准分子光源结构及其制作方法技术

一种准分子光源结构及其制作方法

【技术实现步骤摘要】
准分子光源结构及其制作方法、准分子灯具


[0001]本专利技术涉及灯具
，具体涉及一种准分子光源结构及其制作方法
、
准分子灯具
。

技术介绍

[0002]紫外线杀菌具有高效
、
快速
、
彻底
、
无化学药剂
、
不存在抗药性
、
无二次污染等特点，被广泛应适于医院
、
学校
、
空调系统
、
水处理系统
、
消毒柜等领域
。
[0003]利用准分子灯具，产生不同波段的紫外线，是目前人造短波紫外线的常用方法
。
[0004]准分子灯具产生紫外线的原理为：在介质阻挡放电
(Dielectric Barrier Discharge
，
DBD)
中，平均能量为几个电子伏特的电子有效地激发了氪原子，这些处于激发态的氪原子与周围氯原子碰撞复合成被激发的氪氯准分子
。
当被激发的准分子向下跃迁到基态时，会发射相应波段
(
例如
254nm
或
222nm)
的紫外线
。
[0005]然而，现有准分子光源结构，常常会因内部焊接不良而失效，导致准分子灯具的使用成本较高
。

技术实现思路

[0006]本专利技术要解决的问题是：如何减少准分子光源结构内部因焊接不良而失效的情况出现，降低准分子灯具的使用成本
。
[0007]为解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种准分子光源结构，所述准分子光源结构包括：罩体，具有第一腔室；灯管，固定在所述第一腔室内；所述灯管内部充入有可放电气体；焊接在所述灯管外侧壁的第一电极及第二电极；所述第一电极与所述灯管通过第一焊盘连接，所述第二电极与所述灯管通过第二焊盘连接；其中，所述第一焊盘及第二焊盘中至少一个的材料为铜铝合金
。
[0008]可选地，所述铜铝合金中还包括：硅基料；所述硅基料包括二氧化硅，用于提高相应焊盘与所述灯管之间的粘接性
。
[0009]可选地，所述硅基料还包括：三氧化二硼及硅酸钠
。
[0010]可选地，所述硅基料还包括：金属氧化物
。
[0011]可选地，所述硅基料还包括：有机溶剂
。
[0012]可选地，所述硅基料还包括：粘结剂
。
[0013]可选地，在所述硅基料中，二氧化硅的比例范围为
40
％～
75
％，金属氧化物的比例范围为
20
％～
55
％，所述有机溶剂的比例范围为5％～
10
％
。
[0014]可选地，所述铜铝合金中铜的比例范围为
60
％～
90
％，铝的比例范围为8％～
30
％
。
[0015]可选地，所述灯管的材料为石英玻璃
。
[0016]本专利技术实施例还提供了一种准分子光源结构的制作方法，所述方法包括：提供罩体
、
灯管
、
第一电极及第二电极，所述灯管内部充入有可放电气体；将所述铜铝合金印刷至
所述灯管外侧壁上用于安装所述第一电极及第二电极的位置；将印刷好的铜铝合金烘干；将烘干后的铜铝合金与所述灯管进行烧结，使得所述第一电极及第二电极与所述灯管粘接；将相粘接后的灯管
、
第一电极及第二电极放入罩体内
。
[0017]可选地，所述烧结的温度范围为
400℃
至
800℃。
[0018]本专利技术实施例还提供了一种准分子灯具，所述准分子灯具包括上述任一种所述的准分子光源结构
。
[0019]与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下优点：
[0020]应用本专利技术的方案，由于第一焊盘及第二焊盘中至少一个的材料为铜铝合金，相对于银离子，铜离子活性低，不易在高温高臭氧高频的环境下发生迁移，由此可以避免造成焊盘与电极之间的基金属缺失，也就可以减少焊盘因基金属迁移而造成的早期失效，延长准分子光源结构的寿命，降低准分子灯具的使用成本
。
另外，由于铜铝合金中还包括铝离子，铝离子的颗粒度较小，通过改变铝离子在铜铝合金中所占的比例，可以较大松散烧结后的应力由此可以改善铜铝合金的膨胀系数，使得铜铝合金能够与灯管的膨胀系数相匹配，从而使得焊盘不会在寿命期内从灯管侧壁剥离
。
[0021]进一步，由于铜铝合金中还包括硅基料，所述硅基料中包括二氧化硅，二氧化硅与灯管材料的膨胀系数相近，由此可以进一步提高相应焊盘与所述灯管之间的粘接性，由此可以使得铜铝合金能够更好地将焊盘固定在灯管侧壁上，防止焊盘从灯管侧壁剥离
。
[0022]进一步，由于硅基料还包括金属氧化物，金属氧化物的加入，可以降低铜铝合金的烧结温度，从而降低铜铝合金固定在灯管侧壁上的工艺难度及成本
。
附图说明
[0023]图1是一种灯管的侧面结构示意图；
[0024]图2是一种灯管的俯视图；
[0025]图3是本专利技术实施例中一种灯管的侧面局部结构示意图；
[0026]图4是不同材料的焊盘寿命曲线对比示意图；
[0027]图5是本专利技术实施例中准分子光源结构的制作方法流程图
。
具体实施方式
[0028]现有准分子光源结构，参照图1，包括一个灯管
11
，以及位于灯管内的两个电极，分别为第一电极
12
及第二电极
13。
每个电极通过相应的外引线与电源连接
。
灯管内充满可放电气体，当电极通过外引线接通电源时，两电极之间会产生电弧，电弧会激发灯管内的可放电气体进行放电
。
[0029]由于电极与外引线之间不易连接，故通常在电极两边对称形成焊盘以与外引线进行电连接
。
参照图2，以第一电极
11
为例，可以采用粘贴
、
焊接等方式，在第一电极
11
的两边对称形成焊盘
111
，焊盘
111
与第一电极
11
紧密连接进行导电，外引线焊接到焊盘上为第一电极
11
通电
。
[0030]经专利技术人研究发现，导致出现焊接不良的原因是：焊盘材料中的金属离子为银离子，而银离子的活性较大，在高温高臭氧高频的环境下，非常容易产生迁移，造成焊盘与电极之间的基金属缺失，使焊盘产生早期失效，最终导致准分子灯具的使用成本较高
。
[0031]针对该问题，本专利技术提供了一种准分子光源结构，在所述准分子光源结构中，第一焊盘及第二焊盘中至少一个的材料为铜铝合金，相对于银离子，铜离子活性低，不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种准分子光源结构，其特征在于，包括：罩体，具有第一腔室；灯管，固定在所述第一腔室内；所述灯管内部充入有可放电气体；焊接在所述灯管外侧壁的第一电极及第二电极；所述第一电极与所述灯管通过第一焊盘连接，所述第二电极与所述灯管通过第二焊盘连接；其中，所述第一焊盘及第二焊盘中至少一个的材料为铜铝合金
。2.
如权利要求1所述的准分子光源结构，其特征在于，所述铜铝合金中还包括：硅基料；所述硅基料包括二氧化硅，用于提高相应焊盘与所述灯管之间的粘接性
。3.
如权利要求2所述的准分子光源结构，其特征在于，所述硅基料还包括：三氧化二硼及硅酸钠
。4.
如权利要求2或3所述的准分子光源结构，其特征在于，所述硅基料还包括：金属氧化物
。5.
如权利要求4所述的准分子光源结构，其特征在于，所述硅基料还包括：有机溶剂
。6.
如权利要求5所述的准分子光源结构，其特征在于，所述硅基料还包括：粘结剂
。7.
如权利要求6所述的准分子光源结构，其特征在于，在所述硅基料中，二氧化硅的比例范围为
40
％～
75
％，金属氧化物的比例范围为
20
％～
55
...

【专利技术属性】
技术研发人员：施敏，曹巍，井占军，
申请(专利权)人：星际光上海实业有限公司，
类型：发明
国别省市：