一种图像传感器的形成方法及图像传感器技术

本发明专利技术提供一种图像传感器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底下部至少包括第一掺杂层和第一衬底层；在栅极形成之前，通过刻蚀工艺和至少一次外延工艺在所述半导体衬底中形成侧向

【技术实现步骤摘要】
一种图像传感器的形成方法及图像传感器


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种图像传感器的形成方法及图像传感器
。

技术介绍

[0002]互补金属氧化物半导体图像传感器（
CMOS Image Sensor
，
CIS
）是将接受到的光学图像信号转化为电信号输出的一种半导体器件
。
当下主流
CIS
采用硅基工艺，一般包括光敏感像素（通常称为光电二极管）阵列和用于将所感测的光处理为电信号的外围逻辑电路（器件）
。
[0003]随着半导体集成电路制造工艺的不断进步，像素尺寸因此得以不断减小
。
同时，新兴场景应用，如安防监控
、
车载影像
、
机器视觉等，对
CIS
性能提出了更高要求
。
当
CIS
处于高亮场景时，像素感光单元的光生电子会超出像素满阱容量（
Full Well Capacity, FWC
），多余的电子会溢出至相邻的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底下部至少包括第一掺杂层和第一衬底层；在栅极形成之前，通过刻蚀工艺和至少一次外延工艺在所述半导体衬底中形成侧向
PN
结，所述侧向
PN
结底部在所述第一掺杂层中；于所述第一掺杂层形成空穴导出回路，并于所述第一衬底层形成垂直溢漏
。2.
如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述提供半导体衬底包括：提供第二衬底层；在所述第二衬底层的一侧形成所述第一掺杂层，所述第一掺杂层的掺杂类型与所述第二衬底层的掺杂类型相反；在所述第一掺杂层的另一侧形成所述第一衬底层，所述第一衬底层的掺杂类型与所述第二衬底层的掺杂类型相同
。3.
如权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述形成所述第一掺杂层之后，所述形成所述第一衬底层之前，还包括：通过外延工艺在所述第一掺杂层表面形成第一缓冲层
。4.
如权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在所述形成所述第一掺杂层之前，还包括：通过外延工艺在所述第二衬底层表面形成第二缓冲层
。5.
如权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂层通过外延工艺或离子注入工艺形成
。6.
如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述于所述第一掺杂层形成空穴导出回路包括：于所述第一掺杂层接入
0V
电压或负电压
。7.
如权利要求1所述的图像...

【专利技术属性】
技术研发人员：冒伟伟，
申请(专利权)人：格科微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：