一种制造技术

本发明专利技术属于气体传感材料制备领域，公开了一种

【技术实现步骤摘要】
一种NiO/Bi2MoO6异质结阵列及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于气体传感材料制备领域，具体涉及一种
NiO/Bi2MoO6异质结阵列及其制备方法和应用
。

技术介绍

[0002]近年来，基于电阻式半导体气体传感器的有害
、
有毒
、
易燃
、
易爆气体的有效监测引起了人们的极大关注
。
然而，目前的半导体传感器通常需要在高温（
200
ꢀ°
C
‑
400
ꢀ°
C
）下工作，这不仅大大增加了传感器的功耗和制造成本，而且限制了其在易燃
、
易爆环境中使用的可能性
。
开发能够在室温下有效工作的半导体气体传感器已成为当前的研究热点之一
。
[0003]最近，有报道表明，光激发可以用来提升半导体气体传感器的传感性能，特别是降低传感器的工作温度
。
然而，目前光激发型室温气体传感器仍有两个关键问题需要解决r/>。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种
NiO/Bi2MoO6异质结阵列，其特征在于，包括衬底以及原位生长在衬底表面的
NiO/Bi2MoO6异质结阵列；所述衬底为
Al2O3气敏基片，所述
NiO/Bi2MoO6异质结阵列由
NiO
纳米片和
Bi2MoO6纳米颗粒构成
。2.
权利要求1所述的
NiO/Bi2MoO6异质结阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（
a
）将硝酸镍
、
氟化铵
、
尿素和水混合均匀，搅拌
0.2
小时
‑1小时，得到反应液；（
b
）将
Al2O3气敏基片加入步骤（
a
）得到的反应液中，进行水热反应；待反应结束后，洗涤
、
干燥
、
退火，得到生长了
NiO
纳米片阵列的
Al2O3气敏基片；（
c
）将硝酸铋和钼酸钠加入至乙二醇和无水乙醇的混合溶液中，混合均匀，得到溶液
A
；将步骤（
b
）得到的生长了
NiO
纳米片阵列的
Al2O3气敏基片浸入溶液
A
中进行溶剂热反应；待反应结束后，洗涤
、
干燥，得到
NiO/Bi2MoO6异质结阵列
。3.
权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在步骤（
b
）前还包括对所述
Al2O3气敏基片进行预处理，具体为：将
Al2O3气敏基片依次浸入水和无水乙醇中，洗涤三次，干燥
。4.

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，龚吴非，梁艳，袁彩雷，俞挺，尧慎曼，
申请(专利权)人：江西师范大学，
类型：发明
国别省市：