ＥＬ装置、用于形成导电膜的感光材料和导电膜制造方法及图纸

一种ＥＬ装置（１），其包含：透明支持体（２１）、导电层（２）、荧光体层（３）、反射绝缘层（４）和背电极（５）；其中所述导电层（２）、所述荧光体层（３）、所述反射绝缘层（４）和所述背电极（５）依序设置在所述透明支持体（２１）上，和其中所述导电层（２）包含量为０．０５ｇ／ｍ２以上的二氧化硅。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种EL装置、用于形成导电膜的感光材料和导电膜。
技术介绍
近年来，已经研究了通过各种制造方法获得的导电膜。在这些导电膜中，有 通过以下方法制造的银盐基导电膜，其中涂布卤化银乳剂层，然后图案曝光，使得可以 形成具有提供导电性的银的导电部和确保透明性的开口部的图案形状(参见，例如， JP-A-2004-221564 ( “ JP-A”指未经审查公布的日本专利申请)、JP-A-2004-221565、 JP-A-2007-95408 和 JP-A-2006-332459)。已经研究了上述银盐基导电膜的各种用途。本专利技术人研究了无机EL装置，集中在 作为面电极的无机EL的用途。例如，通过将荧光体层(phosphor layer)、反射绝缘层和背电 极的一体件贴合在导电膜(透明电极)上来形成装置的方法，或通过在导电膜上依序印刷 荧光体层、反射绝缘层、背电极和绝缘层来形成装置的方法，可以得到无机EL装置。然而， 当通过上述贴合形成无机EL装置时，特别地，当使用银盐基导电膜制作无机EL装置时，导 电膜和荧光体层之间的粘合性不足。如果粘合性不充分，当切断装置时，在透明电极和荧光 体层之间出现空隙。结果，在使用装置时或在发光时，可能会出现由于空隙造成的黑点缺 陷。
技术实现思路
本专利技术在于一种EL装置，其包含透明支持体，导电层，荧光体层，反射绝缘层，和背电极；其中所述导电层、所述荧光体层、所述反射绝缘层和所述背电极依序设置在所述 透明支持体上，和其中所述导电层包含量为0. 05g/m2以上的二氧化硅。此外，本专利技术在于一种用于形成导电膜的感光材料，其包含透明支持体，和设在所述透明支持体上的含有银盐的乳剂层；其中设在含有银盐的乳剂层侧上的层中的至少一层包含量为0. 05g/m2以上的二氧化硅。此外，本专利技术在于一种导电膜，其包含通过对用于形成导电膜的感光材料进行曝 光和显影而形成的导电部；其中所述感光材料包含透明支持体和设在所述透明支持体上的含有银盐的乳剂层；和其中设在含有银盐的乳剂层侧上的层中的至少一层包含量为0. 05g/m2以上的二氧化硅。从以下结合附图的说明中可以更清楚地知晓本专利技术的其他和进一步特征及优点。 附图说明图1是本专利技术的一个优选实施方案的无机EL装置(元件)的剖面图。图2是图1所示的无机EL装置的导电膜(透明电极)的放大剖面图。图3是实施例中的粘合强度的测量结果的示图。附图标记说明1无机EL装置2透明电极(透明导电膜)3荧光体层(荧光体粒子层)4反射绝缘层(介电层)5背电极6,7电极8银膏(辅助电极)9绝缘膏21透明支持体22下涂层(Gel层)23含有导电微粒的层(氧化锡层)24导电层(银网状图案)25胶体二氧化硅粒子31荧光体粒子具体实施例方式根据本专利技术，提供以下方式(1) 一种EL装置，其包含透明支持体，导电层，荧光体层，反射绝缘层，和背电极；其中所述导电层、所述荧光体层、所述反射绝缘层和所述背电极依序设置在所述 透明支持体上，和其中所述导电层包含量为0. 05g/m2以上的二氧化硅。(2)如上述项(1)所述的EL装置，其中二氧化硅的含量为0. 16g/m2以上。(3)如上述项(1)或⑵所述的EL装置，其中所述导电层包含第一导电层、电阻高于所述第一导电层的第二导电层和含有二氧化硅的含二氧化硅层，和其中所述含二氧化硅层中的二氧化硅的含量为6体积％以上。(4) 一种用于形成导电膜的感光材料，其包含透明支持体，和设在所述透明支持体上的含有银盐的乳剂层；其中设在含有银盐的乳剂层侧上的层中的至少一层包含量为0. 05g/m2以上的二氧化硅。(5)如上述项(4)所述的用于形成导电膜的感光材料，其中二氧化硅的含量为 0. 16g/m2 以上。(6)如上述项⑷或(5)所述的用于形成导电膜的感光材料，其中位于含有银盐的 乳剂层侧的最外层含有二氧化硅。(7)如上述项⑷ (6)中任一项所述的用于形成导电膜的感光材料，其中所述含 有银盐的乳剂层和位于含有银盐的乳剂层侧上的任何其他层中的至少一个包含导电微粒 和粘结剂。(8)如上述项(4) (7)中任一项所述的用于形成导电膜的感光材料，其中所述材料包含在含有银盐的乳剂层侧上的含有二氧化硅的含二氧化硅层，和其中所述含二氧化硅层中的二氧化硅的含量为6体积％以上。(9) 一种导电膜，其包含通过对用于形成导电膜的感光材料进行曝光和显影而形 成的导电部；其中所述感光材料包含透明支持体和设在所述透明支持体上的含有银盐的乳剂 层；和其中设在含有银盐的乳剂层侧上的层中的至少一层包含量为0. 05g/m2以上的二氧化硅。(10)如上述项(9)所述的导电膜，其雾度为20% 50%。在本专利技术中，“(支持体的)含有银盐的乳剂层侧”或“导电层侧”指与透明支持体 的背面侧相对的支持体侧，即，其上设置至少含有银盐的乳剂层或导电层的支持体侧。本专利技术的用于形成导电膜的感光材料(下面，也称作“导电膜形成用感光材料”) 具有在透明支持体上的含有银盐的乳剂层，并且含有银盐的乳剂层侧上的层中的至少一层 含有量为0.05g/m2以上的二氧化硅。根据本专利技术的导电膜形成用感光材料的这种构成，可 以形成EL装置的导电膜和荧光体层之间的粘合性优异的导电膜，从而可以制作具有优异 的光学性能的EL装置。尽管导电膜和荧光体层之间的粘合性变得优异的原因还不确定，但 推断如下粘合性增强是由于所含的二氧化硅(特别是胶体二氧化硅)的锚定效果和有关 二氧化硅的粘合效果引起的。二氧化硅含量优选为0. 16g/m2以上，更优选0. 24g/m2以上。二氧化硅含量优选为 0. 5g/m2以下，更优选0.4g/m2以下。如果二氧化硅含量过大，在制造过程中二氧化硅的分 散可能会变难，和/或表面状态可能会变差。如果二氧化硅含量不足，荧光体层和导电膜之 间的粘合性变差。关于本专利技术的导电膜形成用感光材料，例如，可以考虑在透明支持体上基本上仅 具有含有银盐的乳剂层的实施方案和在透明支持体上具有含有银盐的乳剂层、含有导电微 粒的层和含二氧化硅层的实施方案。在其中基本上仅含有银盐的乳剂层设置在透明支持体 上的实施方案的情况下，二氧化硅包含在含有银盐的乳剂层中。在透明支持体上具有含有银盐的乳剂层、含有导电微粒的层和含二氧化硅层的实 施方案的情况下，按整个含二氧化硅层计，二氧化硅的含量优选为6体积％以上，进一步优 选15体积％以上。按整个含二氧化硅层计，二氧化硅的含量优选为50体积％以下。按体 积基准计的上限值和下限值的技术含义与按质量基准计的那些相同。关于二氧化硅，优选使用胶体状的二氧化硅(胶体二氧化硅)。胶体二氧化硅是指平均粒径lnm以上和lym以下的硅酸酐的微粒的胶体，可以参考JP-A-53-112732、 JP-B-57-9051 (“JP-B”指经审查的日本专利公布)和JP-B-57-51653中记载的那些。所述 胶体二氧化硅可以通过溶胶-凝胶法制备并被使用，还可以使用市售品。在通过溶胶-凝胶法制备胶体二氧化硅的情况下，可以参考例如WernerStober 等人，“J. Colloid and Interface Sci. ”，26，p. 62-69 (1968) ；Ricky D. Badley 等人， "Langmuir”，6，p.7本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＥＬ装置，其包含：透明支持体，导电层，荧光体层，反射绝缘层，和背电极；其中所述导电层、所述荧光体层、所述反射绝缘层和所述背电极依序设置在所述透明支持体上，和其中所述导电层包含量为０．０５ｇ／ｍ↑［２］以上的二氧化硅。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：德永司，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]