一种提高制造技术

本实用新型专利技术提供一种提高

【技术实现步骤摘要】
一种提高ITO镀膜均匀性的载片盘


[0001]本技术涉及
LED
芯片制造
，特别涉及一种提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘
。

技术介绍

[0002]ITO
薄膜良好的导电性能
、
透光率和高的红外反射而被广泛应用于大屏幕液晶显示器
、
彩色等离子体显示器和电场致发光显示器等高科技领域，可用于卫星的空间防静电
、
玻璃除霜
、
制造液晶显示器的透明电极等
。ITO
的制备常用方法有
CVD(
化学气相沉积
)、PVD(
物理气相沉积
)、SOL
‑
GEL(
溶胶
‑
凝胶法
)、
微波
ECR
等离子体反应沉积
、
脉冲激光沉积和喷射热分解等，而磁控溅射沉积技术具有成膜率高
、
均匀性好
、
针孔少
、
纯度高
>、
膜厚可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，用于承载晶圆，其特征在于，所述提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘包括底盘和本体部，所述本体部位于所述底盘的上方，所述本体部包括第一载片区和第二载片区，所述第一载片区与所述第二载片区连接，所述本体部还包括顶升结构，所述顶升结构位于所述第二载片区远离所述第一载片区的一侧，所述顶升结构与所述底盘滑动连接，所述顶升结构靠近所述第二载片区的一面呈阶梯状的顶升阶梯，所述顶升阶梯由多个斜坡段和多个平直段交替层叠形成，所述顶升结构沿所述第二载片区朝向所述第一载片区的方向滑动，所述第二载片区靠近所述顶升结构的一端被顶升至各所述平直段上，以使所述第二载片区靠近所述顶升结构的一端向上抬起
。2.
根据权利要求1所述的提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，其特征在于，所述本体部包括多个所述第二载片区，各所述第二载片区环绕所述第一载片区外边缘等距离间隔设置
。3.
根据权利要求2所述的提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，其特征在于，各所述第二载片区远离所述第一载片区的一端均呈弧形状
、
且弧度一致
。4.
根据权利要求3所述的提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，其特征在于，所述顶升阶梯处的各所述斜坡段和各所述平直段均呈弧形状
、
且所述顶升阶梯处的弧度与所述第二载片区远离所述第一载片区的一端的弧度一致
。5.
根据权利要求1所述的提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，其特征在于，所述提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘还包括围合部，所述围合部位于所述本体部的外围
、
且罩设于所述顶升结构之上，所述围合部内开设有第一滑动槽，所述第一滑动槽的宽度与所述顶升结构靠近所述围合部的宽度一致，以使所述顶升结构在所述第一滑动槽内滑动
。6.
根据权利要求5所述的提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，其特征在于，所述顶升结构靠近所述围合部的一侧设有推拉组件，所述推拉组件包括推拉杆和指套环，所述指套环位于所述推拉杆...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志凤，康龙，李文浩，董国庆，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：