【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器和磁检测系统
[0001]本公开总体上涉及磁传感器和磁检测系统,并且具体地涉及包括至少一个偏置磁铁的磁传感器和磁检测系统
。
技术介绍
[0002]专利文献1描述了一种如下所述配置的旋转角度确定传感器
(
磁传感器
)。
各自具有自由磁性层和固定磁性层的至少两对
GMR
元件设置在基板上
。
每对
GMR
元件相互串联连接,可旋转磁铁被设置为面向
GMR
元件,并且该磁铁向
GMR
元件施加饱和磁场
。GMR
元件的电阻值变化
(
这是由于在遵循磁铁的磁场线方向的自由磁性层的磁化方向与固定磁性层的磁化方向之间形成的角度而导致的
)
决定了磁铁的旋转轴的旋转角度
。
[0003]引用列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:
JP 2002
‑
303536 A
技术实现思路
/>[0006]本公本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.
一种磁传感器,包括:至少一个偏置磁铁,被配置为产生与
X
轴的正方向对齐的偏置磁场
、
与所述
X
轴的负方向对齐的偏置磁场
、
与正交于所述
X
轴的
Y
轴的正方向对齐的偏置磁场
、
以及与所述
Y
轴的负方向对齐的偏置磁场;第一半桥电路;第二半桥电路;以及基底部件,容纳所述至少一个偏置磁铁
、
所述第一半桥电路和所述第二半桥电路,所述第一半桥电路包括:一对第一磁阻效应元件,相互半桥连接,并且被配置为检测与所述
X
轴对齐的磁场,以及第一输出端子,被配置为从所述一对第一磁阻效应元件之间的连接点输出第一输出信号,所述第二半桥电路包括:一对第二磁阻效应元件,相互半桥连接,并且被配置为检测与所述
Y
轴对齐的磁场,以及第二输出端子,被配置为从所述一对第二磁阻效应元件之间的连接点输出第二输出信号,与所述
X
轴的正方向对齐的偏置磁场施加到所述一对第一磁阻效应元件中的一个,与所述
X
轴的负方向对齐的偏置磁场施加到所述一对第一磁阻效应元件中的另一个,与所述
Y
轴的正方向对齐的偏置磁场施加到所述一对第二磁阻效应元件中的一个,与所述
Y
轴的负方向对齐的偏置磁场施加到所述一对第二磁阻效应元件中的另一个
。2.
根据权利要求1所述的磁传感器,其中,所述至少一个偏置磁铁包括单个偏置磁铁,所述单个偏置磁铁被配置为产生与所述
X
轴的正方向对齐的偏置磁场和与所述
X
轴的负方向对齐的偏置磁场
。3.
根据权利要求2所述的磁传感器,...
【专利技术属性】
技术研发人员:津岛卓史,尾中和弘,
申请(专利权)人:松下知识产权经营株式会社,
类型:发明
国别省市:
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