一种晶体生长液面结晶检测方法技术

本发明专利技术提供一种晶体生长液面结晶检测方法

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长液面结晶检测方法、装置及设备


[0001]本专利技术涉及单晶硅制备
，具体涉及一种晶体生长液面结晶检测方法
、
装置及设备
。

技术介绍

[0002]现有单晶炉的单晶制备生产包括加料
、
熔化
、
缩颈生长
、
放肩生长
、
等径生长以及尾部生长等过程，其中，在等径生长环节中，若工艺参数不匹配或热场老化，容易造成等径时加热功率偏低，会使硅液温度逐渐下降至熔点以下
。
当硅液温度低于熔点时，会在硅棒周围产生结晶棱，并迅速蔓延至整个石英埚，而由于硅由液态变为固态时，体积会增大，进而产生的结晶棱会让石英埚受到张力而发生破裂，严重时会造成漏硅焖炉事故
。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种晶体生长液面结晶检测方法
、
装置及设备，能够准确有效地检测晶棒的与液面接触处是否出现结晶棱，保证单晶炉生产安全
。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种晶体生长液面结晶检测方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1
，获取结晶炉内的炉内图像，所述炉内图像中包含晶棒以及与所述晶棒接触的液面；
S2
，根据所述炉内图像检测所述晶棒的与所述液面接触处的结晶棱；
S3
，在所述检测结果为确定出现结晶棱时，进行报警
。2.
根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤
S2
包括：
S21
，基于所述炉内图像，提取所述晶棒与所述液面的接触轮廓；
S22
，基于所述接触轮廓，检测所述结晶棱
。3.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤
S21
包括：基于所述炉内图像，通过轮廓检测框识别所述晶棒与所述液面之间是否出现所述接触轮廓；在确定出现所述接触轮廓时，提取所述接触轮廓
。4.
根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述步骤
S22
包括：在所述接触轮廓周围，设置环扇形检测框；基于所述环扇形检测框，识别所述结晶棱
。5.
根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在所述接触轮廓周围，设置环扇形检测框包括：沿着所述接触轮廓在液面一侧设初始环扇形检测框；使所述晶棒旋转，基于所述晶棒旋转时所述晶棒与所述初始环扇形检测框之间的位置关系，对所述初始环扇形检测框的位置进行调节，得到所述环扇形检测框
。6.
根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述沿着所述接触轮廓在...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宗江，赵京通，李润飞，
申请(专利权)人：晶澳无锡光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：