抗蚀剂图案形成方法技术

在半导体装置制造工序中，在具有高低差的金属基板中，通过制成氧化金属

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】抗蚀剂图案形成方法


[0001]本专利技术涉及抗蚀剂图案形成方法
、
带有抗蚀剂图案的基板的制造方法
、
半导体装置的制造方法以及抗蚀剂图案的驻波减少方法
。

技术介绍

[0002]在半导体制造中，在基板与形成在其上的抗蚀剂膜之间设置抗蚀剂下层膜，形成所希望的形状的抗蚀剂图案的光刻工艺是众所周知的
。
近年来，所谓的配线工序
(
后工序
)
的微细化发展，进行对铜等金属基板通过光刻工序进行加工的操作
。
[0003]在专利文献1中公开了抗蚀剂图案和导体图案的制造方法
。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开
2006
‑
154570
号公报

技术实现思路

[0007]专利技术所要解决的课题
[0008]在半导体装置制造工序中，在具有高低差的金属基板
(
例如铜
)
基板上使用抗蚀剂下层膜的情况下，为了减少蚀刻负荷，要求膜厚均匀性
(
保形性
)
高的抗蚀剂下层膜，通过将抗蚀剂下层膜薄膜化从而膜厚均匀性
(
保形性
)
改善，但有不能充分抑制从基板的反射
、
上层的抗蚀剂图案产生驻波这样的问题
。
[0009]用于解决课题的方法
[0010]本专利技术包含以下方案
。
[0011][1][0012]一种带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，其包含下述工序：
[0013]对表面包含金属的基板进行氧化处理，在基板表面形成金属氧化膜
(
或上述金属的氧化物的膜
)
的工序；
[0014]在上述金属氧化膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；
[0015]将被上述金属氧化膜和上述抗蚀剂被覆了的基板
、
优选为半导体基板曝光的工序；以及
[0016]将曝光后的上述抗蚀剂膜显影，进行图案形成的工序
。
[0017][2][0018]一种带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，其包含下述工序：
[0019]对表面包含金属的基板涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，接着在氧存在下加热，形成在金属氧化膜上存在抗蚀剂下层膜的叠层膜
(
或在上述基板上具有上述金属的氧化物的膜
、
并且在其上具有抗蚀剂下层膜的叠层体
)
的工序；
[0020]在上述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；
[0021]将被上述抗蚀剂下层膜和上述抗蚀剂被覆了的基板
、
优选为半导体基板曝光的工
序；以及
[0022]将曝光后的上述抗蚀剂膜显影，进行图案形成的工序
。
[0023][3][0024]根据
[1]或
[2]所述的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，抗蚀剂图案的驻波被减少
。
[0025][4][0026]根据
[1]所述的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，上述氧化处理选自氧存在下的加热处理
、
氧等离子体处理
、
臭氧处理
、
过氧化氢处理和含有氧化剂的碱性药液处理
。
[0027][5][0028]根据
[1]或
[2]所述的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，上述金属包含铜
。
[0029][6][0030]根据
[2]所述的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，上述抗蚀剂下层膜包含杂环化合物
。
[0031][7][0032]根据
[2]～
[6]中任一项所述的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，上述抗蚀剂下层膜包含下述式
(I)
所示的化合物
。
[0033][0034][
在式
(I)
中，
[0035]A1～
A3各自独立地为直接键合
、
可以被取代的碳原子数1～6的亚烷基，
[0036]B1～
B3各自独立地表示直接键合
、
醚键
、
硫醚键或酯键，
[0037]R4～
R
12
各自独立地表示氢原子
、
甲基或乙基，
[0038]Z1～
Z3表示下述式
(II)
：
[0039][0040](
在式
(II)
中，
[0041]n
个
X
各自独立地表示烷基
、
羟基
、
烷氧基
、
烷氧基羰基
、
卤原子
、
氰基或硝基，
[0042]R
表示氢原子
、
烷基或亚芳基
、
[0043]Y
表示醚键
、
硫醚键或酯键，
[0044]n
表示0～4的整数
。)][0045][8][0046]一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：
[0047]对表面包含金属的半导体基板进行氧化处理，在基板表面形成金属氧化膜
(
或上述金属的氧化物的膜
)
的工序；
[0048]在上述金属氧化膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；
[0049]将被上述金属氧化膜和上述抗蚀剂被覆了的半导体基板曝光的工序；以及
[0050]将曝光后的上述抗蚀剂膜显影，进行图案形成的工序
。
[0051][9][0052]一种半导体装置的制造方法，其包含下述工序：
[0053]对表面包含金属的半导体基板涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，接着在氧存在下加热，形成在金属氧化膜上存在抗蚀剂下层膜的叠层膜
(
或在上述基板上具有上述金属的氧化物的膜
、
并且在其上具有抗蚀剂下层膜的叠层体
)
的工序；
[0054]在上述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；
[0055]将被上述抗蚀剂下层膜和上述抗蚀剂被覆了的半导体基板曝光的工序；以及
[0056]将曝光后的上述抗蚀剂膜显影，进行图案形成的工序
。
[0057][10][0058]一种抗蚀剂图案的驻波减少方法，其包含下述工序：
[0059]对表面包含金属的基板
、
优选为半导体基板进行氧化处理，在基板表面形成金属氧化膜
(
或上述金属的氧化物的膜
)
的工序；
[0060]在上述金属氧化膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，其包含下述工序：对表面包含金属的基板进行氧化处理，在基板表面形成金属氧化膜的工序，在所述金属氧化膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；将被所述金属氧化膜和所述抗蚀剂被覆了的基板曝光的工序；以及将曝光后的所述抗蚀剂膜显影，进行图案形成的工序
。2.
一种带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，其包含下述工序：对表面包含金属的基板涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，接着在氧存在下加热，形成在金属氧化膜上存在抗蚀剂下层膜的叠层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂并进行烘烤而形成抗蚀剂膜的工序；将被所述抗蚀剂下层膜和所述抗蚀剂被覆了的基板曝光的工序；以及将曝光后的所述抗蚀剂膜显影，进行图案形成的工序
。3.
根据权利要求1或2所述的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，抗蚀剂图案的驻波被减少
。4.
根据权利要求1所述的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，所述氧化处理选自氧存在下的加热处理
、
氧等离子体处理
、
臭氧处理
、
过氧化氢处理和含有氧化剂的碱性药液处理
。5.
根据权利要求1或2所述的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，所述金属包含铜
。6.
根据权利要求2所述的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，所述抗蚀剂下层膜包含杂环化合物
。7.
根据权利要求2～6中任一项所述的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法，所述抗蚀剂下层膜包含下述式
(I)
所示的化合物，在式
(I)
中，
A1～
A3各自独立地为直接键合
、
可以被取代的碳原子数1～6的亚烷基，
B1～
B3各自独立地表示直接键合
、
醚键
、
硫醚键或酯键，
R4～
R
12
各自独立地表示氢原子
、
甲基或乙基，
Z1～
Z3表示下述式
(II)
：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：窪寺俊，岸冈高广，西田登喜雄，
申请(专利权)人：日产化学株式会社，
类型：发明
国别省市：