【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有竖直热路径的高功率裸片散热器
[0001]本公开的各方面总体上涉及半导体器件,包括并入半导体器件的电子设备,并且更具体但不排他地涉及高功率裸片
、
功率放大器模块和相关器件及其制造技术
。
技术介绍
[0002]集成电路技术通过有源组件的小型化在提高计算能力方面取得了长足进步
。
诸如倒装芯片器件等各种封装件技术可以在很多电子设备中找到,包括处理器
、
服务器
、
射频
(RF)
集成电路等
。
倒装芯片封装件技术在高引脚数器件中变得具有成本效益
。
先进的封装件和处理技术允许系统级封装
(SiP)
器件,其可以包括多个功能块,其中每个功能块被设计为执行特定功能,例如微处理器功能
、
图形处理单元
(GPU)
功能
、RF
前端
(RFFE)
功能
、
通信功能
(
例如,
Wi
‑
Fi、
蓝牙和其他通信
)
等
。
[0003]新
RF
技术中要支持的频带和
CA(
载波聚合
)
组合的数目不断增加导致
RFFE
模块中要集成的组件的复杂性和数目增加
。
这继而给改进集成技术以限制模块大小带来了压力
。
限制模块大小不仅会影 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种装置,包括:高功率裸片,安装在封装件衬底的背侧上;传热层,设置在所述高功率裸片的所述背侧上;以及多个散热器互连件,耦合到所述传热层,其中所述多个散热器互连件定位为在水平方向上与所述高功率裸片相邻
。2.
根据权利要求1所述的装置,其中所述高功率裸片是声波裸片或功率放大器
。3.
根据权利要求1所述的装置,还包括:热传导器,设置在所述封装件衬底中,其中所述热传导器耦合到所述高功率裸片的多个前侧接触件
。4.
根据权利要求3所述的装置,其中所述热传导器包括所述封装件衬底的多个金属层
。5.
根据权利要求3所述的装置,其中所述热传导器耦合到所述多个散热器互连件或多个信号互连件,所述多个信号互连件耦合到地
。6.
根据权利要求1所述的装置,其中所述多个散热器互连件耦合到地
。7.
根据权利要求1所述的装置,其中所述高功率裸片还包括:多个散热器过孔,从所述传热层延伸到所述高功率裸片中
。8.
根据权利要求1所述的装置,还包括:耦合到所述封装件衬底的前侧的至少一个其他裸片或表面安装器件,其中所述至少一个其他裸片或表面安装器件通过所述封装件衬底电耦合到所述高功率裸片
。9.
根据权利要求1所述的装置,其中所述高功率裸片具有至少
0.25
瓦的功率耗散额定值
。10.
根据权利要求1所述的装置,其中所述装置选自由以下组成的组:音乐播放器
、
视频播放器
、
娱乐单元
、
导航设备
、
通信设备
、
移动设备
、
移动电话
、
智能电话
、
个人数字助理
、
固定位置终端
、
平板计算机
、
计算机
、
可穿戴设备
、
物联网
(IoT)
设备
、
膝上型计算机
、
服务器
、
接入点
、
基站
、
小型蜂窝设备和机动交通工具中的设备
。11.
根据权利要求1所述的装置,其中所述多个散热器互连件围绕所述高功率裸片的周边分布
。12.
根据权利要求1所述的装置,其中所述多个散热器互连件中的至少一个散热器互连件位于所述高功率裸片的每侧上
。13.
根据权利要求
12
所述的装置,还包括:多个信号互连件,定位为在水平方向上与所述高功率裸片相邻,其中所述多个信号互连件中的至少一个信号互连件定位为与所述多个散热器互连件中的至少一个散热器互连件相邻
。14.
根据权利要求1所述的装置,还包括:散热器板,直接设置在所述裸片上并且耦合到所述传热层
。15.
根据权利要求
14
所述的装置,其中所述散热器板由以下中的至少一者形成:银
、
铜
、
金
、
铝
、
钛
、
镍
、
合金或其堆叠组合
。16.
根据权利要求1所述的装置,其中所述传热层由银膏形成
。17.
根据权利要求
16
所述的装置,其中所述多个散热器互连件中的每个散热器互连件包括:
具有凹陷部分的金属柱,其中所述传热层耦合到所述金属柱的所述凹陷部分;以及焊料部分,耦合到所述金属柱
。18.
根据权利要求
17
所述的装置,其中所述金属柱是铜
。19.
根据权利要求
16
所述的装置,还包括:模制化合物,包封所述高功率裸片和所述多个散热器互连件中的每个散热器互连件的一部分,其中所述传热层的背侧从所述模制化合物暴露
。20.
根据权利要求1所述的装置,其中所述传热层由金属镀覆形成
。21.
根据权利要求
20
所述的装置,其中所述多个散热器互连件中的每个散热器互连件包括:金属柱;所述传热层的一部分,耦合到所述金属柱;以及焊料部分,耦合到所述传热层的所述一部分
。2...
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