一种配置参数校准方法技术

本申请实施例提供了一种配置参数校准方法

【技术实现步骤摘要】
一种配置参数校准方法、装置及电子设备


[0001]本申请涉及存储
，特别是涉及一种配置参数校准方法
、
装置及电子设备
。

技术介绍

[0002]电子设备可以在存储介质，如固态硬盘，中存储数据，并在需要时从存储介质中读取存储的数据
。
但是受限制于各种条件，读取到的数据可能与原先存储的数据不同，相关技术中，可以通过纠错模块按照预设纠错策略对读取到的数据进行纠错，纠错模块在纠错过程中需要使用到配置的配置参数
。
[0003]但是，随着存储介质的运行，存储介质的状态也将发生改变，预先为纠错模块配置的配置参数可能无法适用于存储介质当前的状态，进而导致纠错模块无法根据配置参数成功地进行纠错
。

技术实现思路

[0004]本申请实施例的目的在于提供一种配置参数校准方法
、
装置及电子设备，以提高纠错模块的纠错成功率
。
具体技术方案如下：
[0005]根据本申请实施例的第一方面，提供了一种配置参数校准方法，所述方法包括：
[0006]分别以不同电压对目标存储单元进行读取操作，得到读取结果，其中，所述目标存储单元是目标存储介质中预先存储有数据的存储单元，不同目标存储单元的性能不同；
[0007]统计所述读取结果，得到能够从所述目标存储介质中以预设读取条件读取到数据的配置参数，作为候选配置参数；
[0008]分别确定各所述候选配置参数的效用度，其中，所述效用度用于表示在当前配置参数中补充所述候选配置参数后当前配置参数的适用范围的提升，所述当前配置参数为所述目标存储介质的纠错模块使用的配置参数；
[0009]从各所述候选配置参数中筛选效用度满足预设可用条件的目标配置参数；
[0010]在当前配置参数中补充所述目标配置参数
。
[0011]在一种可能的实施例中，所述分别确定各所述候选配置参数的效用度，包括：
[0012]针对每个所述候选配置参数，根据所述候选配置参数与当前配置参数之间的相似程度，确定所述候选配置参数的效用度，其中，所述效用度与所述相似程度负相关
。
[0013]在一种可能的实施例中，配置参数是以多维向量的形式表示的；
[0014]所述根据所述候选配置参数与当前配置参数之间的相似程度，确定所述候选配置参数的效用度，包括：
[0015]针对每个维度，计算所述候选配置参数与所述当前配置参数在所述维度上的分量的差异；
[0016]对所有维度上的所述差异进行加权得到效用度
。
[0017]在一种可能的实施例中，配置参数包括重读表的读电压，所述在当前配置参数中补充所述目标配置参数，包括：
[0018]分别计算各所述目标配置参数与针对所述目标存储介质设置的最优读电压的差异；
[0019]确定按照所述差异由大到小顺序排序时位于前预设数目位的目标配置参数，作为待补充配置参数；
[0020]在当前配置参数中补充所述待补充配置参数
。
[0021]在一种可能的实施例中，所述目标存储单元预先通过以下方式确定：
[0022]获取目标存储介质中各存储单元的性能参数，其中，所述性能参数用于表示所述存储单元的性能；
[0023]根据所述性能参数所表示的性能对各所述存储单元进行聚类，得到多个存储单元组，其中，任意两个属于同一存储单元组的存储单元之间的性能差异小于任意两个属于不同存储单元组的存储单元之间的性能差异；
[0024]分别从每个所述存储单元组中确定预设数量个存储单元，作为目标存储单元
。
[0025]在一种可能的实施例中，所述性能参数包括最优读电压的偏移量和
/
或翻转比特数；
[0026]所述分别从每个所述存储单元组中确定预设数量个存储单元，作为目标存储单元，包括：
[0027]分别从每个所述存储单元组中确定所述性能参数与同一存储单元组内其他存储单元的性能参数的相似度小于相似度阈值的存储单元，作为目标存储单元
。
[0028]在一种可能的实施例中，预先存储于所述目标存储单元中的数据不包含用于验证读取到的数据是否正确的校验位
。
[0029]在一种可能的实施例中，所述分别以不同电压对目标存储单元进行读操作，得到读取结果，包括：
[0030]若满足预设巡检条件，则分别以不同电压对目标存储单元进行读操作，得到读取结果；
[0031]其中，所述预设巡检条件包括以下任意一种或多种条件：
[0032]所述目标存储介质处于空闲状态
、
所述目标存储介质的整体性能低于第一预设性能阈值，所述整体性能的变化幅度大于预设幅度阈值
、
所述目标存储单元的性能低于第二预设性能阈值
、
纠错模块在对所述目标存储单元所属存储块进行纠错的过程中发生纠错失败
。
[0033]在一种可能的实施例中，所述若满足预设巡检条件，则分别以不同电压对目标存储单元进行读取操作，得到读取结果，包括：
[0034]若所述目标存储介质处于空闲状态，且所述目标存储介质的整体性能低于预设性能阈值，且所述整体性能的变化幅度大于第一预设幅度阈值，则获取所述目标存储单元的性能的变化幅度以及针对所述目标存储单元设置的纠错标识，所述纠错标识初始时为第一取值，且在纠错模块对所述目标存储单元进行纠错的过程中发生纠错失败时所述纠错标识被调整至第二取值；
[0035]若所述目标存储单元的性能的变化幅度大于第二预设幅度阈值，且所述纠错标识的取值为所述第二取值，则分别以不同电压对目标存储单元进行读取操作，得到读取结果
。
[0036]在一种可能的实施例中，配置参数包括重读表的读电压，所述读取结果包括所述
目标存储单元各存储态的电压分布；
[0037]所述统计所述读取结果，得到能够从所述目标存储介质中以预设读取条件读取到数据的配置参数，作为候选配置参数，包括：
[0038]确定位于所述目标存储单元相邻的存储态的电压分布重叠区域的电压，作为候选配置参数；
[0039]或者，
[0040]配置参数包括对数似然比，所述读取结果包括通过读取操作从所述目标存储介质中读取到的数据的取值；
[0041]所述统计所述读取结果，得到能够从所述目标存储介质中以预设读取条件读取到数据的配置参数，作为候选配置参数，包括：
[0042]计算所述读取结果中0和1的比值的对数，得到候选配置参数
。
[0043]根据本申请实施例的第二方面，提供了一种配置参数校准装置，所述装置包括：
[0044]读取模块，用于分别以不同电压对目标存储单元进行读取操作，得到读取结果，其中，所述目标存储单元是目标存储介质中预先存储有数据的存储单元，不同目标存储单元的性能不同；
[0045]参数确定模块，用于统计所述读取结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种配置参数校准方法，其特征在于，所述方法包括：分别以不同电压对目标存储单元进行读取操作，得到读取结果，其中，所述目标存储单元是目标存储介质中预先存储有数据的存储单元，不同目标存储单元的性能不同；统计所述读取结果，得到能够从所述目标存储介质中以预设读取条件读取到数据的配置参数，作为候选配置参数；分别确定各所述候选配置参数的效用度，其中，所述效用度用于表示在当前配置参数中补充所述候选配置参数后当前配置参数的适用范围的提升，所述当前配置参数为所述目标存储介质的纠错模块使用的配置参数；从各所述候选配置参数中筛选效用度满足预设可用条件的目标配置参数；在当前配置参数中补充所述目标配置参数
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分别确定各所述候选配置参数的效用度，包括：针对每个所述候选配置参数，根据所述候选配置参数与当前配置参数之间的相似程度，确定所述候选配置参数的效用度，其中，所述效用度与所述相似程度负相关
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，配置参数是以多维向量的形式表示的；所述根据所述候选配置参数与当前配置参数之间的相似程度，确定所述候选配置参数的效用度，包括：针对每个维度，计算所述候选配置参数与所述当前配置参数在所述维度上的分量的差异；对所有维度上的所述差异进行加权得到效用度
。4.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，配置参数包括重读表的读电压，所述在当前配置参数中补充所述目标配置参数，包括：分别计算各所述目标配置参数与针对所述目标存储介质设置的最优读电压的差异；确定按照所述差异由大到小顺序排序时位于前预设数目位的目标配置参数，作为待补充配置参数；在当前配置参数中补充所述待补充配置参数
。5.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述目标存储单元预先通过以下方式确定：获取目标存储介质中各存储单元的性能参数，其中，所述性能参数用于表示所述存储单元的性能；根据所述性能参数所表示的性能对各所述存储单元进行聚类，得到多个存储单元组，其中，任意两个属于同一存储单元组的存储单元之间的性能差异小于任意两个属于不同存储单元组的存储单元之间的性能差异；分别从每个所述存储单元组中确定预设数量个存储单元，作为目标存储单元
。6.
根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述性能参数包括最优读电压的偏移量和
/
或翻转比特数；所述分别从每个所述存储单元组中确定预设数量个存储单元，作为目标存储单元，包括：分别从每个所述存储单元组中确定所述性能参数与同一存储单元组内其他存储单元
的性能参数的相似度小于相似度阈值的存储单元，作为目标存储单元
。7.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，预先存储于所述目标存储单元中的数据不包含用于验证读取到的数据是否正确的校验位
。8.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分别以不同电压对目标存储单元进行读操作，得到读取结果，包括：若满足预设巡检条件，则分别以不同电压对目标存储单元进行读操作，得到读取结果；其中，所述预设巡检条件包括以下任意一种或多种条件：所述目标存储介质处于空闲状态
、
所述目标存储介质的整体性能低于第一预设性能阈值，所述整体性能的变化幅度大于预设幅度阈值
、
所述目标存储单元的性能低于第二预设性能阈值
、
纠错模块在对所述目标存储单元所属存储块进行纠错的过程中发生纠错失败
。9.
根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述若满足预设巡检条件，则分别以不同电压对目标存储单元进行读取操作，得到读取结果，包括：若所述目标存储介质处于空闲状态，且所述目标存储介质的整体性能低于预设性能阈值，且所述整体性能的变化幅度大于第一预设幅度阈值，则获取所述目标存储单元的性能的变化幅度以及针对所述目标存储单元设置的纠错标识，所述纠错标识初始时为第一取值，且在纠错模块对所述目标存储单元进行纠错的过程中发生纠错失败时所述纠错标识被调整至第二取值；若所述目标存储单元的性能的变化幅度大于第二预设幅度阈值，且所述纠错标识的取值为所述第二取值，则分别以不同电压对目标存储单元进行读取操作，得到读取结果
。10.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，配置参数包括重读表的读电压，所述读取结果包括所述目标存储单元各存储态的电压分布；所述统计所述读取结果，得到能够从所述目标存储介质中以预设读取条件读取到数据的配置参数，作为候选配置参数，包括：确定位于所述目标存储单元相邻的存储态的电压分布重叠区域的电压，作为候选配置参数；或者，配置参数包括对数似然比，所述读取结果包括通过读取操作从所述目标存储介质中读取到的数据的取值；所述统计所述读取结果，得到能够从所述目标存储介质中以预设读取条件读取到数据的配置参数，作为候选配置参数，包括：计算所述读取结果中0和1的比值的对数，得到候选配置参数
。11.
一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍文捷，刘璨，万婷，冯星，张航，
申请(专利权)人：杭州海康存储科技有限公司，
类型：发明
国别省市：