显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示面板及显示装置

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
[0001]本申请为申请日为
2021
年5月
12
，申请号为
202110518812.5
，专利技术创造名称为“显示面板及显示装置”的分案申请
。


[0002]本专利技术实施例涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及显示装置
。

技术介绍

[0003]有机发光
(Organic Light
‑
Emitting Diode
，
OLED)
显示面板由于同时具备自发光
、
对比度高
、
厚度薄
、
反应速度快
、
可用于挠曲性面板等优点，广泛受到人们的喜爱
。
[0004]其中，
OLED
显示面板的
OLED
元件属于电流驱动型元件，需要设置相应的像素电路，以为
OLED
元件提供驱动电流，驱动
OLED
元件发光
。OLED
显示面板的像素电路中设置有晶体管，现有技术中会采用不同类型的晶体管来满足不同需求，但是，像素电路中设置不同类型的晶体管存在很多问题亟待解决
。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种显示面板及显示装置，以解决现有技术中在像素电路中设置不同类型的晶体管所存在的问题
。
[0006]第一方面，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括：
[0007]衬底基板；
[0008]第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管形成于所述衬底基板上，所述第一晶体管包括第一有源层
、
第一栅极
、
第一源极和第一漏极，所述第一有源层包含硅；所述第二晶体管包括第二有源层
、
第二栅极
、
第二源极和第二漏极，所述第二有源层包含氧化物半导体；所述第二有源层位于所述第一有源层背离所述衬底基板的一侧；
[0009]导电层，所述导电层包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层位于所述第二有源层上，所述第二源极与所述第一导电层电连接，所述第二漏极与所述第二导电层电连接；其中，
[0010]所述第二有源层包括沟道区和非沟道区，所述第二栅极与所述沟道区相互交叠，所述第一导电层与所述第二导电层设置于所述非沟道区，且
[0011]在平行于所述衬底基板表面的平面上，所述第一导电层与所述第二栅极之间包括第一间隙，所述第二导电层与所述第二栅极之间包括第二间隙，所述第一间隙的宽度为
W1
，所述第二间隙的宽度为
W2
，其中，
W1
＞0，且
W2
＞
0。
[0012]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板
。
[0013]本专利技术实施例提供的显示面板，通过设置在平行于衬底基板表面的平面上，第一导电层与第二栅极之间存在宽度大于0的第一间隙，第二导电层与第二栅极之间存在宽度大于0的第二间隙，使得第二栅极与第一导电层和第二导电层在垂直于衬底基板所在平面的方向上不交叠，从而避免第一导电层和第二导电层遮挡第二有源层而不利于沟道区的产
生，降低对第二晶体管特性的影响
。
此外，通过设置第一间隙的宽度
W1
大于0，第二间隙的宽度
W2
大于0，还可降低第一导电层和第二导电层中的金属离子向第二有源层的扩散，增大第一导电层和第二导电层中的金属离子扩散至沟道区的难度，从而保证沟道区的真实长度，降低对沟道区性能的影响，进而有利于提高第二晶体管的性能
。
附图说明
[0014]图1为本专利技术实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图；
[0015]图2为本专利技术实施例提供的一种第二晶体管的放大结构示意图；
[0016]图3为本专利技术实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
[0017]图4为本专利技术实施例提供的另一种第二晶体管的放大结构示意图；
[0018]图5为本专利技术实施例提供的又一种第二晶体管的放大结构示意图；
[0019]图6为本专利技术实施例提供的又一种第二晶体管的放大结构示意图；
[0020]图7为本专利技术实施例提供的又一种第二晶体管的放大结构示意图；
[0021]图8为本专利技术实施例提供的又一种第二晶体管的放大结构示意图；
[0022]图9为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图；
[0023]图
10
为本专利技术实施例提供的一种第三晶体管的放大结构示意图；
[0024]图
11
为本专利技术实施例提供的另一种像素电路的结构示意图；
[0025]图
12
为本专利技术实施例提供的一种显示面板的局部放大结构示意图；
[0026]图
13
为本专利技术实施例提供的另一种显示面板的局部放大结构示意图；
[0027]图
14
为本专利技术实施例提供的又一种显示面板的局部放大结构示意图；
[0028]图
15
为本专利技术实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图；
[0029]图
16
为本专利技术实施例提供的一种显示装置的结构示意图
。
具体实施方式
[0030]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明
。
可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定
。
另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构
。
[0031]图1为本专利技术实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图，图2为本专利技术实施例提供的一种第二晶体管的放大结构示意图，如图1和图2所示，本专利技术实施例提供的显示面板包括衬底基板
10、
第一晶体管
11、
第二晶体管
12
和导电层
13。
第一晶体管
11
和第二晶体管
12
形成于衬底基板
10
上，第一晶体管
11
包括第一有源层
111、
第一栅极
112、
第一源极
113
和第一漏极
114
，第一有源层
111
包含硅；第二晶体管
12
包括第二有源层
121、
第二栅极
122、
第二源极
123
和第二漏极
124
，第二有源层
121
包含氧化物半导体；第二有源层
121
位于第一有源层
111
背离衬底基板
10
的一侧<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种显示面板，其特征在于，包括：第二晶体管，所述第二晶体管包括第二有源层
、
第二栅极
、
第二源极和第二漏极，所述第二有源层包含氧化物半导体；第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层位于所述第二有源层上，所述第二源极与所述第一导电层电连接，所述第二漏极与所述第二导电层电连接；所述第二有源层包括沟道区和非沟道区，所述第二栅极与所述沟道区相互交叠，所述第一导电层与所述第二导电层设置于所述非沟道区；其中，所述第一导电层的电阻率小于所述第二导电层的电阻率
。2.
根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层与所述第二导电层均包括基材和第二掺杂剂，所述第二掺杂剂的电阻率小于所述基材的电阻率；其中，所述第一导电层中所述第二掺杂剂的浓度
C3
大于所述第二导电层中所述第二掺杂剂的浓度
C4。3.
根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电层和
/
或所述第二导电层为合金
。4.
根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括像素电路，所述像素电路包括驱动晶体管；所述第二晶体管的所述第二漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：何水，安平，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：