一种量子电路性能确定方法技术

本申请实施例提供一种量子电路性能确定方法

【技术实现步骤摘要】
一种量子电路性能确定方法、程序和存储介质


[0001]本申请涉及量子芯片
，尤其涉及量子电路性能确定方法
。

技术介绍

[0002]在超导量子芯片中具有多种电路结构，电路结构的各个部分具有多种可选的设计方案，而不同的设计方案会导致量子芯片的性能不同，有些设计方案会导致量子芯片中的信号发生串扰等问题
。
[0003]为了保证量子芯片具有良好的性能，通常需要对各种设计方案进行实测
。
然而量子芯片需要通过极低温实现超导态，以便被控制操作执行量子计算
、
通过读取操作获得相应的计算结果
。
量子芯片中的各种元器件在室温性能和超导状态下的性能存在区别
。
室温条件下难以准确评估低温超导下的性能表现
。
因此量子芯片的实测成本高昂
。
[0004]因此，在设计过程中，如何低成本地判断一个量子电路的设计方案是否会产生性能问题，是需要解决的技术问题
。

技术实现思路

[0005]本申请的目的在于提供一种量子电路性能确定方法，以低成本地判断一个量子电路中一些参数的是否会产生性能问题
。
[0006]为实现上述目的，本申请实施例采取了如下技术方案
。
[0007]第一方面，本申请实施例提供一种量子电路性能确定方法，包括：
[0008]获取一组量子电路的每个量子电路的低温实测性能结果；所述一组量子电路包括不同特征参数的多个量子电路；
[0009]根据所述一组量子电路的每个量子电路的特征参数进行程序仿真，得到每个量子电路的仿真值；
[0010]根据每个量子电路的所述低温实测性能结果与每个量子电路的所述仿真值对比，从每个量子电路的仿真值中确定一个仿真值为特征值；
[0011]根据新设计的量子电路的待评估仿真值与所述特征值的相对大小关系，确定所述新设计的量子电路的性能；所述待评估仿真值为通过所述新设计的量子电路的特征参数进行程序仿真获得的
。
[0012]可选地，每个所述量子电路包括第一
x
线和第一量子比特；
[0013]每个量子电路的低温实测性能结果包括：第一
x
线能驱动第一量子比特，或第一
x
线不能驱动第一量子比特；
[0014]根据所述一组量子电路的每个量子电路的特征参数进行程序仿真，得到每个量子电路的仿真值的步骤包括：根据所述一组量子电路的每个量子电路的结构参数进行程序仿真，得到每个量子电路的第一
x
线和第一量子比特之间的互容值；
[0015]根据每个量子电路的所述低温实测性能结果与每个量子电路的所述仿真值对比，从每个量子电路的仿真值中确定一个仿真值为特征值的步骤包括：根据每个量子电路的所
述低温实测性能结果与每个量子电路的所述互容值的对比，确定第一互容值特征值；
[0016]根据新设计的量子电路的待评估仿真值与所述特征值的相对大小关系，确定所述新设计的量子电路的性能的步骤包括：若新设计的量子电路的第一
x
线和第一量子比特之间的互容值大于或等于所述第一互容值特征值，则确定所述新设计的量子电路的第一
x
线能驱动第一量子比特
。
[0017]可选地，获取一组量子电路的每个量子电路的低温实测性能结果的的步骤包括：
[0018]以量子电路中第一
x
线和第一量子比特之间的互容值逐渐增大的顺序，逐个对量子电路中的第一
x
线施加驱动第一量子比特的信号，以找到第一
x
线刚好能驱动第一量子比特的互容值，并记录每次施加信号驱动的量子电路的结构参数和该量子电路中的第一
x
线能否驱动其中的第一量子比特的结果
。
[0019]可选地，在对量子电路中的第一
x
线施加驱动第一量子比特的信号的步骤之前，所述量子电路性能确定方法还包括：
[0020]在该量子电路中的第一
x
线能驱动第一量子比特的条件下，在该量子电路的第一
x
线加不同频率信号，观测产生频率共振时的频点，然后通过测量拉比振荡确定该量子电路第一量子比特的比特频率
。
[0021]可选地，所述量子电路包括第一
x
线
、
第一量子比特和第二
x
线；所述第二
x
线在所述第一量子比特所在平面的投影与所述第一量子比特交叉；
[0022]每个量子电路的低温实测性能结果包括：第二
x
线能驱动第一量子比特，或第二
x
线不能驱动第一量子比特；
[0023]根据所述一组量子电路的每个量子电路的特征参数进行程序仿真，得到每个量子电路的仿真值的步骤包括：根据所述一组量子电路的每个量子电路的结构参数进行程序仿真，得到每个量子电路的第二
x
线和第一量子比特之间的互容值；
[0024]根据每个量子电路的所述低温实测性能结果与每个量子电路的所述仿真值对比，从每个量子电路的仿真值中确定一个仿真值为特征值的步骤包括：根据每个量子电路的所述低温实测性能结果与每个量子电路的所述互容值的对比，确定第二互容值特征值；
[0025]根据新设计的量子电路的待评估仿真值与所述特征值的相对大小关系，确定所述新设计的量子电路的性能的步骤包括：若新设计的量子电路的第二
x
线和第一量子比特之间的互容值大于或等于所述第二互容值特征值，则确定所述新设计的量子电路的第二
x
线与第一量子比特串扰
。
[0026]可选地，获取一组量子电路的每个量子电路的低温实测性能结果的步骤包括：
[0027]以量子电路中第二
x
线和第一量子比特之间的互容值逐渐增大的顺序，逐个对量子电路中的第二
x
线施加驱动第一量子比特的信号，以找到第二
x
线刚好能驱动第一量子比特的互容值，并记录每次施加信号驱动的量子电路的结构参数和该量子电路中的第二
x
线能否驱动其中的第一量子比特的结果
。
[0028]可选地，所述量子电路中的第二
x
线包括空气桥，每个量子电路的第二
x
线的空气桥的尺寸不同
。
[0029]可选地，所述量子电路为多个器件连接成的链路，每个器件具有该器件的参数；
[0030]每个量子电路的低温实测性能结果包括：链路中的信号发生畸变，或链路中的信号不发生畸变；
[0031]根据所述一组量子电路的每个量子电路的特征参数进行程序仿真，得到每个量子电路的仿真值的步骤包括：根据每个量子电路的工作参数进行程序仿真，得到每个量子电路的每个器件的参数；
[0032]根据每个量子电路的所述低温实测性能结果与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种量子电路性能确定方法，其特征在于，包括：获取一组量子电路的每个量子电路的低温实测性能结果；所述一组量子电路包括不同特征参数的多个量子电路；根据所述一组量子电路的每个量子电路的特征参数进行程序仿真，得到每个量子电路的仿真值；根据每个量子电路的所述低温实测性能结果与每个量子电路的所述仿真值对比，从每个量子电路的仿真值中确定一个仿真值为特征值；根据新设计的量子电路的待评估仿真值与所述特征值的相对大小关系，确定所述新设计的量子电路的性能；所述待评估仿真值为通过所述新设计的量子电路的特征参数进行程序仿真获得的
。2.
如权利要求1所述的量子电路性能确定方法，其特征在于，每个所述量子电路包括第一
x
线和第一量子比特；每个量子电路的低温实测性能结果包括：第一
x
线能驱动第一量子比特，或第一
x
线不能驱动第一量子比特；根据所述一组量子电路的每个量子电路的特征参数进行程序仿真，得到每个量子电路的仿真值的步骤包括：根据所述一组量子电路的每个量子电路的结构参数进行程序仿真，得到每个量子电路的第一
x
线和第一量子比特之间的互容值；根据每个量子电路的所述低温实测性能结果与每个量子电路的所述仿真值对比，从每个量子电路的仿真值中确定一个仿真值为特征值的步骤包括：根据每个量子电路的所述低温实测性能结果与每个量子电路的所述互容值的对比，从每个量子电路的互容值中确定一个互容值作为第一互容值特征值；根据新设计的量子电路的待评估仿真值与所述特征值的相对大小关系，确定所述新设计的量子电路的性能的步骤包括：若新设计的量子电路的第一
x
线和第一量子比特之间的互容值大于或等于所述第一互容值特征值，则确定所述新设计的量子电路的第一
x
线能驱动第一量子比特
。3.
如权利要求2所述的量子电路性能确定方法，其特征在于，获取一组量子电路的每个量子电路的低温实测性能结果的步骤包括：以量子电路中第一
x
线和第一量子比特之间的互容值逐渐增大的顺序，逐个对量子电路中的第一
x
线施加驱动第一量子比特的信号，以找到第一
x
线刚好能驱动第一量子比特的互容值，并记录每次施加信号驱动的量子电路的结构参数和该量子电路中的第一
x
线能否驱动其中的第一量子比特的结果
。4.
如权利要求3所述的量子电路性能确定方法，其特征在于，在对量子电路中的第一
x
线施加驱动第一量子比特的信号的步骤之前，所述量子电路性能确定方法还包括：在该量子电路中的第一
x
线能驱动第一量子比特的条件下，在该量子电路的第一
x
线加不同频率信号，观测产生频率共振时的频点，然后通过测量拉比振荡确定该量子电路第一量子比特的比特频率
。5.
如权利要求1所述的量子电路性能确定方法，其特征在于，所述量子电路包括第一
x
线
、
第一量子比特和第二
x
线；所述第二
x
线在所述第一量子比特所在平面的投影与所述第一量子比特交叉；
...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，贾志龙，
申请(专利权)人：本源量子计算科技合肥股份有限公司，
类型：发明
国别省市：