具有使像素变暗的硬件的显示设备制造技术

本发明专利技术提供了一种电子设备，所述电子设备包括显示设备，所述显示设备包括形成所述显示设备的活动区的多个像素，所述显示设备的活动区限定圆形边缘部分，其中，形成所述圆形边缘部分的至少部分的多个像素具有由所述多个像素的硬件结构确定的阶梯式相对亮度水平，以便所述多个像素中位于所述圆形边缘部分中的第一位置的第一像素具有由第一像素硬件结构限定的第一相对亮度水平，以及所述多个像素中位于所述圆形边缘部分中的第二位置的第二像素具有由第二像素硬件结构限定的第二相对亮度水平，所述第一相对亮度水平与所述第二相对亮度水平不同，所述第一像素硬件结构与所述第二像素硬件结构不同

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有使像素变暗的硬件的显示设备


[0001]本说明书一般涉及具有显示面板的电子设备
。

技术介绍

[0002]电子设备可以包括显示面板，该显示面板上可以显示视觉图像
。
例如，电子设备的用户可以在观看视频或玩视频游戏时查看平板显示器上的视觉图像
。
许多电子设备都配备有大显示器，覆盖了设备的大部分正面
。
电子设备可以包括包围显示器的活动区的边框
。
显示器的活动区可以有圆角，以便活动区和边框之间的边界是圆形的
。

技术实现思路

[0003]公开了一种用于使例如，圆形显示角的像素变暗的技术
。
电子设备可以包括显示面板，该显示面板包括发光像素的像素阵列
。
发光像素阵列可以包括由轮廓限定的活动区
。
在一些示例中，轮廓有圆角
。
电子设备可以包括内部窗口，例如，用于位于显示器下面的传感器
。
[0004]对于有圆角
、
内部窗口或两者的显示器，可以使用正方形或矩形像素使曲线边界的外边缘中的像素部分变暗以逼近光滑曲线
。
变暗像素的像素电路包括二极管连接式晶体管，该晶体管连接到相应像素
OLED
的阳极电极，使一部分电流远离
OLED
，以实现变暗
。
[0005]像素的变暗水平在设计时可以通过调整二极管连接式晶体管的纵横比进行控制，在运行时可以通过调整二极管连接式晶体管的偏置电压
(VBIAS)
进行控制或两者皆有
。
在一些示例中，二极管连接式晶体管的纵横比和
/
或
VBIAS
可以随像素的子像素而变化
。
在一些示例中，二极管连接式晶体管的
VBIAS
可以随不同的显示亮度设置而变化
。
[0006]作为对下述实施例的附加描述，本公开描述了以下实施例
。
[0007]实施例1涉及一种电子设备，该电子设备包括：显示设备，该显示设备包括形成显示设备的活动区的多个像素，显示设备的活动区限定圆形边缘部分，其中，形成圆形边缘部分的至少部分的多个像素具有由多个像素的硬件结构确定的阶梯式相对亮度水平，以便多个像素中位于圆形边缘部分中的第一位置的第一像素具有由第一像素硬件结构限定的第一相对亮度水平，以及多个像素中位于圆形边缘部分中的第二位置的第二像素具有由第二像素硬件结构限定的第二相对亮度水平，第一相对亮度水平与第二相对亮度水平不同，第一像素硬件结构与第二像素硬件结构不同
。
[0008]实施例2是实施例1的电子设备，其中，在显示设备中，第一像素与第二像素相邻
。
[0009]实施例3是实施例1至实施例2中任一项所述的电子设备，其中：第一相对亮度水平包括第一默认变暗亮度水平，该第一默认变暗亮度水平相对于被编程到第一像素的第一编程亮度水平而变暗；以及第二相对亮度水平包括第二默认变暗亮度水平，该第二默认变暗亮度水平相对于被编程到第二像素的第二编程亮度水平而变暗
。
[0010]实施例4是实施例3的电子设备，其中：显示设备包括中心像素，该中心像素形成显示设备的中心区域，该中心区域与圆形边缘部分偏移；以及形成显示设备的中心区域的中
心像素中的每个中心像素都被构造为发出被编程到相应中心像素的亮度水平
。
[0011]实施例5是实施例4的电子设备，其中：中心像素形成与圆形边缘部分偏移的至少
100
个像素的相连块
。
[0012]实施例6是实施例1至实施例5中任一项所述的电子设备，其中：第一像素包括第一有机发光二极管
(OLED)
；以及第二像素包括第二
OLED。
[0013]实施例7是实施例1至实施例6中任一项所述的电子设备，其中：第一像素包括：第一发光二极管
(LED)、
第一电阻元件和第一驱动晶体管，该第一驱动晶体管被配置为在第一
LED
发光期间并联地驱动电流通过第一
LED
和第一电阻元件；以及第二像素包括：第二
LED、
第二电阻元件和第二驱动晶体管，该第二驱动晶体管被配置为在第二
LED
发光期间并联地驱动电流通过第二
LED
和第二电阻元件
。
[0014]实施例8是实施例7的电子设备，其中：第一电阻元件具有与第一
LED
的电阻成第一比例的第一电阻；第二电阻元件具有与第二
LED
的电阻成第二比例的第二电阻；以及第一比例与第二比例不同
。
[0015]实施例9是实施例7至实施例8中任一项所述的电子设备，其中：显示设备包括中心像素，该中心像素形成显示设备的中心区域，该中心区域与圆形边缘部分偏移；以及形成显示设备的中心区域的中心像素中的每个中心像素都包括对应中心像素
LED
和对应中心像素驱动晶体管，该中心像素驱动晶体管被配置为驱动电流通过对应中心像素
LED
，而不驱动电流通过与对应中心像素
LED
并联的对应电阻元件
。
[0016]实施例
10
是实施例7至实施例9中任一项所述的电子设备，其中：第一电阻元件包括第一二极管连接式晶体管，该第一二极管连接式晶体管包括第一二极管连接式晶体管栅极端子和连接到第一二极管连接式晶体管栅极端子的第一二极管连接式晶体管漏极端子；以及第二电阻元件包括第二二极管连接式晶体管，该第二二极管连接式晶体管包括第二二极管连接式晶体管栅极端子和连接到第二二极管连接式晶体管栅极端子的第二二极管连接式晶体管漏极端子
。
[0017]实施例
11
是实施例
10
的电子设备，其中：第一二极管连接式晶体管具有与第一
LED
的电阻成第一比例的第一电阻；第二二极管连接式晶体管具有与第二
LED
的电阻成第二比例的第二电阻；以及第一比例与第二比例不同
。
[0018]实施例
12
是实施例
11
的电子设备，其中：由于第一二极管连接式晶体管具有物理尺寸的第一纵横比，第一二极管连接式晶体管具有第一电阻；以及由于第二二极管连接式晶体管具有物理尺寸的第二纵横比，第二二极管连接式晶体管具有第二电阻；以及第一纵横比与第二纵横比不同
。
[0019]实施例
13
是实施例
10
至实施例
12
中任一项所述的电子设备，其中：第一像素是显示设备中的第一复合像素的子像素；第二像素是显示设备中的第二复合像素的子像素；以及第一像素的第一
LED
发出与第二像素的第二
LED
相同的颜色，以便第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种电子设备，包括：显示设备，所述显示设备包括形成所述显示设备的活动区的多个像素，所述显示设备的活动区限定圆形边缘部分，其中，形成至少部分的所述圆形边缘部分的多个像素具有由所述多个像素的硬件结构确定的阶梯式相对亮度水平，使得位于所述圆形边缘部分中的第一位置的所述多个像素中的第一像素具有由第一像素硬件结构限定的第一相对亮度水平，以及位于所述圆形边缘部分中的第二位置的所述多个像素中的第二像素具有由第二像素硬件结构限定的第二相对亮度水平，所述第一相对亮度水平与所述第二相对亮度水平不同，所述第一像素硬件结构与所述第二像素硬件结构不同
。2.
根据权利要求1所述的电子设备，其中，在所述显示设备中，所述第一像素与所述第二像素相邻
。3.
根据权利要求1至2中任一项所述的电子设备，其中：所述第一相对亮度水平包括第一默认变暗亮度水平，所述第一默认变暗亮度水平相对于被编程到所述第一像素的第一编程亮度水平而变暗；以及所述第二相对亮度水平包括第二默认变暗亮度水平，所述第二默认变暗亮度水平相对于被编程到所述第二像素的第二编程亮度水平而变暗
。4.
根据权利要求3所述的电子设备，其中：所述显示设备包括形成从所述圆形边缘部分偏移的所述显示设备的中心区域的中心像素；以及形成所述显示设备的所述中心区域的所述中心像素中的每个中心像素被构造为发出被编程到相应中心像素的亮度水平
。5.
根据权利要求4所述的电子设备，其中：所述中心像素形成从所述圆形边缘部分偏移的至少
100
个像素的相连块
。6.
根据权利要求1至5中任一项所述的电子设备，其中：所述第一像素包括第一有机发光二极管
OLED
；以及所述第二像素包括第二
OLED。7.
根据权利要求1至6中任一项所述的电子设备，其中：所述第一像素包括：第一发光二极管
LED
，第一电阻元件，以及第一驱动晶体管，所述第一驱动晶体管被配置为在所述第一
LED
的发光期间并联地驱动电流通过所述第一
LED
和所述第一电阻元件；以及所述第二像素包括：第二
LED
，第二电阻元件，以及第二驱动晶体管，所述第二驱动晶体管被配置为在所述第二
LED
的发光期间并联地驱动电流通过所述第二
LED
和所述第二电阻元件
。8.
根据权利要求7所述的电子设备，其中：所述第一电阻元件具有与所述第一
LED
的电阻成第一比例的第一电阻；所述第二电阻元件具有与所述第二
LED
的电阻成第二比例的第二电阻；以及
所述第一比例与所述第二比例不同
。9.
根据权利要求7至8中任一项所述的电子设备，其中：所述显示设备包括形成从所述圆形边缘部分偏移的所述显示设备的中心区域的中心像素；以及形成所述显示设备的中心区域的所述中心像素中的每个中心像素包括对应中心像素
LED
和对应中心像素驱动晶体管，所述对应中心像素驱动晶体管被配置为驱动电流通过所述对应中心像素
LED
，而不驱动电流通过与所述对应中心像素
LED
并联的对应电阻元件
。10.
根据权利要求7至9中任一项所述的电子设备，其中：所述第一电阻元件包括第一二极管连接式晶体管，所述第一二极管连接式晶体管包括第一二极管连接式晶体管栅极端子和连接到所述第一二极管连接式晶体管栅极端子的第一二极管连接式晶体管漏极端子；以及所述第二电阻元件包括第二二极管连接式晶体管，所述第二二极管连接式晶体管包括第二二极管连接式晶体管栅极端子和连接到所述第二二极管连接式晶体管栅极端子的第二二极管连接式晶体管漏极端子
。11.
根据权利要求
10
所述的电子设备，其中：所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔相武，
申请(专利权)人：谷歌有限责任公司，
类型：发明
国别省市：