形范围；根据所述版图图形轮廓和所述第一筛选范围，筛选所述第一筛选范围内的所述第一线段，以作为所述对向第一线段；其中，所述对向第一线段与所述预设第一线段平行；根据所述对向第一线段上的所述第一顶点，向所述预设第一线段作垂线，以对所述预设第一线段进行划分，确定至少一个所述初始计算区间以及所述初始计算区间的所述第一关键尺寸
。3.
根据权利要求2所述的图形轮廓检测方法，其特征在于，所述根据所述初始计算区间对应的至少一个所述第二顶点，确定至少一个目标计算区间，包括：根据由所述预设第一线段的至少部分向所述第一方向偏移第二距离的位置，以及由所述预设第一线段的至少部分向所述第一方向的反方向偏移第三距离的位置，建立第二筛选范围；其中，所述第二距离为所述第一关键尺寸与所述第三距离的加和；根据所述第二筛选范围，筛选出所述第二筛选范围内的所述第二顶点；根据所述第二顶点，向所述预设第一线段作垂线，以对所述预设第一线段的至少部分进行划分，确定至少一个所述目标计算区间
。4.
根据权利要求2所述的图形轮廓检测方法，其特征在于，所述计算所述目标计算区间中的第二关键尺寸，包括：在所述目标计算区间中，根据由所述预设第一线段的至少部分向所述第一方向偏移第二距离的位置，以及由所述预设第一线段的至少部分向所述第一方向的反方向偏移第三距离的位置，建立第三筛选范围；其中，所述第二距离为所述第一关键尺寸与所述第三距离的加和；根据所述第三筛选范围，筛选出所述第三筛选范围内的两条所述第二线段；
计算两条所述第二线段上各位置之间的所述第二关键尺寸
。5.
根据权利要求4所述的图形轮廓检测方法，其特征在于，所述计算...

【专利技术属性】
技术研发人员：李田，田世明，姚康政，席娟，陈雪莲，
申请(专利权)人：苏州培风图南半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：