探测基板及其制作方法技术

本公开提供一种探测基板及其制作方法

【技术实现步骤摘要】
探测基板及其制作方法、探测装置


[0001]本公开涉及传感
，尤其涉及一种探测基板及其制作方法
、
探测装置
。

技术介绍

[0002]X
射线探测装置包括光电响应层和
X
射线探测基板，其中，
X
射线探测基板可以包括薄膜晶体管层
。
光电响应层将
X
射线转换为电信号，薄膜晶体管层将电信号进行处理后传送到数字显像装置中形成可显示的数字图像
。
[0003]但是，一部分
X
射线会照射到薄膜晶体管层中的薄膜晶体管，导致对低波长敏感的薄膜晶体管特性劣化
。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本公开的目的在于提出一种像素结构及其制作方法
、
探测基板
、
探测装置，用以解决或部分解决上述技术问题
。
[0005]基于上述目的，本公开的第一方面提供了一种探测基板，包括：衬底基板，以及层叠设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管层和平坦层；所述薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管；
[0006]所述平坦层包括：与所述多个薄膜晶体管的间隙对应的光路调节部，所述光路调节部用于将通过所述间隙入射的射线折射到远离所述多个薄膜晶体管的方向
。
[0007]本公开的第二方面提供了一种探测基板的制作方法，包括：
[0008]提供一衬底基板；
[0009]在所述衬底基板上形成的薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管；
[0010]在所述薄膜晶体管层上形成的平坦层，所述平坦层包括：与所述多个薄膜晶体管的间隙对应的光路调节部，所述光路调节部用于将通过所述间隙入射的射线折射到远离所述多个薄膜晶体管的方向
。
[0011]本公开的第三方面提供了一种探测装置，包括如上述任一项所述的探测基板
。
[0012]从上面所述可以看出，本公开提供的探测基板及其制作方法
、
探测装置
。
通过在探测基板中平坦层设置光路调节部，将通过多个薄膜晶体管的间隙入射的射线折射到远离多个薄膜晶体管的方向，实现了射线对于薄膜晶体管的照射剂量的减少，改善了薄膜晶体管的工作环境，进而提高了薄膜晶体管工作的稳定性
。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图
。
[0014]图
1a
示出了相关技术中探测基板的剖面示意图；
[0015]图
1b
示出了相关技术中探测基板的俯视示意图；
[0016]图
2a
示出了本公开实施例的探测基板的剖面示意图；
[0017]图
2b
示出了本公开实施例的梯形体结构的探测基板的剖面示意图；
[0018]图
2c
示出了本公开实施例的凸球面结构的探测基板的剖面示意图；
[0019]图
2d
示出了本公开实施例的凹球面结构的探测基板的剖面示意图；
[0020]图3示出了本公开实施例的探测基板制作方法的步骤示意图
。
[0021]附图标记说明：
100、
相关技术中的探测基板；
[0022]200、
本公开实施例的探测基板；
[0023]110、
衬底基板，
120、
薄膜晶体管层，
130、
平坦层，
140、
像素定义层；
[0024]121、
薄膜晶体管；
[0025]131、
第一过孔，
132、
第二过孔；
[0026]141、
电极；
[0027]233、
光路调节部；
[0028]2331、
第一折射层，
2332、
第二折射层，
2331a、
第一平行面，
2331b、
第二平行面
。
具体实施方式
[0029]为使本公开的目的
、
技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明
。
[0030]需要说明的是，除非另外定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义
。
本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序
、
数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分
。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件
。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的
。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变
。
[0031]本公开实施例提供了一种探测基板，该探测基板可以应用于如
X
射线线阵探测器
、FPXD(Flat Panel X
‑
ray Detector
，
X
射线平板探测器
)、
便携
X
‑
ray
探测器等探测装置中，本公开不对具有上述探测基板的探测装置进行限定
。
[0032]相关技术中，根据探测装置中光电响应层结构的不同，探测装置可以分为直接转换型与间接转换型
。
间接转换型探测装置中的光电响应层结构包括闪烁体层和光电二极管，其中，闪烁体层将
X
射线转换为可见光，光电二极管将可见光转换为电信号，探测基板将该电信号进行处理后传送到数字显像装置中形成可显示的数字图像
。
但是，闪烁体层存在轻微散射效应，清晰度低，高噪声，并且对
X
射线吸收率低，需要在探测过程中采用高剂量的
X
射线照射完成
X
射线的检出
。
[0033]直接转换型探测装置的优点为光电响应层采用钙钛矿，可以直接将
X
射线转换为电信号，并且钙钛矿对
X
射线吸收效率高
、
低剂量
、
检出能力强，实现了探测的高清晰度和低噪声
。
近年来直接转换型探测装置尤其是手持式探测装置的需求越来越强烈，该探测装置
有望在社区医疗
、...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种探测基板，其特征在于，包括：衬底基板，以及层叠设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管层和平坦层；所述薄膜晶体管层包括：多个薄膜晶体管；所述平坦层包括：与所述多个薄膜晶体管的间隙对应的光路调节部，所述光路调节部用于将通过所述间隙入射的射线折射到远离所述多个薄膜晶体管的方向
。2.
根据权利要求1所述的探测基板，其特征在于，所述光路调节部包括：至少两个折射率不同且层叠设置的折射层
。3.
根据权利要求2所述的探测基板，其特征在于，所述光路调节部包括：靠近所述薄膜晶体管层设置且具有第一折射率的第一折射层；以及设置于所述第一折射层远离所述薄膜晶体管层一侧，且具有第二折射率的第二折射层
。4.
根据权利要求3所述的探测基板，其特征在于，所述第一折射层的形状为梯形体结构，所述第二折射层配合的设置于所述第一折射层；所述第一折射率大于所述第二折射率；所述第一折射层包括靠近所述薄膜晶体管层的第一平行面，以及远离所述薄膜晶体管层且与所述第一平行面相对设置的第二平行面；其中，所述第一平行面在所述薄膜晶体管层上的投影大于所述第二平行面在所述薄膜晶体管层上的投影
。5.
根据权利要求4所述的探测基板，其特征在于，所述第一平行面对应的底角是根据所述第二折射率和所述第一折射层对应的第一折射率的比值确定的
。6.
根据权利要求3所述的探测基板，其特征在于，所述第一折射层的形状为凸球面结构，所述第二折射层配合的设置于所述第一折射层；所述第一折射率大于所述第二折射率
。7.

【专利技术属性】
技术研发人员：贵炳强，王彦强，黄鹏，高涛，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：