【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于电声器件中的电容器处理的蚀刻停止和保护层
[0001]本公开的某些方面总体上涉及电声器件,并且更具体地涉及用电容性元件实现的电声器件
。
技术介绍
[0002]电子设备包括传统计算设备,诸如台式电脑
、
笔记本电脑
、
平板电脑
、
智能手机
、
智能手表等可穿戴设备
、
互联网服务器等
。
这些各种电子设备为人类用户提供信息
、
娱乐
、
社交
、
安保
、
安全
、
生产力
、
运输
、
制造和其他服务
。
这些各种电子设备的很多功能依赖于无线通信
。
无线通信系统和设备被广泛部署以提供各种类型的通信内容,诸如语音
、
视频
、
分组数据
、
消息传递
、
广播等
。
这些系统可以能够通过共享可用的系统资源
(
例如,时间
、
频率和功率
)
来支持与多个用户的通信
。
这样的系统的示例包括码分多址
(CDMA)
系统
、
时分多址
(TDMA)
系统
、
频分多址
(FDMA)
系统和正交频分多址
(OFDMA)
系统
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种用于制造电声器件的方法,包括:在衬底的第一区域上方形成声学器件;以及在所述衬底的第二区域上方并且与所述声学器件相邻地形成电容性元件,其中形成所述电容性元件包括:在所述衬底上方形成保护层,其中所述保护层的第一部分位于所述衬底的所述第二区域上方,并且其中所述保护层的第二部分位于所述衬底的所述第一区域上方;在所述保护层上方形成电介质区域,所述电介质区域包括与所述保护层不同的材料;以及在所述电介质区域上方形成第一电极
。2.
根据权利要求1所述的方法,其中所述保护层的所述第一部分形成在所述电容性元件的第二电极上方
。3.
根据权利要求1所述的方法,还包括:形成绝缘层;以及去除所述绝缘层的部分,其中第二电极形成在所述绝缘层的所述部分从其被去除的开口中,并且其中所述保护层形成在所述第二电极上方
。4.
根据权利要求3所述的方法,其中所述绝缘层和所述保护层包括相同材料,并且其中所述保护层的厚度大于所述绝缘层的厚度
。5.
根据权利要求1所述的方法,其中形成所述电介质区域包括:在所述衬底的所述第一区域和所述第二区域上方形成所述电介质区域;以及蚀刻所述电介质区域的位于所述衬底的所述第一区域上方的部分
。6.
根据权利要求5所述的方法,其中所述保护层的所述第二部分形成在所述声学器件上方,所述方法还包括:在蚀刻所述电介质区域的位于所述衬底的所述第一区域上方的所述部分之后,去除所述保护层的位于所述声学器件上方的所述第二部分
。7.
根据权利要求5所述的方法,其中所述保护层的第三部分位于所述衬底的第三区域上方,所述衬底的所述第三区域位于所述衬底的所述第一区域与所述第二区域之间
。8.
根据权利要求7所述的方法,还包括:在蚀刻所述电介质区域的位于所述衬底的所述第三区域上方的部分之后,去除所述保护层的所述第三部分
。9.
根据权利要求1所述的方法,还包括:在所述衬底的所述第二区域上方形成所述电容性元件的第二电极,其中所述保护层的所述第一部分形成在所述电容性元件的所述第二电极上方
。10.
根据权利要求1所述的方法,还包括:去除所述保护层的位于所述衬底的所述第一区域上方的所述第二部分;以及在所述去除所述保护层的所述第二部分之后,在所述衬底的所述第一区域上方形成绝缘层
。11.
根据权利要求
10
所述的方法,其中所述绝缘层在形成所述声学器件之前形成
。12.
根据权利要求
11
所述的方法,其中形成所述声学器件包括:蚀刻所述绝缘层的一个或多个部分,以在所述绝缘层中形成一个或多个开口;以及在所述一个或多个开口中形成叉指换能器
IDT。13.
根据权利要求
12
所述的方法,还包括:在所述
IDT
的母线上方形成第三电极
。
14.
根据权利要求1所述的方法,还包括:在所述衬底的所述第二区域上方形成具有顶部电极的另一声学器件,其中所述保护层的所述第一部分形成在所述...
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