一种提高制造技术

本实用新型专利技术提供一种提高

【技术实现步骤摘要】
一种提高ITO镀膜均匀性的载片盘


[0001]本技术涉及
LED
芯片制造
，特别涉及一种提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘
。

技术介绍

[0002]ITO
薄膜良好的导电性能
、
透光率和高的红外反射而被广泛应用于大屏幕液晶显示器
、
彩色等离子体显示器和电场致发光显示器等高科技领域，可用于卫星的空间防静电
、
玻璃除霜
、
制造液晶显示器的透明电极等
。ITO
的制备常用方法有
CVD(
化学气相沉积
)、PVD(
物理气相沉积
)、SOL
‑
GEL(
溶胶
‑
凝胶法
)、
微波
ECR
等离子体反应沉积
、
脉冲激光沉积和喷射热分解等，而磁控溅射沉积技术具有成膜率高
、
均匀性好
、
针孔少
、
纯度高
、
膜厚可控
、
重复性好
、
可大面积成膜等优点而得到广泛研究和应用
。
[0003]现有技术当中，沉积
ITO
膜的机台使用的载片盘为圆盘状，盘上载片台各位置均处于同一平面上，即承载晶圆后，晶圆各位置的靶间距一致，然而当前载片盘存在着：所镀膜层呈现越靠近载片盘圆边，膜层越薄的现象
、
不能根据镀膜的实际情况合理地控制晶圆距离靶材的间距，导致镀膜均匀性较差的问题
。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，旨在解决现有技术中所镀膜层呈现越靠近载片盘圆边，膜层越薄的现象
、
不能根据镀膜的实际情况合理地控制晶圆距离靶材的间距，导致镀膜均匀性较差的技术问题
。
[0005]为了实现上述目的，本技术是通过如下技术方案来实现的：
[0006]一种提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，用于承载晶圆，所述提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘包括底盘和本体部，所述本体部位于所述底盘的上方，所述本体部包括第一载片区和第二载片区，所述第一载片区与所述第二载片区连接，所述本体部还包括顶升结构，所述顶升结构位于所述第二载片区远离所述第一载片区的一侧，所述顶升结构与所述底盘滑动连接，所述顶升结构靠近所述第二载片区的一面呈阶梯状的顶升阶梯，所述顶升阶梯由多个斜坡段和多个平直段交替层叠形成，所述顶升结构沿所述第二载片区朝向所述第一载片区的方向滑动，所述第二载片区靠近所述顶升结构的一端被顶升至各所述平直段上，以使所述第二载片区靠近所述顶升结构的一端向上抬起
。
[0007]与现有技术相比，本技术的有益效果在于：
[0008]通过顶升结构的顶升阶梯带动第二载片区的外侧向上移动，使第二载片区的外侧更靠近靶材，克服了载片盘外侧膜层薄于内侧膜层的缺陷，提高了镀膜均匀性，并能通过顶升阶梯处的多个平直段控制第二载片区上升的高度，以根据实际情况合理地控制晶圆距离靶材的间距
。
[0009]进一步的，所述本体部包括多个所述第二载片区，各所述第二载片区环绕所述第一载片区外边缘等距离间隔设置
。
[0010]进一步的，各所述第二载片区远离所述第一载片区的一端均呈弧形状
、
且弧度一致
。
[0011]进一步的，所述顶升阶梯处的各所述斜坡段和各所述平直段均呈弧形状
、
且所述顶升阶梯处的弧度与所述第二载片区远离所述第一载片区的一端的弧度一致
。
[0012]进一步的，所述提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘还包括围合部，所述围合部位于所述本体部的外围
、
且罩设于所述顶升结构之上，所述围合部内开设有第一滑动槽，所述第一滑动槽的宽度与所述顶升结构靠近所述围合部的宽度一致，以使所述顶升结构在所述第一滑动槽内滑动
。
[0013]进一步的，所述顶升结构靠近所述围合部的一侧设有推拉组件，所述推拉组件包括推拉杆和所述指套环，所述指套环位于所述推拉杆远离所述顶升结构的一侧，所述推拉杆贯穿所述围合部，且所述推拉杆的一端与所述顶升结构固定连接
、
另一端在所述围合部的外部与所述指套环固定连接
。
[0014]进一步的，所述顶升阶梯处的弧长小于所述第二载片区远离所述第一载片区的一端的弧长，且所述顶升阶梯处的弧线中点与所述第二载片区远离所述第一载片区的一端的弧线中点的连线穿过所述第一载片区的中心点
。
[0015]进一步的，所述阶梯结构朝向所述底盘的一面设有滑动块，在所述底盘上相对于所述滑动块处设有第二滑动槽，以使所述阶梯结构紧贴所述底盘滑动
。
[0016]进一步的，所述第一载片区和所述第二载片区的上表面均向内凹陷分别形成第一取片槽和第二取片槽，所述第一取片槽的上表面和所述第二取片槽的上表面位于同一水平高度，所述第一载片区与所述第二载片区之间通过连接组件相连，所述连接组件包括连接杆
、
第一球体以及第二球体，所述第一球体和所述第二球体分别位于所述连接杆的两端，所述第一球体固定连接于所述第一载片区内，所述第二球体位于所述第二载片区内
、
且所述第二球体在所述第二载片区内转动，所述第二球体靠近所述第二取片槽设置
。
[0017]进一步的，所述第二载片区靠近所述底盘的一面设有支撑组件，所述支撑组件包括第一铰接杆
、
第二铰接杆以及支撑底座，所述第一铰接杆的一端与所述第二载片区的底面转动连接
、
另一端与所述第二铰接杆转动连接，所述第二铰接杆远离所述第一铰接杆的一端与所述支撑底座转动连接，所述支撑底座与所述底盘固定连接，在所述第二载片区的底面上相对于所述支撑组件处向内凹陷形成收容槽，所述收容槽的深度大于所述支撑组件折叠后的高度，以使所述第二载片区未倾斜时，所述第二载片区的底面与所述底盘的上表面紧密贴合
。
附图说明
[0018]图1为本技术实施例中提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘的本体部的顶面立体图；
[0019]图2为图1中顶升结构推动第二载片区的运动原理图；
[0020]图3为本技术实施例中提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘的本体部的底面立体图；
[0021]图4为本技术实施例中提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘在第二载片区未倾斜时的立体图；
[0022]图5为本技术实施例中提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘在第二载片区倾斜时的立体图；
[0023]图6为图4中底盘和围合部的立体图；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，用于承载晶圆，其特征在于，所述提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘包括底盘和本体部，所述本体部位于所述底盘的上方，所述本体部包括第一载片区和第二载片区，所述第一载片区与所述第二载片区连接，所述本体部还包括顶升结构，所述顶升结构位于所述第二载片区远离所述第一载片区的一侧，所述顶升结构与所述底盘滑动连接，所述顶升结构靠近所述第二载片区的一面呈阶梯状的顶升阶梯，所述顶升阶梯由多个斜坡段和多个平直段交替层叠形成，所述顶升结构沿所述第二载片区朝向所述第一载片区的方向滑动，所述第二载片区靠近所述顶升结构的一端被顶升至各所述平直段上，以使所述第二载片区靠近所述顶升结构的一端向上抬起
。2.
根据权利要求1所述的提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，其特征在于，所述本体部包括多个所述第二载片区，各所述第二载片区环绕所述第一载片区外边缘等距离间隔设置
。3.
根据权利要求2所述的提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，其特征在于，各所述第二载片区远离所述第一载片区的一端均呈弧形状
、
且弧度一致
。4.
根据权利要求3所述的提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，其特征在于，所述顶升阶梯处的各所述斜坡段和各所述平直段均呈弧形状
、
且所述顶升阶梯处的弧度与所述第二载片区远离所述第一载片区的一端的弧度一致
。5.
根据权利要求1所述的提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，其特征在于，所述提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘还包括围合部，所述围合部位于所述本体部的外围
、
且罩设于所述顶升结构之上，所述围合部内开设有第一滑动槽，所述第一滑动槽的宽度与所述顶升结构靠近所述围合部的宽度一致，以使所述顶升结构在所述第一滑动槽内滑动
。6.
根据权利要求5所述的提高
ITO
镀膜均匀性的载片盘，其特征在于，所述顶升结构靠近所述围合部的一侧设有推拉组件，所述推拉组件包括推拉杆和指套环，所述指套环位于所述推拉杆...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志凤，康龙，李文浩，董国庆，文国昇，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：